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郑立荣

作品数：18 被引量：48H指数：4
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划上海市自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇中文期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 9篇电气工程
  • 9篇一般工业技术
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 17篇铁电
  • 16篇铁电薄膜
  • 8篇脉冲激光
  • 8篇脉冲激光沉积
  • 5篇SRBI
  • 4篇PZT
  • 3篇激光
  • 2篇电容
  • 2篇铁电材料
  • 2篇退火
  • 2篇准分子
  • 2篇分子
  • 2篇PZT铁电薄...
  • 2篇SBT
  • 2篇存储器
  • 1篇电容特性
  • 1篇电滞回线
  • 1篇形变
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶凝胶

机构

  • 18篇中国科学院上...
  • 2篇中国科学院
  • 1篇大阪大学
  • 1篇南京大学

作者

  • 18篇林成鲁
  • 18篇郑立荣
  • 7篇邹世昌
  • 6篇杨平雄
  • 6篇陈逸清
  • 3篇许华平
  • 3篇王连卫
  • 2篇宋世庚
  • 2篇曾建明
  • 2篇辛火平
  • 1篇高剑侠
  • 1篇王学燕
  • 1篇金世荣
  • 1篇张顺开
  • 1篇朱德彰
  • 1篇符小荣
  • 1篇陆怀先
  • 1篇陶明德
  • 1篇宋志棠
  • 1篇谭辉

传媒

  • 4篇功能材料与器...
  • 3篇科学通报
  • 3篇中国激光
  • 2篇压电与声光
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇物理
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇中国科学（E...

年份

  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 6篇1997
  • 3篇1996
  • 4篇1995
  • 1篇1994
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
新型铁电存贮器和铁电薄膜的脉冲激光沉积被引量：4
1995年
结合自己的工作，介绍了目前国际上新型功能材料与器件研究的热点之一──铁电集成和铁电存贮器的研究开发；报道了用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）这种新型成膜技术制备铁电ＰＺＴ薄膜的一些实验结果．
郑立荣陈逸清林成鲁邹世昌
关键词：存储器铁电薄膜脉冲激光沉积
集成铁电存储器──新型快速、抗辐照、非挥发性存储器件
1996年
本文介绍了铁电存储器的原理，对非挥发性铁电存储的研究和开发情况作了综述。并就制约着铁电集成器件真正商业化的若干铁电薄膜材料物理方面关键问题作了分析。首先提出了在铁电集成器件工艺中还存在着综合优化问题。最后，对铁电存储器的未来作了预测。
许华平郑立荣陈逸清林成鲁邹世昌
关键词：存储器件铁电存储器抗辐照
O^+注入SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜的研究
1999年
研究了Ｈ＋注入对ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（ＳＢＴ）铁电薄膜的晶体结构和电学性质的影响，并与含氢气氛退火作了比较，进而研究了Ｏ＋注入对ＳＢＴ铁电薄膜电学性质的影响。发现室温Ｏ＋注入，由于较严重的晶格损伤的存在，ＳＢＴ铁电薄膜的电学性能退化严重，而热靶Ｏ＋注入有助于克服氢对ＳＢＴ铁电薄膜的影响。
曾建明林成鲁郑立荣
关键词：离子注入铁电薄膜
脉冲准分子激光PZT薄膜的制备被引量：9
1994年
本实验采用脉冲准分子激光沉积（ＰＬＤ）法，在１９３ｎｍ波长，５Ｈｚ频率，４Ｊ／ｃｍ２能量密度条件下，分别在Ｓｉ（１００）和ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上成功地沉积Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）薄膜，并在不同的条件下对ＰＺＴ薄膜进行退火处理。用ＸＲＤ，ＲＢＳ，ＡＳＲ等方法分别测量了薄膜的结构、组份和厚度。
陈逸清郑立荣林成鲁邹世昌
关键词：PZT铁电薄膜准分子激光沉积
SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜微结构及其抗疲劳等铁电特性的研究被引量：8
1997年
在低温Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上用脉冲准分子激光沉积技术结合氧气氛下７００℃退火获得高质量的ＳＢＴ薄膜，其择优取向为（００８）和（１１５）．薄膜厚度约为２００ｎｍ．铁电性能测试显示较饱和的、方形的电滞回线，其剩余极化和矫顽电场分别为１０μＣ／ｃｍ２和５７ｋＶ／ｃｍ，在１０１０次开关极化后没有显示任何疲劳，在５Ｖ直流电压下的漏电流密度约为４×１０－８Ａ／ｃｍ２，直流击穿电场约为２５０ｋＶ／ｃｍ．
杨平雄邓红梅郑立荣林成鲁
关键词：微结构铁电材料
SrTiO_3（110）上水热法外延生长PbTiO_3薄膜
1995年
利用低温水热合成工艺，在一定浓度比的Ｐｂ（ＮＯ）＿３，ＴｉＣｌ＿４的混合强碱性水溶液中，和在（１２０℃，０．２５ＭＰａ）的水热反应条件下，首次成功地在ＳｒＴｉＯ＿３（１１０）单晶衬底上生长出具有（１１０）面织构的ＰｂＴｉＯ＿３外延薄膜。Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射／沟道（ＲＢＳ／Ｃ）分析表明薄膜外延质量较高，沟道最低产额（Ｘ＿（ｍｉｎ））达０．４２。
许华平郑立荣辛火平林成鲁
关键词：铁电薄膜水热合成
钛酸铋薄膜的室温脉冲激光沉积研究
1999年
在室温下，采用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术在７．６２ｃｍＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）衬底上制备了钛酸铋（Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２）薄膜。Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的厚度和组分均匀性采用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）和扩展电阻技术（ＳＲＰ）来分析、表征；采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）技术研究了薄膜的退火特性。研究发现单独用常规退火或快速退火热处理的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜中较容易出现Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７杂相；而采用常规退火和快速退火相结合的方法，较好地解决了杂相出现的问题，得到相结构和结晶性完好的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜。透射电子显微镜实验和扩展电阻实验表明，室温下制备的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜具有良好的表面和界面特性。
曾建明张苗高剑侠宋志棠郑立荣王连卫林成鲁
关键词：脉冲激光沉积SRP铁电薄膜
Pt/PZT/Pt电容的γ射线辐照积累剂量效应被引量：2
1998年
研究了γ辐照积累剂量对ＰＺＴ铁电电容的电滞回线和ＣＶ特性的影响，结果表明，在积累剂量辐照过程中，由于辐照感生缺陷的影响，剩余极化和矫顽场增加，介电常数下降。根据实验结果和铁电材料的有关辐照理论，提出了剩余极化随积累剂量变化的缺陷相关模型。
高剑侠郑立荣王连卫林成鲁朱德彰
关键词：铁电辐照介电常数矫顽场
PZT纳米晶薄膜的Sol-Gel法制备及铁电性质被引量：4
1997年
采用Sol-Gel法，以Zr的硝酸盐替代醇盐，引入PbTiO3过渡层的方法成功的制备了纳米晶铁电薄膜。并进行了差热、热重、结构、组分、铁电性能的测定、分析，
宋世庚谭辉王学燕符小荣郑立荣陶明德林成鲁
关键词：铁电薄膜PZT纳米晶溶胶凝胶法
Pb（Zr_（0．52）Ti_（0．48））O_3铁电薄膜的脉冲准分子激光沉积
1995年
用ＡｒＦ脉冲准分子激光在ＳＯＩ和Ｐｔ／ＳＯＩ衬底上沉积了Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ＿３铁电薄膜，并用快速退火进行热处理。ｘ射线衍射、卢瑟辐背散射等分析表明：所结晶的薄膜是以（１００）和（１１０）为主要取向的多晶膜，且结晶情况与热处理温度和时间密切相关；ＰＺＴ薄膜呈现铁电性，其剩余极化Ｐｒ＝１５μｃ／ｃｍ￣２，矫顽电场Ｅｃ＝５０ｋＶ／ｃｍ；并且具有较高的介电常数和较高的电阻率。
郑立荣陈逸清许华平辛火平宋世庚林成鲁
关键词：PZT铁电薄膜脉冲激光沉积快速退火
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