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范红玉

作品数:9 被引量:16H指数:2
供职机构:大连民族学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金辽宁省大学生创新创业训练计划项目辽宁省教育厅高等学校科学研究项目更多>>
相关领域:理学核科学技术一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 4篇理学
  • 3篇核科学技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇辐照损伤
  • 3篇HE
  • 2篇多模式
  • 2篇扫描探针显微...
  • 2篇碳化硅
  • 2篇辐照
  • 1篇导电
  • 1篇等离子
  • 1篇等离子体
  • 1篇低能
  • 1篇压痕
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇数值模拟
  • 1篇数值模拟研究
  • 1篇碳化钨
  • 1篇微等离子体
  • 1篇微放电
  • 1篇离子辐照
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米压痕

机构

  • 9篇大连民族学院
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇辽宁师范大学

作者

  • 9篇范红玉
  • 5篇牛金海
  • 5篇刘东平
  • 3篇王研
  • 2篇杨杞
  • 2篇袁凯
  • 2篇李月
  • 2篇刘纯洁
  • 1篇孙莉
  • 1篇宋颖
  • 1篇倪维元
  • 1篇李梦轲
  • 1篇杨德明
  • 1篇白志平
  • 1篇赵晨旭
  • 1篇王翔

传媒

  • 3篇核技术
  • 3篇第十六届全国...
  • 1篇功能材料
  • 1篇大连民族学院...

年份

  • 4篇2014
  • 5篇2013
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
辐照温度对钨材料表面微结构的影响被引量:7
2014年
本文采用100 eV的He+对钨进行辐照实验,考察了辐照温度变化(室温-800°C)对钨材料的表面损伤作用。分别采用扫描电镜(Scanning Electron Microscope,SEM)、透射电镜(Transmission Electron Microscope,TEM)、导电原子力显微镜(Conductive Atomic Force Microscopy,CAFM)以及X射线衍射(X Ray Diffraction,XRD)技术对辐照后样品的微观形貌、内表面缺陷分布以及晶格结构进行了分析。结果表明,He+辐照后钨样品表面出现了纳米绒毛结构层,这种结构层组织间的间距及覆盖率都随辐照温度的增加而增加。纳米结构层会造成样品表面损伤,产生表面离域化,但不会引起钨晶相的改变。通过无损伤的CAFM检测技术证实了样品表面绒毛结构层的形成与样品内表面纳米尺寸He泡的形成有关。
安泰岩范红玉王研王翔李月
关键词:辐照损伤
基于多模式扫描探针显微镜技术研究碳化硅的离子辐照损伤
<正>碳化硅材料的宽禁带、高热导率、高饱和电子速度,高击穿电场等特性决定了碳化硅器件可以在高温、大功率、强辐照场等极端恶劣的条件下工作,在聚变反应堆第一壁或偏滤器靶板上具有很大的应用潜力,因此研究碳化硅材料的辐照损伤特性...
范红玉杨杞杨德明牛金海倪维元刘东平
文献传递
大气压氦气微放电实验及数值模拟研究
光纤微等离子体放电可以广泛的用于材料改性、生物医疗等多个领域。我们前期已进行了一系列的光纤微管放电实验研究,包括射频源功率、频率等参数对Ar,He,或空气放电的调制行为以及毛细微管孔径的影响效应等。而本工作将基于实验操作...
季龙飞毕振华牛金海范红玉刘东平
文献传递
He离子辐照碳化钨样品的实验研究被引量:1
2014年
采用能量为100 keV的He离子辐照多晶碳化钨样品,He离子的辐照剂量为1.0×1017ions·cm-2,辐照温度从室温变化到600℃。通过SRIM软件模拟了离子的注入深度,利用导电式原子力显微镜(CAFM)分析了多晶碳化钨样品在He离子辐照条件下微观结构的演化。结果表明,He离子辐照会导致多晶碳化钨样品形成He泡,从而使样品表面发生肿胀。
杨杞刘东平范红玉刘纯洁袁凯
关键词:辐照损伤
大气压氦气条件下空心光纤微等离子体特性
<正>我们在大气压条件下,通过气体质量流量计在内径100μm、500μm、700μm、1500μm、2000μm的空心光纤中添加高纯He(流量是60sccm)产生微等离子体,在空心光纤的两端连接频率9kHz,电压峰峰值0...
季龙飞毕振华牛金海范红玉刘东平
文献传递
大气压等离子体刷放电的应用研究
<正>在这项研究中,我们设计了一种便携式等离子体发生装置,这种装置在大气压下能够产生稳定的、刷形的空气放电。这种室温空气等离子体羽流由有序的和稳定的微等离子体射流组成,这种射流是在大气压下在中空光纤管末端附近形成的。在此...
倪维元刘东平季龙飞宋颖范红玉牛金海
文献传递
低能大流强氦离子辐照对钼的表面损伤作用被引量:2
2014年
钼(Mo)材料被作为托卡马克装置中面向等离子体材料的候选材料被广泛研究,因此研究钼材料的辐照损伤行为对于认识聚变堆关键材料的辐照损伤机制具有重要意义。采用低能(100 e V)、大流强(约1021 ions·m-2·s-1)He+在600 oC对钼样品进行辐照实验,考察了离子辐照剂量和退火温度变化对钼材料的表面损伤作用。分别采用扫描电镜(Scanning Electron Microscope,SEM)和无损伤的导电原子力显微镜(Conductive Atomic Force Microscopy,CAFM)检测技术对辐照前后样品的微观形貌、微结构演化以及内表面缺陷分布等进行了对比研究。结果表明,He+辐照会诱导钼样品晶粒尺寸的增加,钼材料表面的晶粒取向会影响辐照缺陷的分布。这对于探索抑制材料辐照损伤的新方法具有重要的指导意义。
王研范红玉吕梦尧周耿仟关延民牛金海
关键词:
基于多模式扫描探针显微镜技术分析碳化硅的辐照损伤被引量:6
2014年
本文在600℃对6H-SiC进行了He^+辐照实验,离子辐照能量为100 keV,剂量为5×10^(15)ions·cm^(-2)、1×10^(16)ions.cm^(-2)、3×10^(16)ions.cm^(-2)和8×10^(16)ions·cm^(-2)。本文采用多模式扫描探针显微镜技术,包括轻敲模式原子力显微镜、纳米压痕/划痕和导电模式原子力显微镜技术对样品辐照前后的表面损伤进行了分析。结果表明,随辐照剂量的增加,样品表面粗糙度逐渐增加,表面硬度逐渐下降。导电模式原子力显微镜能清晰地观测到样品表面氮泡分布形态,进一步说明材料表面的肿胀是由材料内部高压氮泡产生的。
白志平范红玉袁凯刘纯洁安泰岩王研赵晨旭李月
关键词:碳化硅辐照损伤
He^+辐照对非晶碳氢薄膜表面硬度的影响被引量:1
2013年
在室温下,利用等离子体增强的化学气相沉积法(PECVD)在硅衬底上制备了非晶碳氢薄膜。采用100keV,剂量分别为1.0×1015、5.0×1015、5.0×1016和1.0×1017ions/cm2的He离子(He+)对非晶碳氢薄膜进行辐照实验。通过基于原子力显微镜(AFM)的纳米压痕和纳米划痕技术,对He+辐照前后碳氢薄膜的表面硬度进行分析。结果表明,经He+辐照后碳氢薄膜的表面硬度明显增加,并且随着He+辐照剂量增加,碳氢薄膜的表面硬度呈逐渐增加的趋势。傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和拉曼光谱分析表明,He+辐照会导致碳氢薄膜中sp2C键含量明显增加,而sp3C键及H原子的含量明显降低,这可能是引起碳氢薄膜硬度变化的主要原因。
孙莉范红玉李梦轲刘东平杨德明杨杞牛金海
关键词:辐照纳米压痕
共1页<1>
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