- 气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料被引量：1
- 1996年
- 本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果．材料是ＧａＡｓ（１００）衬底上外延的晶格匹配的Ｉｎｙ（Ｇａ１－ｘＡｌｘ）１－ｙＰ（ｘ＝０～１，ｙ＝０．５），ＩｎＧａＰ／ＩｎＡｌＰ多量子阱；在ＩｎＰ（１００）衬底上外延的ＩｎＰ，晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ以及ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ／ＩｎＡｓＰ多量子阱，ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡＳＨＥＭＴ等．外延实验是用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统做的．
- 袁瑞霞阎春辉国红熙李晓兵朱世荣曾一平李灵霄孔梅影
- 关键词：磷化铟砷化铟分子束外延
- GaAs基MM-HEMT和InP基LM-HEMTMBE生长
- 本文采用MBE生长技术,比较了在InP衬底上生长晶格匹配的LM-HEMT与在GaAs衬底上生长大失配的MM-HEMT的材料的性能.结果发现,二者的电子迁移率与电子浓度都非常接近,这说明我们采用阶梯式变组分的方法生长MM-...
- 崔利杰曾一平王保强朱战平李灵霄林兰英
- 关键词：MBEHEMT电子迁移率
- 文献传递
- GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管被引量：5
- 1999年
- 用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法生长了掺杂ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金并试制了ｐ－ｎ异质结二极管，Ｘ射线双晶衍射和二极管Ｉ－Ｖ特性表明，ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏电的主要原因．通过控制ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的组分及厚度，我们获得了较高质量的ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉｐ－ｎ异质结二极管材料，其反向电压为－５Ｖ时，反向漏电流密度为６．１μＡ／ｃｍ２．
- 刘学锋王玉田刘金平李建平李灵霄孙殿照孔梅影林兰英
- 关键词：P-N结异质结二极管GSMBE
- MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器性能的影响
- 1997年
- 采用分子束外延（ＭＢＥ）技术，研制生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明，较高的ＩｎＧａＡｓ生长温度和尽可能短的生长停顿时间，将有利于降低激光器的阈值电流。所外延的激光器材料在２５０μｍ×５００μｍ宽接触、脉冲工作方式下测量的阈电流密度的典型值为１６０ｍＡ／ｃｍ２。用湿法腐蚀制作的４μｍ条宽的脊型波导激光器，阈值电流为１６ｎＡ，外微分量子效率为０４ｍＷ／ｍＡ，激射波长为９７６±２ｎｍ，线性输出功率为１００ｍＷ。
- 曾一平孔梅影王晓亮朱世荣李灵霄李晋闽
- 关键词：激光器MBE生长
- 低In组分InxGa1-xAs/GaAs自组织量子点的MBE生长
- 我们用MBE生长了低组分In<,x>Ga<,1-x>As/GaAs量子点(x=0.3和0.5),反射高能电子衍射仪(RHEED)显示了良好的2×4再构向三维生长的点状图象转化的过程.同时,原子力显微镜(AFM)实验表明,...
- 段瑞飞曾一平孔梅影张昉昉朱战平王保强李灵霄
- 关键词：自组织生长INGAAS/GAAS分子束外延生长量子点材料
- 文献传递
- GaAs基InAlAs/InGaAs MM-HEMT材料的零场自旋分裂
- 采用Shubnikov-de Hass(SdH)振荡测试技术研究了GaAs基InAlAs/InGaAs MM-HEMT材料的磁输运特性,并在窄带隙和掺杂浓度高的材料中发现了零场自旋分裂现象.
- 崔利杰曾一平王保强朱战平李灵霄林兰英
- 关键词：分子束外延
- 文献传递
- In<,0.28>Ga<,0.72>As/GaAs MQWIP中的多垒共振隧穿
- 于磊曾一平孔梅影潘量李灵霄李晋闽
- InGaAs／InP超晶格材料的GSMBE生长研究被引量：2
- 1995年
- 在国产第一台ＣＢＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）设备上，用ＧＳＭＢＥ（Ｇａｓｓｏｕｒｃｅｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）技术在国内首次研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长，用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料，并用双晶Ｘ－射线衍射技术对样品进行了测试和分析．结果表明，我们在国产第一台ＣＢＥ设备上用ＧＳＭＢＥ技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好．
- 孙殿照王晓亮李晓兵国红熙阎春辉李建平朱世荣李灵霄曾一平孔梅影侯洵
- 关键词：INGAAS磷化铟超晶格材料GSMBE生长
- InGaAs沟道层中In组分含量对MM-HEMT材料性能的影响
- 采用MEB技术制备了一系列沟道层不同In组分含量的MM-HEMT材料.结果发现,随In组分含量的变化,材料的电子迁移率有一最佳值,对这一结果给予了解释.
- 崔利杰朱战平王保强张昉昉曾一平李灵霄林兰英
- 关键词：分子束外延技术MM-HEMT材料材料性能
- 文献传递
- 衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响被引量：1
- 2000年
- 研究 Ga As基 Inx Ga1 -x As/ Ga As量子点 (QD)的 MBE生长条件 ,发现在一定的 / 比下 ,衬底温度和生长速率是影响 Inx Ga1 -x As/ Ga As QD形成及形状的一对重要因素 ,其中衬底温度直接影响着 In的偏析程度 ,决定了 Inx Ga1 -x As/ Ga As的生长模式 ;生长速率影响着Inx Ga1 -x As外延层的质量 ,决定了 Inx Ga1 -x As/ Ga As QD的形状及尺寸 .通过调节衬底温度和生长速率生长出了形状规则、尺寸较均匀的 Inx Ga1 -x As/ Ga As QD(x=0 .3)
- 于磊曾一平潘量孔梅影李晋闽李灵霄周宏伟
- 关键词：自组织生长衬底温度生长速率MBE砷化镓
