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郭辉
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291
被引量:128
H指数:6
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西安电子科技大学
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国家自然科学基金
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张玉明
西安电子科技大学微电子学院微电...
雷天民
西安电子科技大学技术物理学院
张克基
西安电子科技大学
张义门
西安电子科技大学微电子学院微电...
宋庆文
西安电子科技大学
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一种IBC太阳能电池
本实用新型涉及IBC太阳能电池技术领域,特别是涉及一种新型背电极的IBC太阳能电池,包括N型硅片(10)、P+重掺杂区(21)、N+重掺杂区(22)、第一钝化层(31)、第二钝化层(32),P+重掺杂区(21)和N+重掺...
郭辉
董鹏
张玉明
张晨旭
屈小勇
文献传递
基于碳化硅PIN二极管结构的α辐照闪烁体探测器
本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的α射线闪烁体探测器及其制作方法,主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型α射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬...
郭辉
陈小青
张玉明
刘博睿
张晨旭
n型SiC的Ni基欧姆接触中C空位作用的实验证明(英文)
被引量:2
2007年
通过在Si面p型4 H-SiC外延层上使用P+离子注入来形成n阱.Ti和Ni依次淀积在有源区的表面,金属化退火后的XRD分析结果表明Ni2Si是主要的合金相.XEDS的结果表明在Ni2Si/SiC界面处存在一层无定型C.去除Ni2Si合金相与无定型C之后重新淀积金属,不经退火即可形成欧姆接触.同时,注入层的方块电阻Rsh从975下降到438Ω/□.结果表明,合金化退火过程中形成了起施主作用的C空位(VC) .C空位提高了有效载流子浓度并对最终形成欧姆接触起到了重要作用.
郭辉
张义门
张玉明
关键词:
NI
欧姆接触
SIC
离子注入
外延GaN的串联式PIN结构α辐照电池及其制备方法
本发明公开了一种外延GaN的串联式PIN结构α辐照电池,主要解决现有技术中制作碳化硅PIN型辐照电池能量转换效率低、输出电压有限的问题。其由上下两个串联的PIN结构成;上PIN结包括N型GaN外延层欧姆接触电极、N型Ga...
郭辉
翟华星
张艺蒙
宋庆文
张玉明
文献传递
具有减薄P型区的分布电极PiN型β辐照电池及制备方法
本发明涉及一种具有减薄P型区的分布电极PiN型β辐照电池及制备方法,辐照电池包括:PiN单元和位于PiN单元上的放射性同位素单元,PiN单元包括N型掺杂4H‑SiC衬底、N型掺杂4H‑SiC外延层、P型掺杂4H‑SiC外...
郭辉
钱驰文
韩超
袁飞霞
张玉明
袁昊
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一种新型超低接触电阻SiC基欧姆接触制备方法
本发明公开了一种新型超低接触电阻SiC基欧姆接触制备方法,包括:选取SiC衬底;在SiC衬底转移石墨烯或是外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构;在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜;通过第一次光刻胶光刻方法在Au膜上...
胡彦飞
纪宇婷
郭辉
梁佳博
何艳静
袁昊
王雨田
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一种并联均流的反激变换器
本发明公开了一种并联均流的反激变换器,包括:反激电路和并联均流电路;其中,所述并联均流电路包括多个并联的支路,每个支路包括串接的功率器件和电感;每个支路均串接于所述反激电路的副边电路中,所有支路的电感缠绕于同一磁芯上以彼...
张艺蒙
孙世凯
郭辉
宋庆文
汤晓燕
张玉明
文献传递
基于Ni膜辅助退火的石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Ni膜辅助退火的石墨烯制备方法,主要解决现有技术中制备的石墨烯面积小、连续性不好、层数不均匀的问题。本发明采用在4-12英寸的Si衬底基片上先生长一层碳化层作为过渡,然后在温度为1200℃-1350℃...
郭辉
邓鹏飞
张玉明
张克基
雷天民
文献传递
碳化硅指状肖特基接触式核电池
本发明公开了一种基于碳化硅的指状肖特基接触式核电池及其制作方法,主要解决现有技术中碳化硅pn结核电池制作工艺困难及肖特基结核电池效率低的问题。本发明自上而下依次包括键合层(1)、放射性同位素源层(3)、指状半透明肖特基接...
郭辉
石彦强
张玉明
韩超
陈丰平
侯学智
文献传递
N沟道碳化硅绝缘栅双极型晶体管的制备方法
本发明公开了一种N沟道穿通型碳化硅绝缘栅双极型晶体管的制备方法,主要解决目前碳化硅绝缘栅双极型晶体管制备成本过高的问题。其实现步骤包括:1.选用结构性能优良的N型碳化硅衬底,在该衬底正面外延生长一层N型外延层;2.在衬底...
郭辉
翟华星
宋庆文
张艺蒙
张玉明
汤晓燕
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