张振军
- 作品数：7 被引量：32H指数：4
- 供职机构：西安交通大学电气工程学院电力设备电气绝缘国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术航空宇航科学技术更多>>
- 航天器介质材料抗内带电改性技术研究
- 研究航天器介质材料的深层带电机理，对于我国航天事业的发展具有深远的意义。本文实验研究了实用航天器材料聚四氟乙烯(PTFE)和FR-4电路板的抗内带电改性技术。实验研究发现，添加微米和纳米改性剂提升PTFE在内电场较低时维...
- 金阳张振军
- 关键词：PTFEFR-4空间电荷
- 不同温度下聚酰亚胺真空直流沿面闪络特性被引量：8
- 2014年
- 为了提高固体绝缘介质应用于复杂工程环境下的可靠性,以自制备的聚酰亚胺（PI）平板试样为研究对象,实验研究了PI在不同温度（193～373 K）范围内的真空直流沿面闪络特性,并分析其闪络机理.结果发现：随着温度的升高,闪络电压呈现先降低、后升高、再降低的变化规律,且分别在273 K与313 K时达到最小、最大值;高温区域（313～373 K）的闪络电压较低温区域（193～273 K）的闪络电压有明显提高.对实验结果进行分析,认为高场强下阴极附近电子发射、固体绝缘介质体内的电荷输运以及气体解吸附都是影响固体绝缘介质真空直流沿面闪络特性的重要原因,其中的气体解吸附更是影响真空直流沿面闪络特性的最关键因素.
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- 关键词：闪络聚酰亚胺电子发射电荷输运
- 真空、直流电压的电子辐射环境中聚酰亚胺材料的沿面闪络特性被引量：14
- 2014年
- 为了提高聚酰亚胺材料(PI)在复杂工程环境下的可靠性,实验研究了真空电子辐射下PI的直流沿面闪络特性,并采用热刺激电流(TSC)法测试辐射前后试样的陷阱参数。结果表明,当辐射电子能量在0.5～20 keV范围内时,试样表面的闪络电压高于无辐射情况下的闪络电压;电子能量越高,介质表面正电荷密度和相对介电常数越小,陷阱深度增大,表面电场均衡性有所提高,因此闪络电压越高;在辐射电子能量不变情况下,束流密度越大,初始电子数越多,泄漏电流越大,则闪络电压越低。
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- 关键词：电子辐射沿面闪络电子能量
- 纳米复合聚酰亚胺材料真空沿面闪络特性
- 本文通过实验研究了无机纳米掺杂复合聚酰亚胺材料的真空直流沿面闪络特性并分析其闪络机理.实验发现,纳米复合聚酰亚胺材料的沿面闪络电压比纯聚酰亚胺试样的真空直流闪络电压提高了12％。
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- 关键词：复合绝缘材料无机纳米填料聚酰亚胺
- 两种典型星用聚合物介质抗内带电改性防护技术研究
- 空间高能电子辐射易造成星用聚合物介质内带电水平过高,是卫星运行可靠性的潜在威胁因素。对航天器介质材料进行非线性电导改性是提高航天器介质材料自释电荷能力,进而降低内带电水平的有效方法。选用半导电无机添加剂对典型空间聚合物材...
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- 关键词：改性
- 文献传递
- 改性聚酰亚胺的真空直流沿面闪络特性被引量：8
- 2013年
- 研究改性技术对聚酰亚胺(PI)的真空直流沿面闪络特性的影响并分析其闪络机理。采用半导电微粉对PI进行改性,在10-3 Pa以下实验研究改性前后PI材料的直流闪络特性。结合扫描电子显微镜观测到的闪络试样表面状态以及复合试样的二次电子发射系数测试结果,分析高真空背景下的直流闪络机理。实验结果表明:采用具有非线性电导特性的纳米改性剂对PI进行改性,可以显著提高材料的真空直流沿面闪络电压,采用微米改性剂时其闪络电压反而低于纯材料;纳米改性在降低PI材料表面二次电子发射系数的同时也会增加表面粗糙度;在闪络即将发生时,材料表面有气体逸出现象。结合用扫描电镜观测到的表面微孔现象以及物理分析,认为纳米改性后的复合试样具有更低的电子诱导脱附系数,由此而导致的气体解吸附是影响真空直流电压下沿面闪络的关键因素。
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- 关键词：沿面闪络聚酰亚胺纳米改性
- 两种典型星用聚合物介质抗内带电改性防护技术研究被引量：4
- 2012年
- 空间高能电子辐射易造成星用聚合物介质内带电水平过高,是卫星运行可靠性的潜在威胁因素。对航天器介质材料进行非线性电导改性是提高航天器介质材料自释电荷能力,进而降低内带电水平的有效方法。实验选用半导电无机添加剂对典型空间聚合物材料聚四氟乙烯、聚酰亚胺进行改性工艺和电导特性研究,测量了常态体电导率与添加剂含量关系,不同含量添加剂下复合材料体电导率随温度与电场的变化规律以及复合材料的导热性能参数。实验表明,添加剂含量会显著影响复合材料的体电导特性及导热特性,特别是复合材料的非线性电导特性阈值电场降低最为明显。这种既能保持高绝缘性能又具有良好非线性电导特性的新型复合介质材料,有希望成为从根本上解决星用聚合物介质深层带电问题的有效措施。
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- 关键词：改性
