赵德胜
- 作品数：25 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金苏州市科技发展计划江苏省博士后科研资助计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学理学机械工程更多>>
- 一种蓝宝石图形化衬底制备方法
- 本发明提供的蓝宝石图形化衬底的制备方法，通过在所述蓝宝石衬底上旋涂一层光刻胶，并对带有光刻胶的蓝宝石衬底进行前烘处理后，在所述光刻胶上分别形成亚微米结构且相互垂直的第一光栅图形及第二光栅图形，再对经上述步骤处理后蓝宝石衬...
- 赵德胜黄宏娟王敏锐张宝顺
- 文献传递
- 用于3D集成的精细节距Cu/Sn微凸点倒装芯片互连工艺研究被引量：4
- 2021年
- 芯片异构集成的节距不断缩小至10μm及以下,焊料外扩、桥联成为焊料微凸点互连工艺的主要技术问题。通过对微凸点节距为8μm的Cu/Sn固液扩散键合的工艺研究,探索精细节距焊料微凸点互连工艺存在的问题,分析Cu/Sn微凸点键合界面金属间的化合物,实现了精细节距和高质量的Cu/Sn微凸点互连,获得了节距为8μm、微凸点数为1900个、总面积为3 mm×3 mm的不均匀微凸点阵列,该阵列互连对准误差小于0.5μm,含有200个微凸点菊花链结构的电学导通。
- 黄宏娟赵德胜龚亚飞张晓东时文华张宝顺
- 关键词：倒装芯片
- 场发射器件及其制作方法
- 本发明公开了一种场发射器件，包括叠层设置的衬底和缓冲层；缓冲层上设置有发射极层，发射极层包括依次叠层设置的第一半导体层和第二半导体层；缓冲层上还设置有使发射极层嵌入其中的离子注入层，离子注入层具有一缺口，以使发射极层的发...
- 赵德胜黄宏娟曾中明张宝顺
- 文献传递
- 一种铟柱的制备方法、红外焦平面阵列探测器
- 本发明公开了一种铟柱及其制备方法，所述制备方法包括：A、在芯片(10)上涂布光刻胶层(20)；B、在光刻胶层(20)上形成沉积孔(21)；C、依次沉积金属和铟，在光刻胶层(20)上依次形成底金属层(30)和铟层(41)，...
- 黄宏娟赵德胜张宝顺
- 文献传递
- 一种场发射器件及其制作方法
- 本发明公开一种场发射器件，其包括衬底、设置在衬底上的缓冲层、分别设置在缓冲层两端的发射极层和集电极层、分别设置在发射极层和集电极层上的金属电极层，其中，发射极层与集电极层之间具有沟道。本发明还公开一种场发射器件的制作方法...
- 赵德胜张宝顺
- 文献传递
- 一种场发射器件及其制作方法
- 本发明公开一种场发射器件，其包括衬底、设置在衬底上的缓冲层、分别设置在缓冲层两端的发射极层和集电极层、分别设置在发射极层和集电极层上的金属电极层，其中，发射极层与集电极层之间具有沟道。本发明还公开一种场发射器件的制作方法...
- 赵德胜张宝顺
- 文献传递
- AlGaN/GaN HEMT漂移区动态电阻分析
- AlGaN/GaN HEMT适合应用于高压大功率器件,但在高电压动态使用时,存在导通电阻增加的现象.目前可以有效降低动态导通电阻的方法有:场板结构和AlN介质层等.本论文采用叠层双栅结构AlGaN/GaN HEMT器件,...
- 于国浩蔡勇王越赵德胜曾春红侯克玉董志华张宝顺
- 关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓动态电阻
- 文献传递
- 一种解理装置
- 本发明涉及半导体制备技术，尤其是提供一种解理装置，用于将半导体巴条解理为若干个芯片，其包括：一负压源，以及，一吸附腔体，通过一连接管与所述负压源连接；所述吸附腔体包括第一上盖和第二上盖，所述第一上盖与所述第二上盖成一夹角...
- 黄宏娟赵德胜张宝顺
- 文献传递
- 一种样品架
- 本发明公开了一种样品架，包括用于承载样品的样品放置架、用于调节样品表面的一选定点与蒸发源距离的距离调节机构、以及用于调节蒸发源的表面法线与蒸发源和样品表面的一选定点的连线之间的夹角的角度调节机构。距离调节机构经一中空固定...
- 赵德胜张永红黄宏娟张宝顺
- 文献传递
- 场发射器件及其制作方法
- 本发明公开一种场发射器件，包括衬底、设置在所述衬底上的缓冲层、分别设置在所述缓冲层两端的发射极层和金属集电极层、分别设置在所述发射极层和所述金属集电极层上的电极层，其中，所述发射极层与所述金属集电极层之间具有沟道。本发明...
- 赵德胜黄宏娟张宝顺
- 文献传递
