洪学鹍
- 作品数:37 被引量:25H指数:3
- 供职机构:常熟理工学院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金苏州市科技计划项目更多>>
- 相关领域:电气工程文化科学理学一般工业技术更多>>
- 具有阵列结构电子传输层的钙钛矿太阳能电池
- 本实用新型公开了一种具有阵列结构电子传输层的钙钛矿太阳能电池,包括透明导电玻璃衬底,所述衬底上设置银纳米柱周期阵列结构,所述银纳米柱上制备TiO<Sub>2</Sub>薄膜层构成核壳阵列结构作为电子传输层;所述TiO<S...
- 刘玉申况亚伟张树德魏青竹倪志春洪学鹍杨希峰
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- 一种高性能的光电探测器及其制备方法
- 本发明属于光电探测器技术领域,公开了一种高性能的光电探测器制备方法,在硅基衬底上旋涂CdS<Sub>x</Sub>Se<Sub>1‑x</Sub>纳米片,利用电子束光刻及电子束蒸发镀膜技术沉积上金电极,然后旋涂CsPbB...
- 彭明发刘玉申洪学鹍马玉龙张磊况亚伟
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- 一种PEDOT:PSS/VN<Sub>0.52</Sub>O<Sub>0.26</Sub>热电复合膜的制备方法
- 本发明公开发明了一种VN<Sub>0.52</Sub>O<Sub>0.26</Sub>纳米颗粒与PEDOT:PSS相结合的热电纳米复合薄膜的方法,借助熔盐法将尿素热解产生氨气与NaVO<Sub>3</Sub>高温反应制备...
- 刘玉申钱洪强邵振广刘心如沈亮洪学鹍况亚伟张树德
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- 一种宽光谱响应光电探测器及其制备方法
- 本发明属于光电探测器技术领域,公开了一种宽光谱响应光电探测器的制备方法,首先在硅基衬底制备二维层状MoS<Sub>2</Sub>纳米片,利用光刻/剥离技术沉积上一层金属电极,然后旋涂PbSe量子点,退火处理后得到PbSe...
- 彭明发刘玉申马玉龙张磊洪学鹍丛姗
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- 一种硅基叠层太阳能电池及其制备方法
- 本发明公开了一种硅基叠层太阳能电池,包括底电池结构和层叠于底电池结构之上的顶电池结构,底电池结构包括n型单晶硅衬底,n型单晶硅衬底上表面的四周设置SiO<Sub>2</Sub>绝缘层,中间制备p型掺杂层,在p型掺杂层和n...
- 刘玉申况亚伟张树德魏青竹倪志春洪学鹍钱洪强
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- 一种硅基阵列叠层太阳能电池及其制备方法
- 本发明公开了一种硅基阵列叠层太阳能电池,包括底电池结构和层叠于底电池结构之上的顶电池结构,底电池结构包括n型单晶硅衬底,n型单晶硅衬底表面刻蚀制备竖直方向的纳米孔周期阵列结构四周设置SiO<Sub>2</Sub>绝缘层,...
- 刘玉申况亚伟张树德魏青竹倪志春洪学鹍钱洪强
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- 一种智能健康提醒拐杖
- 本实用新型公开了一种智能健康提醒拐杖,包括拐杖本体和手环,所述拐杖本体包括手柄和杖杆,所述杖杆设有射频接收器、响应控制器和蜂鸣器,所述响应控制器在射频接收器收到信号时控制蜂鸣器报警,所述手环设有按键、发送控制器和与所述射...
- 徐竞杨斌况亚伟洪学鹍马玉龙
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- 一种智能灯光指示的点菜装置
- 本实用新型公开了一种智能灯光指示的点菜装置,包括餐车和点菜装置,所述餐车设有若干餐食存储位,每个所述餐食存储位设有与之对应的指示灯,所述点菜装置设有若干与所述餐食存储位对应的点菜按钮,所述点菜按钮控制与该点菜按钮相对应的...
- 洪学鹍徐健蒋嘉华徐竞张德宝刘玉申
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- NiS助催化剂的硫调控光沉积合成及其增强g-C3N4的光催化产氢性能被引量:4
- 2021年
- 作为一种非金属聚合半导体,石墨相氮化碳(g-C3N4)具有特殊的能带结构、可见光响应能力以及优良的物理化学性质以及生产成本低等特点,因而已成为目前光催化领域的研究热点.然而,由于g-C3N4被光激发的电子与空穴极易复合,导致g-C3N4材料的光催化性能并不理想.而助剂修饰是实现光生载流子有效分离以提高光催化活性的有效途径.众所周知,贵金属Pt可以作为光催化产氢的反应位点,但高昂的成本限制了它的实际应用.所以,开发高效的非贵金属助剂很有必要.近年来,NiS作为优良的电子助剂在光催化领域受到广泛关注.大量研究表明,NiS可以作为g-C3N4的产氢活性位点用于提高其光催化产氢性能.NiS助剂主要是通过水热、煅烧和液相沉淀的方法修饰在g-C3N4的表面上.相较而言,助剂的光沉积方法具有一些独特的优势,例如节能、环保、简易并且能够实现其原位牢固地沉积在光催化剂的表面.然而g-C3N4光生电子和空穴强还原和氧化能力容易导致像Ni^2+的还原和S^2-的氧化等副反应发生,因此NiS助剂很难光沉积在g-C3N4材料表面.本文采用硫调控的光沉积法成功合成了NiS/g-C3N4光催化材料,该法利用g-C3N4在光照条件下产生的光生电子结合S以及Ni^2+生成NiS,然后原位沉积在g-C3N4表面.由于E0(S/NiS)(0.096 V)比E0(Ni^2+/Ni)(-0.23 V)更正,所以NiS优先原位沉积在g-C3N4表面.因此,硫调控的光沉积法促进了NiS的生成,并抑制了金属Ni等副反应的形成.通过X射线光电子能谱分析NiS/g-C3N4的表面化学态,表明该方法能成功地将NiS修饰在g-C3N4的表面,这也得到透射电镜和高分辨透射电镜结果的证实.光催化产氢的结果表明,NiS/g-C3N4光催化剂实现了良好的光催化性能,其最优产氢速率(244μmol h^‒1 g^‒1)接近于1 wt%Pt/g-C3N4(316μmol h^‒1 g^‒1).这是因为硫调控的光沉积法实现NiS助剂在g-C3N4表面的修饰,从而促进光生�
- 王敏程晶晶王雪飞洪学鹍范佳杰余火根
- 关键词:NIS助剂光催化
- 一种单分散空心结构蓝色ZrO<Sub>2</Sub>材料及制备方法
- 本发明公开了一种单分散空心结构蓝色ZrO<Sub>2</Sub>材料及制备方法,该材料在自然光下呈蓝色,形貌为空心球结构,内部直径为240‑280nm,壳层厚度为20‑15nm,其尺寸分布均一,呈单分散性,壳层上分布无定...
- 姚霞喜洪学鹍胡福荣胡秀丽王旭红陈锋黄旭峰