罗伟科
- 作品数：7 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京大学更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学一般工业技术更多>>
- 高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法
- 本发明公开一种高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法。该方法包括如下步骤：对衬底进行预处理；第一阶段，实现应力有效释放的渐变调制——工艺参数从高质量生长条件渐变到应力释放生长条件；第二阶段，实现外延材料质量提高的渐变调制—...
- 杜彦浩吴洁君张国义于彤军杨志坚康香宁贾传宇孙永健罗伟科刘鹏
- 自支撑GaN衬底的HVPE生长特性研究
- GaN基半导体器件发展迅速并且拥有广阔的市场前景。但是,由于受异质外延技术的限制,器件性能的进一步提高变得十分困难,特别是高亮度的白光LED、蓝光LD以及大功率、高频的功率器件急需发展同质外延技术以降低有源层缺陷密度和提...
- 罗伟科
- 关键词：半导体器件
- 高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法
- 本发明公开一种高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法。该方法包括如下步骤：对衬底进行预处理；第一阶段，实现应力有效释放的渐变调制——工艺参数从高质量生长条件渐变到应力释放生长条件；第二阶段，实现外延材料质量提高的渐变调制—...
- 杜彦浩吴洁君张国义于彤军杨志坚康香宁贾传宇孙永健罗伟科刘鹏
- 文献传递
- HVPE异质外延GaN的函数控制方法研究
- 2012年
- 提出新的生长控制方式"函数控制方法"并将其应用到HVPE异质外延GaN中。函数控制方法是指外延生长参数随时间按照特定函数变化来实现生长控制的方式。采用函数控制方法设计了两个实验方案,解决了HVPE获得GaN衬底面临的两个主要问题。1)异质外延高质量无裂纹GaN厚膜的实验方案:生长条件按照渐变函数变化保证了外延材料质量的稳定性和应力释放的均匀性,生长条件按照周期函数变化将材料的厚膜外延问题转化为薄膜外延问题。2)GaN厚膜的自分离实验方案:生长条件按照跃变函数变化实现了在外延材料特定位置形成弱连接层,生长条件按照渐变函数变化实现了弱连接层两侧出现较大应力差,这种应力差在生长结束后的降温过程中得到进一步放大,进而实现外延材料在弱连接层处的自分离。结合以上两个实验方案,成功获得无色透明表面平整光滑1 mm厚的高质量GaN衬底,证明了函数控制方法的有效性。借助于生长参数规律化的函数变化,函数控制方法建立了材料性质和数学函数之间的对应和联系,丰富和发展了材料的生长控制方式。
- 杜彦浩罗伟科吴洁君John Goldsmith韩彤杨志坚于彤军张国义
- 关键词：GANHVPE
- 基于外延材料应力控制的GaN厚膜自分离方法
- 本发明公开了一种基于外延材料应力控制的GaN厚膜自分离方法。本发明包括如下步骤：对衬底材料进行预处理；在衬底上生长外延材料，工艺条件渐变调制，实现外延材料的应力逐渐集中到预定自分离的位置；在外延材料的厚度达到预定自分离的...
- 张国义吴洁君杜彦浩于彤军杨志坚康香宁贾传宇孙永健罗伟科刘鹏
- 文献传递
- 基于外延材料应力控制的GaN厚膜自分离方法
- 本发明公开了一种基于外延材料应力控制的GaN厚膜自分离方法。本发明包括如下步骤：对衬底材料进行预处理；在衬底上生长外延材料，工艺条件渐变调制，实现外延材料的应力逐渐集中到预定自分离的位置；在外延材料的厚度达到预定自分离的...
- 张国义吴洁君杜彦浩于彤军杨志坚康香宁贾传宇孙永健罗伟科刘鹏
- 一种通过表面改性自分离制备氮化镓单晶衬底的方法
- 本发明公开了一种通过表面改性自分离制备氮化镓单晶衬底的方法，属于光电技术领域。该方法利用衬底表面改性技术和应力控制的方法，使GaN单晶和异质衬底之间形成弱连接，使GaN厚膜在降温过程中从界面处自动分离，同时保证异质衬底表...
- 吴洁君张国义罗伟科于彤军康香宁杨志坚
- 文献传递
