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文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇单粒子
  • 4篇电路
  • 3篇单粒子效应
  • 3篇集成电路
  • 3篇D触发器
  • 3篇触发器
  • 2篇单粒子翻转
  • 2篇抗辐射
  • 2篇抗辐射加固
  • 1篇电路技术
  • 1篇电路设计
  • 1篇物理地址
  • 1篇误码
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇目标码
  • 1篇介质
  • 1篇控件
  • 1篇回路
  • 1篇集成电路技术

机构

  • 6篇复旦大学

作者

  • 6篇沈鸣杰
  • 2篇程君侠
  • 2篇俞军
  • 2篇徐烈伟
  • 1篇沈磊
  • 1篇曾韡
  • 1篇郑国祥
  • 1篇赵金薇
  • 1篇俞军
  • 1篇孙鹏
  • 1篇陈更生
  • 1篇戴忠东

传媒

  • 2篇复旦学报(自...
  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2010
  • 1篇2007
  • 2篇2006
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种新型的抗单粒子翻转的D触发器被引量:6
2006年
介绍了两种已有的主从型边沿D触发器,它们具有很强的抗单粒子翻转能力.在此基础上提出了一种新型的抗单粒子翻转的D触发器的结构.该结构综合了上述两种结构的优点,在抗辐射性能上得到了有效的改进,减少了面积.
沈鸣杰戴忠东俞军
关键词:集成电路设计单粒子翻转D触发器
改进型抗单粒子效应D触发器被引量:4
2007年
在对抗单粒子效应技术研究的基础上,构造了一种改进型的抗单粒子翻转和单粒子瞬变的主从型边沿D触发器。该D触发器在不影响设计流程的情况下能使得整个芯片都具有抗单粒子效应,并有效改善了以往由于引入抗辐射设计而导致芯片面积大幅度提高的问题。
赵金薇沈鸣杰程君侠
关键词:抗辐射加固单粒子效应单粒子翻转D触发器
FPGA的单粒子多位翻转处理方法、装置、FPGA和介质
本发明公开了一种FPGA的单粒子多位翻转处理方法、装置、FPGA和介质。所述方法包括:确定FPGA的资源对应的物理地址、FPGA位流区域和资源状态;对FPGA进行辐射实验,并根据FPGA的资源对应的物理地址、FPGA位流...
蔡畅高帅张靖陈更生沈鸣杰徐烈伟俞军
CMOS工艺集成电路抗辐射加固设计研究
辐射环境可以分为自然辐射环境和人为辐射环境。自然辐射环境主要指外太空的环境,人为辐射环境主要指核爆炸后的环境。随着越来越多的集成电路需要在辐射环境中工作,比如:卫星中的集成电路、武器系统中的集成电路,用户需要对集成电路的...
沈鸣杰
关键词:超大规模集成电路单粒子效应
文献传递
针对FPGA器件SerDes模块的单粒子效应测试方法及装置
本申请涉及集成电路技术领域,特别涉及一种针对FPGA器件SerDes模块的单粒子效应测试方法及装置,其中,方法包括:利用作为主控器件的第一FPGA器件生成目标码型的第一SBS码;在作为待测试设备的第二FPGA器件传输第一...
吴泽昊蔡畅沈磊俞军王树徐灵炎宁冰旭沈鸣杰徐烈伟
文献传递
基于0.13μm工艺的切断反馈回路单粒子效应加固电路的研究
2010年
对0.13μm工艺下的切断反馈回路的单粒子效应加固电路进行了研究,对其机理进行了分析,并对该结构进行了单粒子瞬变效应加固方面的改进,进而提出一种新的单粒子效应加固的D触发器,在0.13μm工艺下进行了SPICE模拟验证,可以在100 MHz的工作频率下对LET为25 MeV·cm^2/mg的单粒子轰击达到加固,相比于同类结构拥有更小的面积和功耗.
孙鹏沈鸣杰程君侠郑国祥曾韡
关键词:漏电流D触发器
共1页<1>
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