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温亮

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇中文专利

领域

  • 4篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信

主题

  • 9篇亚阈值
  • 7篇电路
  • 7篇写操作
  • 7篇反相器
  • 5篇读操作
  • 4篇单端
  • 4篇阈值
  • 4篇阈值电平
  • 4篇拉管
  • 4篇存储器
  • 3篇电平转换
  • 3篇电平转换器
  • 3篇电压
  • 3篇转换器
  • 3篇集成电路
  • 3篇反馈环
  • 3篇放电
  • 3篇存储阵列
  • 2篇单电
  • 2篇单电压

机构

  • 17篇复旦大学

作者

  • 17篇曾晓洋
  • 17篇温亮
  • 12篇程旭
  • 12篇文海波
  • 5篇李毅

年份

  • 6篇2017
  • 2篇2016
  • 6篇2015
  • 3篇2014
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
单电压亚阈值电平转换器
本发明属于集成电路技术领域，具体为一种单电压亚阈值电平转换器。其结构包括两个串联的电平转换反相器。第一个反相器的输入与电路的输入相连，它的下拉网络由一个NMOS管组成，上拉网络由三个PMOS管构成，这三个PMOS管构成了...
温亮文海波程旭曾晓洋
双胞胎存储单元
本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种双胞胎存储单元。其单元电路包括一对结构完全相同的非对称的6管存储单元和一个共享的读晶体管；这对6管存储单元拥有不同的字线，共享一对位线和一个虚拟地结点；每个6管存储单元包含一对...
温亮文海波周可基程旭曾晓洋
亚阈值6管存储单元
本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种亚阈值6管存储单元。其单元结构包括一个反相器，一个存储PMOS管，一个电源反馈PMOS管及两个NMOS传输管。反相器与存储PMOS管交叉耦合，形成存储器的存储核心，并且它们的电...
温亮文海波周可基程旭曾晓洋
双胞胎存储单元
本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种双胞胎存储单元。其单元电路包括一对结构完全相同的非对称的6管存储单元和一个共享的读晶体管；这对6管存储单元拥有不同的字线，共享一对位线和一个虚拟地结点；每个6管存储单元包含一对...
温亮文海波周可基程旭曾晓洋
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亚阈值6管存储单元
本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种亚阈值6管存储单元。其单元结构包括一个反相器，一个存储PMOS管，一个电源反馈PMOS管及两个NMOS传输管。反相器与存储PMOS管交叉耦合，形成存储器的存储核心，并且它们的电...
温亮文海波周可基程旭曾晓洋
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双电压亚阈值电平转换器
本发明属于集成电路技术领域，具体为一种亚阈值电平转换器。其结构包括一个输入反相器，一个电平转换电路，一个输出反相器。其中输入反相器用于产生两个互补的差分输入信号；电平转换电路用于实现输入信号从低电压到高电压的电平转换，输...
温亮文海波程旭曾晓洋
抗单粒子反转的差分10管存储单元
本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种抗单粒子反转的差分10管存储单元。其单元结构包括两对交叉耦合的PMOS对、两对交叉耦合的NMOS对及一对NMOS传输管，并且含有4个互锁的存储结点。其中，第一和第二个存储结点通...
温亮文海波周可基程旭曾晓洋
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一种负位线电压产生电路
本发明属于集成电路存储器设计领域，具体为一种负位线电压产生电路。其结构包括一个耦合电容，一个负责将耦合后的电平拉回“0”的下拉管，一个负责对下拉管栅极充电的预充管和一个负责放电的放电管，及两对反相器。其中一个反相器为低偏...
温亮李毅曾晓洋
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具有位交叉功能的8管存储子阵列结构
本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种具有位交叉功能的8管存储子阵列结构。其单元结构包括一个由传统的单端8管存储单元组成的mx1子阵列、一对分别受全局列选位线WBL及其互补位线WBLB控制的PMOS电源共享管和一对...
温亮文海波周可基程旭曾晓洋
一种支持列选功能的亚阈值存储单元
本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种支持列选功能的亚阈值存储单元。该存储单元包括一交叉耦合反相器，一个由局部写字线控制的写晶体管，一个供电受列选字线控制的列选择反相器，及一个由读字线控制的读晶体管。当存储阵列进行...
温亮李毅曾晓洋
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