李建恒
- 作品数：8 被引量：4H指数：1
- 供职机构：天津大学更多>>
- 发文基金：超高速专用集成电路重点实验室基金国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 用于4G光载无线通信的CMOS激光器驱动电路
- 本发明公开了用于4G光载无线通信的CMOS激光器驱动电路，其涉及无线通信领域，特别是涉及用于4G光载无线通信的CMOS激光器驱动电路。所述用于4G光载无线通信的CMOS激光器驱动电路由CMOS模拟射频部分、CMOS数字部...
- 毛陆虹李建恒张世林谢生
- 文献传递
- 栅型共振隧穿晶体管的设计与研制被引量：1
- 2006年
- 在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT).文中对该器件的材料结构设计、器件结构设计、光刻版图设计、器件制作、参数测量与分析等进行了系统的描述.所研制出的GRTT最大PVCR为46,最大跨导为8mS,为进一步改善器件性能和参数奠定了基础.
- 郭维廉梁惠来宋瑞良张世林毛陆虹胡留长李建恒齐海涛冯震田国平商跃辉刘永强李亚丽袁明文李效白
- 共振隧穿晶体管的反相器统一模型被引量：1
- 2007年
- 综合分析了各种不同结构的共振隧穿晶体管(RTT),将其等效为一反相器电路,建立了一个统一的RTT模型.在此模型中,按照处理反相器的方法来分析RTT的I-V特性,对各种不同类型的I-V特性给出了统一的解释.该模型所导出的结果与相应的电路模拟和电路模拟实验结果相一致.此RTT反相器统一模型可成为分析和设计各种RTT器件的有力工具.
- 郭维廉牛萍娟苗长云于欣王伟梁惠来张世林李建恒宋瑞良胡留长齐海涛毛陆虹
- 关键词：RTTI-V特性
- 薄基区异质结晶体管的负阻特性与分析
- 2006年
- 采用分子束外延方法生长了8 nm基区的InGaP-GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管．该晶体管可以集成在高速高频的数字逻辑电路中,大大减少了器件数目．讨论了薄基区负阻异质结晶体管的负阻特性及其物理机制．器件负阻特性的产生与其结构密切相关,包括导带势垒尖峰和基区宽度负反馈效应．推出了物理公式,并且使用PSPICE模拟软件建立了电路模型．模拟结果符合制作器件的测量结果．
- 张世林李建恒郭维廉齐海涛梁惠来
- 关键词：异质结晶体管负阻特性电路模拟
- 用于4G光载无线通信的CMOS激光器驱动电路
- 本发明公开了用于4G光载无线通信的CMOS激光器驱动电路，其涉及无线通信领域，特别是涉及用于4G光载无线通信的CMOS激光器驱动电路。所述用于4G光载无线通信的CMOS激光器驱动电路由CMOS模拟射频部分、CMOS数字部...
- 毛陆虹李建恒张世林谢生
- 应用于小数频率合成器的电感电容压控振荡器设计
- 本文介绍了应用于小数频率合成器中的电感电容压控振荡器(LCVCO)设计。
LCVCO设计的主要目标包括低相位噪声，宽调谐范围和低功耗等。其中相位噪声是影响LCVCO性能的关键参数。目前关于相位噪声的理论已发展得...
- 李建恒
- 关键词：小数频率合成器电感电容压控振荡器低相位噪声电路模拟
- 文献传递
- 负阻异质结晶体管的模拟与实验
- 2005年
- 采用MBE方法生长了8nm基区的InGaP/GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管.在恒压恒流条件下均观察到了负阻特性并对其物理机制进行了讨论.推导出集电极电流IC与VCE的关系表达式,讨论了负阻与器件结构和参数的关系.使用PSPICE模拟软件建立电路网表模型,代入推导出的ICVCE公式进行模拟,模拟结果与器件的测量结果十分接近.
- 李建恒张世林郭维廉齐海涛梁惠来毛陆虹
- 关键词：异质结晶体管负阻特性电路模拟
- RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管的设计与研制
- 2007年
- 对RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管进行了设计和研制.测量结果表明:最大电流峰谷比为17.6∶1,栅压对峰值电压调控能力在1.5～7.7范围内,-3dB截止频率为4GHz,此种器件可与HEMT在结构和工艺上兼容,可应用于HEMT高速电路.
- 梁惠来郭维廉宋瑞良齐海涛张世林胡留长李建恒毛陆虹商跃辉冯震田国平李亚丽
- 关键词：RTTRTDHEMT电流峰谷比
