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邹军

作品数:48 被引量:62H指数:5
供职机构:中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
发文基金:中国科学院“百人计划”国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学化学工程电子电信更多>>

文献类型

  • 25篇期刊文章
  • 21篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 24篇理学
  • 4篇化学工程
  • 4篇电子电信

主题

  • 17篇衬底
  • 16篇晶体
  • 12篇提拉法
  • 9篇晶片
  • 7篇晶体生长
  • 6篇气相
  • 6篇蓝宝
  • 6篇光谱
  • 5篇退火
  • 5篇芯片
  • 5篇
  • 5篇大尺寸
  • 5篇ZNO薄膜
  • 4篇单晶
  • 4篇坩埚
  • 4篇蓝宝石
  • 4篇非极性
  • 4篇复合衬底
  • 4篇GAN
  • 3篇氮化

机构

  • 48篇中国科学院上...
  • 6篇南京大学
  • 2篇上海师范大学
  • 1篇华东理工大学
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 48篇邹军
  • 46篇周圣明
  • 33篇徐军
  • 23篇彭观良
  • 22篇李抒智
  • 19篇周国清
  • 14篇杨卫桥
  • 13篇王军
  • 12篇黄涛华
  • 12篇王银珍
  • 11篇周健华
  • 10篇张连翰
  • 7篇庄漪
  • 6篇刘世良
  • 6篇蒋成勇
  • 6篇张荣
  • 6篇张俊计
  • 5篇宋词
  • 5篇杭寅
  • 4篇刘士良

传媒

  • 15篇人工晶体学报
  • 4篇物理学报
  • 2篇无机材料学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇光学学报
  • 1篇中国科学(E...

年份

  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 8篇2007
  • 13篇2006
  • 14篇2005
  • 9篇2004
48 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
色心蓝宝石衬底的制备方法
蒋成勇徐军周圣明杨卫桥周国清王银珍彭观良邹军刘士良张俊计邓佩珍
该项目通过辐照使蓝宝石衬底划片处产生较高浓度的F类色心,有利于划片时提高划痕质量和划片效率;此外辐照过程可以多个样品同时进行,有利于大批量生产。
关键词:
关键词:中子辐照划片
铝酸锂晶体生长及其上宽禁带半导体薄膜制备研究
邹军
关键词:ZNO薄膜MOCVD
非极性GaN薄膜及其衬底材料被引量:6
2006年
本文分析了在不同衬底上生长无极性GaN薄膜的情况,这些衬底主要包括-γL iA lO2、r面蓝宝石等。通常在蓝宝石上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的,而c轴是GaN的极性轴,导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场,发光效率会因此降低,发展非极性面外延,有望克服这一物理现象,使发光效率提高。
周健华周圣明邹军黄涛华徐军谢自力韩平张荣
退火处理对ZnO薄膜发光特性的影响被引量:8
2005年
用脉冲激光沉积法(PLD)在MgO(100)、α Al2O3 (0001)和MgAl2O4 (111)衬底上沉积了ZnO薄膜,测量了它们的发射光谱,观察到 430nm的蓝光发射,并研究了退火、衬底和激发波长对ZnO薄膜这一蓝光发射的影响。指出ZnO薄膜中 430nm的蓝光发射是由锌填隙原子缺陷能级到价带顶能级间的跃迁以及电子从氧空位浅施主能级到价带顶能级间的跃迁两种机理共同作用的结果。在MgO衬底上沉积的ZnO薄膜在 350nm光激发下蓝光发射峰最强。
苏凤莲彭观良邹军宋词杭寅徐军周圣明
关键词:蓝光发射ZNO薄膜价带激发波长脉冲激光沉积法发光特性
铝酸锂晶片上生长非极性GaN厚膜的方法
一种在铝酸锂晶片上制备非极性GaN厚膜的方法,包括:方法一:用(302)面γ-LiAlO<Sub>2</Sub>作为衬底,用氢化物气相外延方法制备面(110)面GaN厚膜。方法二:用(302)面γ-LiAlO<Sub>...
周圣明黄涛华邹军李抒智周健华王军
文献传递
铝酸锂晶片上生长非极性GaN厚膜的方法
一种在铝酸锂晶片上制备非极性GaN厚膜的方法,包括:方法一:用(302)面γ-LiAlO<Sub>2</Sub>作为衬底,用氢化物气相外延方法制备面(<Image file="200610027647.9_AB_0.GI...
周圣明黄涛华邹军李抒智周健华王军
文献传递
γ-LiAlO_2晶体的退火研究被引量:9
2004年
利用温度梯度法生长出了透明的γ LiAlO2 单晶 ,通过扫描电镜和X射线薄膜衍射分析了不同退火气氛对所切得的 ( 0 0 1 )晶片表面结构的影响。结果表明 :1 1 0 0℃ / 70h空气和真空中的退火处理使γ LiAlO2 晶片表层变成LiAl5O8多晶 ,而同温度富锂气氛退火可以有效地抑制锂的挥发 。
邹军彭观良陈俊华钱晓波李抒智杨卫桥周国清徐军周圣明
关键词:温度梯度法晶体质量晶格单晶多晶
晶格匹配氮化镓和氧化锌基外延薄膜衬底材料ScAlMgO_4晶体生长研究被引量:1
2007年
采用提拉法成功生长了氮化镓和氧化锌基外延薄膜晶格匹配的ScA lMgO4单晶衬底材料,晶体呈透明白色,尺寸为30mm×59mm,表面部分沿解理面有裂纹。粉末X射线衍射(XRD)分析表明经1400℃固相反应烧结的原料基本合成了ScA lMgO4多晶相。初步的偏光显微镜观察、晶体的粉末XRD表征、透过光谱和双晶摇摆测试表明晶体具有较好的光学性质和结晶质量。研究表明晶体本身的层状结构、较大的温度梯度和热应力的不均匀性是生长过程中引起晶体开裂的几个主要原因。
唐慧丽董永军徐军赵志伟吴锋邹军周国清
关键词:衬底晶格匹配晶体生长提拉法
蓝宝石基氮化物芯片减薄划片的方法
一种蓝宝石基氮化物芯片的减薄划片方法,包括下列步骤:成对地将蓝宝石基氮化物芯片贴成氮化物芯片夹心饼;将氮化物芯片夹心饼送入铂金坩埚并置于或悬于铂金丝上,在该坩埚内,放置带气孔的γ-LiAlO<Sub>2</Sub>和Li...
徐军彭观良周圣明周国清蒋成勇王海丽李抒智赵广军张俊计刘军芳邹军王银珍吴锋庄漪
文献传递
提拉法生长大尺寸γ-LiAlO_2单晶的研究(英文)
2005年
由于与GaN晶格失配小(约1. 4% ),γLiAlO2 单晶有望成为一种很有希望的GaN外延衬底材料。本文使用提拉法生长出了尺寸达45×50mm3 的γLiAlO2 单晶。对该晶体毛坯的各个有代表性的位置作了X射线粉末衍射(XRPD)分析,结果表明仅仅在晶体毛坯的底部生成了一种缺锂相(LiAl5O8 )。γLiAlO2 晶体化学稳定性差,在室温时轻微水解。当在空气中于1100℃退火70h,γLiAlO2 晶体挥发出锂组分,在表面产生缺锂相(LiAl5O8 )。值得注意的是,在γLiAlO2 晶体的红外光谱区不存在氢氧根吸收带。
彭观良邹军庄漪张涟翰周国清周圣明徐军干福熹
关键词:提拉法晶体化学稳定性
共5页<12345>
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