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许迈昌

作品数:14 被引量:6H指数:2
供职机构:湖南工程学院理学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金湖南省教育厅科研基金教育部重点实验室开放基金更多>>
相关领域:理学机械工程电子电信文化科学更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 11篇理学
  • 6篇机械工程
  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇社会学
  • 1篇文化科学

主题

  • 5篇量子
  • 4篇原子
  • 3篇涨落
  • 3篇量子涨落
  • 3篇介观电路
  • 3篇耗散
  • 2篇依赖强度耦合
  • 2篇原子布居
  • 2篇真空态
  • 2篇双原子
  • 2篇算符
  • 2篇耦合双原子
  • 2篇相关度
  • 2篇量子化
  • 2篇光子
  • 2篇J-C模型
  • 2篇布居
  • 2篇场熵
  • 1篇电磁学
  • 1篇电路

机构

  • 10篇湖南工程学院
  • 1篇郴州师范高等...
  • 1篇湘潭大学
  • 1篇湖南科技大学

作者

  • 14篇许迈昌
  • 4篇李光辉
  • 2篇容青艳
  • 2篇陈世清
  • 1篇李玉琮
  • 1篇姚敏
  • 1篇王艳辉
  • 1篇朱星星
  • 1篇颜晓红
  • 1篇邓永和

传媒

  • 3篇纺织高校基础...
  • 3篇湖南工程学院...
  • 1篇湘潭师范学院...
  • 1篇湘潭大学自然...
  • 1篇物理与工程
  • 1篇量子光学学报
  • 1篇电子产品可靠...
  • 1篇湖南纺织高等...
  • 1篇长沙大学学报
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2010
  • 3篇2006
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 3篇2001
  • 1篇2000
  • 2篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
角动量求迹问题的研究
1995年
运用角动量的耦合玻色表示,对角动量分量J_z、J_y、J_z进行了求迹研究,在一定条件下得到一些新的关系式.
许迈昌
关键词:角动量
相位算符的求迹研究被引量:1
1997年
本文对有限维Pegg—Barnett相让算符进行了求迹研究,得到了一些新的有用的关系式。
许迈昌
关键词:相位算符
多普勒频移的一种讨论方法被引量:2
2002年
介绍了一种新的讨论多普勒频移的方法
李光辉许迈昌朱星星王冬青
关键词:相对论变换多普勒频移振动频率
耦合双原子与真空态场相互作用系统中原子布居相关度研究
<正>J-C模型是光与原子作用的最简洁和最重要的模型。自提出以来,人们对其进行了广泛和深入的研究,取得了许多研究成果,如原子的布居特性,原子的偶极压缩特性,光场的相关特性,光场的压缩特性,光场的熵特性和熵压缩等,有力推动...
许迈昌容青艳
文献传递
与纠缠原子作用的二项式光场的量子信息保真度被引量:1
2006年
应用全量子理论研究了初始处于纠缠态双原子与二项式光场共振相互作用的光场量子信息保真度.采用数值计算方法,讨论了原子纠缠度、二项式光场参量和相互作用时间对保真度的影响.结果表明:选取恰当的初始原子纠缠参量和初始二项式光场参量,以及控制好相互作用时间,可以获得光场的高保真输出.
许迈昌
关键词:二项式光场纠缠态原子保真度量子信息
依赖强度耦合多光子J—C模型的场熵
1996年
研究了依赖强度耦合多光子J—C模型的演化算符,约化密度算符及其场熵特性。
许迈昌
关键词:光子J-C模型场熵演化算符约化密度算符
无耗散介观含源LC电路中电流和电压的量子涨落
2001年
通过引入一对随电源、电压变化的实正则变量 x =v/ω,p =I/ω,对无耗散介观含源 L C电路体系进行了量子化处理 ,研究了体系处在任一本征态时电流、电压的量子涨落 .得到体系处在任一本征态时 ,电流、电压的量子涨落只与体系所处状态、线圈的自感系数、电容器的电容等有关 ,与电源的电动势无关 ;当电流 (电压 )的量子涨落增大时 ,电压(电流 )的涨落会减小 .在设计微小电路时 ,应通过使体系免受频率为ω的电路或电波作用以降低噪声的影响 .
李光辉许迈昌陈世清
关键词:介观电路量子化量子涨落本征态
平移压缩Fock态下无耗散介观LC电路的量子涨落
2001年
从无耗散介观LC电路体系的经典运动方程出发 ,研究了体系处在平移压缩Fock态时电流、电压的量子涨落 ,结果表明 :量子涨落大小只依赖于其中器件参数和压缩参量 ,而与平移参量无关。
李光辉朱星星许迈昌
关键词:介观电路量子涨落
q形变位相正交算符的迹特性
2000年
研究了q形变位相正交算符的迹,讨论了q参数对迹的影响。
许迈昌
关键词:量子力学电磁学光学
硅加速度传感器芯片的优化设计研究
2003年
介绍了最新设计的双E型硅传感器芯片的结构及其形成工艺。通过控制不同的敏感硅芯片弹性膜的 厚度,即可制得不同量程的双E型敏感硅芯片和加速度传感器。
邓永和李玉琮许迈昌
关键词:硅芯片加速度传感器优化设计
共2页<12>
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