王泉慧
- 作品数：9 被引量：12H指数：2
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 0.5μm AlGaN/GaN HEMT及其应用被引量：5
- 2011年
- 报道了采用I线步进光刻实现的76.2 mm SiC衬底0.5μm GaN HEMT。器件正面工艺光刻均采用了I线步进光刻来实现,背面用通孔接地。栅脚介质刻蚀采用一种优化的低损伤RIE刻蚀方法实现了60°左右的侧壁倾斜角,降低了栅脚附近峰值电场强度,提高器件性能和可靠性。研制的GaN HEMT器件fT为15 GHz,fmax为24 GHz,6 GHz下的MSG为17 dB,满足C波段及以下频段应用要求。对1.25 mm栅宽GaN HEMT在2 GHz、28 V工作电压下的负载牵引,最佳功率匹配的功率附加效率66%,对应输出功率以及功率增益分别为38.0 dBm和17.3 dB。对大栅宽GaN HEMT器件的版图进行了优化以利于散热,并将其应用于输出功率60 W的L波段功率模块末级开发。
- 任春江王泉慧刘海琪王雯李忠辉孔月婵蒋浩钟世昌陈堂胜张斌
- 关键词：高电子迁移率晶体管场板
- GaN功率MMIC背面通孔工艺优化及可靠性分析被引量：1
- 2011年
- 介绍了改进GaN功率MMIC背面通孔工艺的相关方法,并对通孔进行了可靠性方面的测试与分析。通过优化机械研磨的方法,减薄圆片至75μm左右,保持片内不均匀性在4%以内;利用ICP对基于SiC衬底的GaN功率MMIC进行了背面通孔工艺的优化,减少了孔底的柱状生成物。随后的可靠性测试测得圆片通孔的平均电阻值为6.3 mΩ,平均电感值为17.2 nH;对通孔样品在0.4 A工作电流175°C节温下进行了工作寿命试验,200 h后通孔特性无明显退化。
- 刘海琪王泉慧焦刚任春江陈堂胜
- 关键词：ICP刻蚀可靠性
- 多栅砷化镓单片集成双刀双掷功率开关
- 1997年
- 陈继义蒋幼泉陈堂胜刘琳王泉慧吴禄训李祖华
- 关键词：砷化镓功率开关
- 0.15μm GaN HEMT及其应用被引量：5
- 2013年
- 报道了毫米波应用的0.15μm场板结构GaN HEMT。器件研制采用了76.2mm(3英寸)SiC衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料由MOCVD技术生长并引入了掺Fe GaN缓冲层技术以提升器件击穿电压。器件栅脚和集成了场板的栅帽均由电子束光刻实现,并采用栅挖槽技术来控制器件夹断电压。研制的2×75μm栅宽GaN HEMT在24V工作电压、35GHz频率下的负载牵引测试结果显示其输出功率密度达到了4W/mm,对应的功率增益和功率附加效率分别为5dB和35%。采用该0.15μm GaN HEMT技术进行了Ka波段GaN功率MMIC的研制,所研制的功率MMIC在24V工作电压下脉冲工作时(100μs脉宽、10%占空比),29GHz频点处饱和功率达到了10.64W。
- 任春江陶洪琪余旭明李忠辉王泉慧王雯陈堂胜张斌
- 关键词：铝镓氮氮化镓高电子迁移率晶体管场板
- 高效率GaAs/InGaAsHFET功率放大器被引量：2
- 2002年
- 研制成 Ga As/ In Ga As异质结功率 FET(HFET) ,该器件是在常规的高 -低 -高分布 Ga As MESFET的基础上 ,在有源层的尾部引入 i-In Ga As层。采用 HFET研制的两级 C波功率放大器 ,在 5 .0～ 5 .5 GHz带内 ,当Vds=5 .5 V时 ,输出功率大于 3 2 .3 1 d Bm(0 .1 77W/ mm ) ,功率增益大于 1 9.3 d B,功率附加效率 (PAE)大于3 8.7% ,PAE最大达到 49.4% ,该放大器在 Vds=9.0 V时 ,输出功率大于 3 6.65 d Bm(0 .48W/ mm) ,功率增益大于 2 1 .6d B,PAE典型值 3 5 %
- 陈堂胜杨立杰王泉慧李拂晓陈效建
- 关键词：HFET功率放大器微波场效应晶体管砷化镓铟镓砷
- 低漏电、高击穿电容的HDPCVD工艺研究
- 2013年
- 介绍了一种低漏电、高击穿电容的HDPCVD(ICPCVD)工艺,并对制备的电容进行了电性能分析和失效分析。通过优化确定了工艺的最佳反应条件,研制出的电容其击穿场强达到8.7MV/cm,在电压加到200V时其电容漏电小于0.5μA。通过与传统的PECVD工艺进行对比,充分体现了HDPCVD(ICPCVD)工艺生长介质的低温生长、低漏电、较高击穿场强、无H工艺等优点。随后的失效分析表明,电容上下电极金属对电容成品率有着很大影响。
- 刘海琪王泉慧栗锐任春江陈堂胜
- 关键词：电容
- 0.5μm GaN HEMT及其可靠性
- 文中报道了采用Ⅰ线步进光刻实现的3英寸SiC衬底0.5μm GaN HEMT及其可靠性.器件正面工艺光刻均采用了Ⅰ线步进光刻来实现,背面采用通孔接地.研制的GaN HEMT器件fT为15GHz,fm.为24GHz,6GH...
- 任春江王泉慧刘海琪王雯李忠辉孔月婵蒋浩钟世昌陈堂胜张斌
- 关键词：高电子迁移率晶体管可靠性评估
- 文献传递
- 高效率GaAs/InGaAs HFET功率放大器
- 本文报告了研制的GaAs/InGaAs异质结功率FET(HFET),该器件是在常规的高-低-高分布GaAs MESFET的基础上,在有源层的尾部引入I-InGaAs层.采用HFET研制的两级C波功率放大器,在5.0～5....
- 陈堂胜杨立杰王泉慧李拂晓陈效建
- 关键词：功率放大器工艺技术GAAS/INGAAS
- 文献传递
- AlGaN/GaN异质结构欧姆接触的研制
- 2004年
- 研究了 Ga N高温宽禁带半导体外延层上欧姆接触的制备工艺 ,讨论了几种测试方法的优缺点 ,并根据器件制作的工艺兼容性 ,在 n-Ga N样品上获得了 4× 1 0 - 6 Ω·cm2的欧姆接触 ,在 Al Ga N/Ga N异质结构样品上获得了 4× 1 0 - 4Ω· cm2 的欧姆接触。实验结果表明 ,Al Ga N/Ga N上低阻欧姆接触的制备及其工艺兼容性是Ga N
- 焦刚曹春海薛舫时杨立杰王泉慧王柏年金龙张卫红沈波周玉刚郑有炓
- 关键词：欧姆接触ALGAN/GANHFET
