郑卫民
- 作品数：11 被引量：5H指数：1
- 供职机构：山东大学（威海）更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- GaAs/AlAs量子阱中受主束缚能和光致发光被引量：3
- 2008年
- 从实验和理论上，研究了量子限制效应对GaAs／AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响。实验中所用的样品是通过分子束外延生长的一系列GaAs／AlAs多量子阱，量子阱宽度为3—20nm，并且在量子阱中央进行了浅受主Be原子的δ-掺杂。在4，20，40，80，120K不同温度下，分别对上述样品进行了光致发光谱测量，观察到了受主束缚激子从基态到激发态的两空穴跃迁，并且从实验上测得了在不同量子阱宽度下受主的束缚能。理论上应用量子力学中的变分原理，数值计算了受主对重空穴束缚能随量子阱宽度的变化关系，比较发现，理论计算和实验结果符合地较好。
- 郑卫民吕英波宋淑梅王爱芳陶琳
- 关键词：量子限制效应光致发光谱
- δ掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的拉曼光谱被引量：1
- 2014年
- 通过显微拉曼(Raman)光谱仪,对一系列δ掺杂GaAs/AlAs量子阱中浅受主铍(Be)原子能级间跃迁进行了研究.实验样品是利用分子束外延技术生长在GaAs衬底(100)面上的GaAs/AlAs多量子阱,阱宽范围从30到200 A,并在阱中央进行了受主Be原子的δ掺杂.在4.2 K液氦温度下,对样品进行了Raman光谱测量,并与光致发光(PL)光谱进行了对比,清楚地观测到了受主原子从基态能级1S_(3/2)(Γ_6)到第一激发态能级2S_(3/2)(Γ_6)之间的跃迁.根据量子力学中的变分原理和打靶法算法,计算了量子阱中类氢受主Be原子1 s到2 s能级间跃迁能量,并和实验结果进行了比较.计算结果表明,受主1 s到2 s能级间跃迁的能量随量子阱宽度减小而单调增加,并且与实验结果符合较好.
- 黄海北郑卫民丛伟艳孟祥艳翟剑波
- 关键词：拉曼光谱多量子阱打靶法
- 量子限制效应对限制在多量子阱中受主束缚能的影响
- 2008年
- 从实验和理论上,研究了量子限制效应对限制在GaAs/AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的一系列GaAs/AlAs多量子阱,量子阱宽度从3nm到20nm,并且在量子阱中央进行了浅受主铍(Be)原子的δ掺杂.在4,20,40,80和120K不同温度下,分别对上述系列样品进行了光致发光谱(PL)的测量,清楚地观察到了受主束缚激子从1s3/2(Γ6)基态到同种宇称2s3/2(Γ6)激发态的两空穴跃迁,并且从实验上测得了在不同量子阱宽度下受主的束缚能.理论上应用量子力学中的变分原理,数值计算了受主对重空穴束缚能随量子阱宽度的变化关系,比较发现理论计算和实验结果符合较好.
- 郑卫民宋淑梅吕英波王爱芳陶琳
- 关键词：量子限制效应Δ掺杂光致发光谱
- δ-搀杂GaAs/AlAs多量子阱中铍受主远红外吸收研究
- 2007年
- 报道了在GaAs中均匀搀杂和一系列GaAs/AlAs多量子阱中δ-搀杂浅受主杂质铍(Be)原子带内跃迁的远红外吸收研究.在4.2K温度下实验测量的远红外吸收谱中清楚地观察到了三条主要的浅受主带内跃迁吸收线,它们分别来源于铍受主基态到它的三个奇宇称激发态的跃迁.应用变分原理,我们计算了量子限制铍受主2p激发态到1s基态跃迁能量随量子阱宽度的变化关系.通过比较发现,2pz→1s跃迁能量理论计算符合类-D吸收线的实验结果.
- 郑卫民M. P. HALSALLP. HARRISONM. J. STEER
- 量子限制受主远红外电致发光器件的制备与测量
- 2010年
- 采用分子束外延技术生长GaAs/AlAs三量子阱,并在中间的GaAs阱中δ-掺杂浅受主杂质Be原子,制作出量子限制受主远红外Teraherz原型电致发光器件.实验上测量得到4.5K时器件的电致发光谱(EL)和电传输特性(I-V曲线).在EL发射谱中清楚地观察到222cm-1处宽的尖峰,这来源于Be受主奇宇称激发态到其基态的辐射跃迁,而非辐射弛豫过程则使发射谱的信号很弱.另外在I-V曲线中0.72和1.86V的位置出现两个共振隧道贯穿现象,分别对应于中间δ-掺杂量子阱受主能级1s3/2(Γ6+Γ7)到左边非掺GaAs量子阱中HH带,及右边非掺杂GaAs量子阱中HH重空穴带到中间掺杂GaAs量子阱中Be受主杂质原子奇宇称激发态2p5/2(Γ6+Γ7)能级的共振隧穿.
- 刘静郑卫民宋迎新初宁宁李素梅丛伟艳
- 关键词：量子限制效应电致发光
- 量子阱中Be受主的光致发光(英文)
- 2008年
- 报道了掺杂在GaAs体材料中和δ掺杂在一系列GaAs/AlAs多量子阱中的Be受主带间跃迁的光致发光.实验所用样品,GaAs体材料中均匀掺杂Be受主的外延单层和一系列量子阱宽度从3到20nm,并在量子阱中央进行了Be受主δ掺杂的GaAs/AlAs多量子阱样品都是通过分子束外延技术制备的.在4,20,40,80及120K不同温度下,分别对上述样品进行了光致发光谱的测量,清楚地观察到了受主束缚激子从1S3/2(Γ6)基态到同种宇称2S3/2(Γ6)激发态的两空穴跃迁,并从实验上得到了不同量子阱宽度下Be受主从1S3/2(Γ6)到2S3/2(Γ6)态的带间跃迁能量.理论上利用变分原理,在单带有效质量模型和包络函数近似下,数值计算了Be受主1S3/2(Γ6)→2S3/2(Γ6)的跃迁能量随量子阱宽度的变化关系,比较发现理论计算和实验结果符合较好.
- 郑卫民李素梅吕英波王爱芳吴爱玲
- 关键词：Δ掺杂多量子阱光致发光
- 量子限制受主的光致发光研究
- 2009年
- 对一系列δ掺杂浅受主铍(Be)原子的GaAs/AlAs多量子阱和均匀掺杂Be受主的GaAs体材料中Be原子的能级间跃迁进行了光致发光(PL)研究.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的均匀掺杂Be受主的GaAs外延单层样品和一系列GaAs/AlAs多量子阱样品,并在每量子阱中央进行了Be原子的δ掺杂,量子阱宽度为30到200.在4.2 K温度下测量了上述系列样品的光致发光谱,清楚地观察到了束缚激子的受主从基态1s3/2(Γ6)到第一激发态2s3/2(Γ6)的两空穴跃迁.应用变分原理,计算了量子限制Be受主从2s到1s跃迁能量随量子阱宽度的变化关系.研究发现受主跃迁能量随量子阱宽度的变窄而增加,并且实验结果和理论计算符合较好.
- 李素梅宋淑梅吕英波王爱芳吴爱玲郑卫民
- 关键词：光致发光多量子阱Δ掺杂
- 量子限制效应对δ掺杂GaAs/AlAs多量子阱中铍受主态寿命的影响
- 2009年
- 采用远红外时间分辨光谱,研究了量子限制效应对δ掺杂在GaAs/AlAs多量子阱中铍(Be)受主态寿命的影响.在低温下的远红外吸收谱中,清楚地观察到了三条主要吸收线,它们分别来源于铍受主从基态到它的三个奇宇称激发态的跃迁.实验结果表明:随着量子限制效应的增强,受主激发态寿命而减少,实验测得体材料中Be受主2p激发态的寿命是350 ps,而阱宽10 nm的多量子阱中的寿命是55 ps.量子限制效应对布里渊区折叠声学声子模的影响增强了受主带内空穴与声学声子相互作用,从而加快了受主带内空穴的弛豫过程.
- 宋迎新郑卫民刘静初宁宁李素梅
- 关键词：量子限制效应时间分辨光谱Δ掺杂
- 基于量子限制的受主带间跃迁太赫兹探测器的制备与测量被引量：1
- 2014年
- 使用分子束外延生长设备,在GaAs(100)衬底上生长了量子阱宽度为3 nm的GaAs/AlAs多量子阱样品,并在量子阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。根据量子限制受主从束缚态到非束缚态之间的跃迁,设计并制备了δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱太赫兹光探测器原型器件。在4.2 K温度下,分别对器件进行了太赫兹光电流谱和暗电流-电压曲线的测量。在6 V直流偏压下,空穴载流子沿量子阱层方向输运。当正入射激光频率为6.8 THz时,器件响应率为2×10-4V/W(2μA/W)。通过器件的暗电流-电压曲线计算了器件全散粒噪声电流,在4.2 K、6 V直流偏压下,全散粒噪声电流为5.03 fA·Hz-1/2。
- 翟剑波黄海北李素梅丛伟艳郑卫民
- GaAs/AlAs量子阱中受主束缚能光致发光的研究
- 当前,人们对量子限制浅杂质原子带间跃迁的研究一直受到重视,这是由于它所展示的物理现象和在光电子领域方面具有广泛的应用前景,譬如：远红外探测器、Teraherz 固体光器、超快单电子器件等。把杂质原子(施主或受主)搀杂到 ...
- 郑卫民宋淑梅吕英波王爱芳陶琳
- 文献传递
