徐大庆
- 作品数：30 被引量：13H指数：2
- 供职机构：西安科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学文化科学更多>>
- 钒注入制备半绝缘SiC的退火效应(英文)
- 2008年
- 对钒离子注入p型和n型4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性进行了研究。注入层电阻率随退火温度的升高而增加,经过1650℃退火后,钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.6×1010Ω·cm和7.6×106Ω·cm。借助原子力显微镜对样品表面形貌进行分析,发现碳保护膜可以有效减小高温退火产生的表面粗糙,抑制沟槽的形成。二次离子质谱分析结果表明退火没有导致明显的钒在SiC中的再扩散。即使经过1650℃高温退火,也没有发现钒离子向SiC表面外扩散的现象。
- 王超张义门张玉明谢昭熙郭辉徐大庆
- 关键词：退火
- 具有突变隧穿结的绝缘层上张应变锗TFET及制备方法
- 本发明涉及一种具有突变隧穿结的绝缘层上张应变锗TFET及制备方法，该制备方法包括：制备绝缘层上张应变锗衬底；采用刻蚀工艺形成浅沟槽隔离；在衬底上表面采用光刻工艺形成漏区图形并采用带胶离子注入工艺在衬底上形成漏区；在衬底上...
- 李妤晨张超张岩徐大庆秦学斌
- 文献传递
- 钒受主能级在n型4H-SiC中的深能级瞬态傅里叶谱和光致发光(英文)
- 2008年
- 借助深能级瞬态傅里叶谱研究了钒离子注入在SiC中引入的深能级陷阱.掺入的钒在4 H-SiC中形成两个深受主能级,分别位于导带下0.81和1.02eV处,其电子俘获截面分别为7.0×10-16和6.0×10-16cm2.对钒离子注入4 H-SiC样品进行低温光致发光测量,同样发现两个电子陷阱,分别位于导带下0.80和1.16eV处。结果表明,在n型4 H-SiC掺入杂质钒可以同时形成两个深的钒受主能级,分别位于导带下0.8±0.01和1.1±0.08eV处.
- 王超张义门张玉明王悦湖徐大庆
- 关键词：4H-SIC
- 高能量钒注入n型4H-SiC的欧姆接触形成(英文)
- 2007年
- 借助二次离子质谱法分析了注入的钒离子在碳化硅中的分布.即使经过1650℃的高温退火,钒在碳化硅中的再扩散也不显著.退火并没有导致明显的钒向碳化硅表面扩散形成堆积的现象,由于缺少钒的补偿作用,表面薄层的自由载流子浓度保持不变.采用线性传输线模型测量了钒注入n型4H-SiC上的Ni基接触电阻,在1050℃下,在氮、氢混合气体中退火10min,形成的最低比接触电阻为4.4×10-3Ω.cm2.金属化退火后的XRD分析结果表明,镍、碳化硅界面处形成了Ni2Si和石墨相.观测到的石墨相是由于退火导致C原子外扩散并堆积形成,同时在碳化硅表面形成C空位.C空位可以提高有效载流子浓度,降低势垒高度并减小耗尽层宽度,对最终形成欧姆接触起到了关键作用.
- 王超张义门张玉明郭辉徐大庆王悦湖
- 关键词：欧姆接触
- 具有突变隧穿结的FD‑GOI隧穿场效应晶体管及制备方法
- 本发明涉及一种具有突变隧穿结的FD‑GOI隧穿场效应晶体管及制备方法，该制备方法包括：选取FD‑GOI衬底；采用刻蚀工艺形成浅沟槽隔离；在FD‑GOI衬底上光刻形成漏区图形，采用带胶离子注入工艺形成漏区；步骤(d)、在F...
- 李妤晨徐大庆张岩秦学斌
- 文献传递
- 具有突变隧穿结的PNIN/NPIP型UTB-SOI TFET及制备方法
- 本发明涉及一种具有突变隧穿结的PNIN/NPIP型UTB-SOI？TFET及制备方法，该制备方法包括步骤：选取UTB-SOI衬底；在衬底上形成浅沟槽隔离；在衬底上采用带胶离子注入工艺形成漏区；在衬底上采用干法刻蚀工艺形成...
- 李妤晨刘树林童军张岩张超徐大庆岳改丽杨波刘宁庄秦学斌
- 热退火对Mn离子注入非故意掺杂GaN微结构、光学及磁学特性的影响
- 2014年
- 通过Mn离子注入非故意掺杂GaN外延层制备了GaN:Mn薄膜,并研究了退火温度对GaN:Mn薄膜的微结构、光学及磁学特性的影响.对不同退火温度处理后的GaN:Mn薄膜的拉曼谱测试显示,出现了由与离子注入相关的缺陷的局域振动(LV)和(Ga,Mn)N中Mn离子的LV引起的新的声子模.在GaN:Mn薄膜的光致发光谱中观察到位于2.16,2.53和2.92 eV处的三个新发光峰(带),其中位于2.16 eV处的新发光带不能排除来自Mn相关辐射复合的贡献.对GaN:Mn薄膜的霍尔测试显示,退火处理后样品表现出n型体材料特征.对GaN:Mn薄膜的振动样品磁强计测试显示,GaN:Mn薄膜具有室温铁磁性,其强弱受Mn相关杂质带中参与调节磁相互作用的空穴浓度的影响.
- 徐大庆张义门娄永乐童军
- 关键词：光致发光室温铁磁性退火
- 具有突变隧穿结的UTB-SOI隧穿场效应晶体管及制备方法
- 本发明涉及一种具有突变隧穿结的UTB-SOI隧穿场效应晶体管及制备方法，该制备方法包括:选取UTB-SOI衬底；形成浅沟槽隔离；光刻形成漏区图形，带胶离子注入形成漏区；干法刻蚀形成源区沟槽；在源区沟槽内淀积硅材料并进行原...
- 李妤晨张岩张超徐大庆秦学斌
- 文献传递
- 空位缺陷及Mg替位对纤锌矿(Ga,Mn)N电子结构和磁光性能的影响被引量：1
- 2016年
- 采用自旋密度泛函理论框架下的广义梯度近似(GGA+U)平面波超软赝势方法,构建了未掺杂纤锌矿GaN超胞、三种不同有序占位Mn双掺GaN,(Mn,Mg)共掺杂GaN以及存在空位缺陷的Mn掺杂GaN超胞模型,分别对所有模型的能带结构、电子态密度、能量以及光学性质进行了计算.计算结果表明:与纯的GaN相比,Mn掺杂GaN体系的体积略有增大,掺杂体系居里温度能够达到室温以上;随着双掺杂Mn-Mn间距的增大,体系总能量和形成能升高、稳定性下降、掺杂越难;(Mn,Mg)共掺杂并不能有效增大掺杂体系磁矩,也不能达到提高掺杂体系居里温度的作用;Ga空位缺陷和N空位缺陷的存在不利于Mn掺杂GaN形成稳定的铁磁有序.此外,Mn离子的掺入在费米能级附近引入自旋极化杂质带,正是由于费米能级附近自旋极化杂质带中不同电子态间的跃迁,介电函数虚部在0.6868eV附近、光吸收谱在1.25eV附近分别出现了一个较强的新峰.
- 徐大庆李培咸娄永乐岳改丽张超张岩刘宁庄杨波
- 关键词：第一性原理电子结构磁光性能
- 具有突变结的UTB-SOI隧穿场效应晶体管及制备方法
- 本发明涉及一种具有突变结的UTB-SOI隧穿场效应晶体管及制备方法，该制备方法包括：选取UTB-SOI衬底；形成浅沟槽隔离；刻蚀形成P型/N型沟槽；在P型/N型沟槽内淀积硅材料并进行原位掺杂形成P型/N型高掺杂源区；刻蚀...
- 李妤晨童军刘树林张岩徐大庆张超岳改丽刘宁庄杨波秦学斌
