杨红伟
- 作品数：52 被引量：69H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金国家部委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程交通运输工程理学更多>>
- 16线集成窄脉冲半导体激光器模块的研制被引量：6
- 2020年
- 为提高激光雷达系统的探测距离和空间探测精度,并减少其体积及成本,研制了一款16线集成窄脉冲半导体激光器模块,该模块主要包括高密度排列的激光器芯片、集成驱动电路及光电混合集成封装结构。采用三层发光纳米堆叠激光器芯片及高精度贴片工艺实现16线激光器贴装;采用结电容和开关损耗较小的新型GaN功率器件实现窄脉冲驱动电路;将激光器芯片与电路封装在同一管壳内,减小分布电感;采用能量压缩技术实现了16线单独可控,获得了高功率(70 W)、窄脉冲(6 ns)和低功耗(4 W)的优良性能。与传统采用分立式器件的激光雷达系统相比,该模块能够将系统探测距离和空间探测精度均提高将近50%。
- 张厚博王晓燕崔璐李晓红杨红伟
- 关键词：半导体激光器集成封装窄脉冲激光雷达
- 基于键合晶体的1.5μm激光器和光学系统
- 本申请适用于激光器技术领域，提供了基于键合晶体的1.5μm激光器和光学系统，该激光器包括：耦合透镜组和键合晶体；耦合透镜组用于整形聚焦入射激光，并发射至键合晶体；键合晶体用于提供激光增益介质和被动调Q；其中，键合晶体包括...
- 马汉超王媛媛杨红伟房玉锁孙芮李增路孙奕涛申正坤张港李松松冯卓冯晓静
- 采用MOCVD生长方法制备量子级联激光器研究进展
- 量子级联激光器(QCL)是一种基于子带间电子跃迁的中、远红外波段单极光源。由于MOCVD较MBE具有更快的生长速率,高质量的磷化物生长、低缺陷密度等优势更适合工业化生产,越来越多的量子级联激光器采用这种方法制备,并实现了...
- 林琳陈宏泰杨红伟刘英斌安振峰
- 关键词：量子级联激光器MOCVD
- 文献传递
- 微透镜调试装置
- 本发明提供了一种微透镜调试装置，包括调节支架、多个弹性夹持体和多个调节丝；调节支架用于与微调设备的调节端连接，并具有相对设置的第一连接部和第二连接部；多个弹性夹持体分别连接于第一连接部和第二连接部，第一连接部与对应的弹性...
- 李晓红张厚博杨红伟崔璐王晓燕马汉超刘牧荑武艳青孙芮孙奕涛崔绍晖封嘉纯王雪飞陈玉娟
- 大功率半导体激光器腔面抗烧毁技术被引量：4
- 2010年
- 首先介绍了连续激光器单管老化试验,试验通过测试不同老化时间激光器腔面的烧毁功率,对腔面烧毁发生的过程进行了分析。分析认为,大功率半导体激光器腔面烧毁失效的根本原因是腔面烧毁功率在老化过程中持续减小,最终低于激光器输出功率,造成激光器灾变性光学镜面破坏(COMD)。随后对腔面烧毁的微观物理机理进行了介绍,重点讨论了腔面缺陷相关的非辐射复合、量子阱带边吸收、自由载流子吸收造成的腔面温度升高以及腔面高温导致腔面缺陷密度增加并且向腔内攀移的微观过程。最后,介绍了电流非注入腔面、大光腔材料、长腔长设计、腔面离子铣钝化工艺等腔面抗烧毁技术研究情况,并对这些技术提高腔面抗烧毁功率以及改善腔面长期稳定性的效果进行了讨论。
- 李永杨红伟陈宏泰张世祖彭海涛
- 关键词：大功率半导体激光器
- 1.06μm大功率连续半导体激光器被引量：1
- 2009年
- 利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术,生长了InGaAs/AlGaAs分别限制压应变双量子阱和单量子阱两种材料结构,通过对不同腔长单管激光器的LIV测试获得内部参数,对单、双阱两种材料结构器件参数进行对比分析,确定了单量子阱结构作为1.06μm大功率半导体激光器的材料结构。通过研究单管激光器的电光转换效率与腔长、注入电流的关系,获得了最高达到57.5%的电光转换效率。对1mm腔长单管激光器进行了大电流高温加速老化测试,结果显示研制出的单管激光器室温下在1.5A工作电流下寿命远大于104h。
- 任永晓陈宏泰张世祖杨红伟花吉珍
- 关键词：半导体激光器金属有机化学气相淀积电光转换效率
- 940nm～1000nm波段半导体激光器量子阱外延结构
- 本发明公开了一种半导体激光器量子阱外延结构，尤其是一种940nm～1000nm波段的高效率半导体激光器的量子阱外延结构，结构中包括衬底、依次沉积在衬底上的缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、电极接触...
- 陈宏泰林琳车相辉王晶徐会武杨红伟安振峰
- 文献传递
- AlGaN/GaN HEMT材料外延技术研究
- 2007年
- 采用低压MOCVD技术在蓝宝石和SiC衬底上生长了本征GaN和AlGaN/GaN HEMT结构材料。生长过程中采用了EpiTUNEⅡ在位监测技术,对材料生长工艺进行了模型分析以及优化控制。在获得具有良好表面形貌、晶体质量以及光荧光谱的GaN本征材料基础上,生长了AlGaN/GaN HEMT结构材料,获得了良好的2DEG性能。
- 杨红伟刘英斌
- 关键词：金属有机物化学气相淀积蓝宝石碳化硅高电子迁移率晶体管
- 半导体激光器及半导体激光器侧泵模块
- 本发明提供了一种半导体激光器及半导体激光器侧泵模块，属于激光器技术领域，包括绝缘水冷板、多个激光器单元、正极引出板、负极引出板和固定组件。正极引出板穿设于绝缘水冷板与正电极板之间且设有两个连通孔，具有第一露出部，沿预设方...
- 王媛媛孙奕涛高鹏飞孙芮房玉锁杨红伟
- 高效率976nm激光器材料被引量：5
- 2010年
- 使用自洽二维数字模拟软件优化半导体激光器的外延结构,对GaInAs/AlGaAs分别限制压应变单量子阱结构进行了模拟,研究了包层和波导层的Al组分对工作电压的影响。根据模拟结果,采用金属有机化学淀积(MOCVD)技术,外延生长了单量子阱976nm激光器材料。利用该材料制作成2mm腔长的连续(CW)单管器件,采用C-mount载体标准封装,并进行了测试。测试结果表明,模拟与实验的结论一致,降低优化包层和波导层的Al组分可以减小工作电压,从而提高了976nm半导体激光器的转换效率。室温下,当工作电流为500A/cm2时,包层和波导层Al组分分别为0.35和0.15时,激光器的工作电压降低为1.63V,使得电光转换效率达到67%。
- 田秀伟陈宏泰车相辉林琳王晶张世祖徐会武刘会民王晓燕杨红伟安振峰
- 关键词：压应变工作电压AL组分
