陈艾
- 作品数：40 被引量：327H指数：12
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信一般工业技术理学更多>>
- 纳米级PtSi/P-Si(100)薄膜形成工艺研究被引量：1
- 2001年
- 用XRD、XPS、TEM分析手段研究了在P Si( 10 0 )上溅射的Pt膜 ,经不同工艺形成PtSi薄膜的物相及连续性。通过分析硅衬底预处理以及退火条件、气氛等对成膜质量的影响 ,找到形成超薄PtSi膜的工艺方法 ,制备出 4nm连续薄膜。
- 刘爽宁永功陈艾刘俊刚杨家德李昆
- 关键词：红外探测器纳米级退火
- 水热晶化法合成TiO_2晶须被引量：25
- 2001年
- 以TiCl4为原料 ,KOH为矿化剂 ,采用水热晶化法合成了金红石结构的TiO2 晶须 .采用X射线衍射 (XRD)、透射电镜 (TEM )等对所得产物进行了表征 .实验考察了前驱物粉体Ti(OH) 4用量、反应温度、反应时间及pH值等条件对产物结构和形貌的影响 ,并探讨了金红石结构TiO2 晶须的形成机理 .研究结果表明 ,增大 pH值、提高反应温度及延长反应时间 ,都有利于金红石结构的TiO2 的形成并取向于 ( 110 )面方向生长 ;在本文所建立的强碱性介质中氨分子对TiO2 晶须的生长无显著的影响 .在优化的水热反应条件下 ,即原粉用量为 2 0～ 6 0 g/L ,反应介质pH为 12～ 14 ,反应温度为 14 0～ 180℃ ,反应时间为 6～ 10h ,可获得尺寸均匀、形貌规则、结晶性好的金红石结构TiO2 晶须 .
- 吴孟强陈艾周旺徐榕青
- 关键词：水热晶化法
- 掺杂Mo^(6+)、Cr^(6+)灵巧膜α-WO_3的电致变色效应被引量：10
- 1998年
- 本文介绍了单掺杂Mo6+及双掺杂Mo6+、Cr6+的溶胶-凝胶膜α－WO3的电致变色特性，实验结果与价间电荷跃迁理论所预言的复合膜透射率谱吸收峰移动规律一致，文章还采用晶体结构的离子配位场理论，解释了该复合膜是一种吸收型电致变色材料，其变色机理可归结为膜层中“小极子”跃迁而产生的光吸收．
- 陈艾高能武朱卓娅
- 关键词：电致变色透射率掺杂
- 凝胶-燃烧法合成纳米晶SnO_2粉体被引量：35
- 2002年
- 通过金属硝酸盐 (氧化剂 )和柠檬酸 (燃料 )的凝胶 -燃烧方法合成了纳米晶SnO2 粉体 .TG -DSC分析得知 ,凝胶的着火温度为 2 5 0℃ .采用XRD ,TEM ,BET及FTIR对粉体进行了表征 ;考察了着火温度、燃料用量和热处理温度对所获得的粉体特性的影响 .研究结果表明 ,晶粒尺寸与颗粒尺寸随热处理温度的上升而增大 ;在柠檬酸与Sn4 + 的摩尔比为 6∶1,热处理温度为 60 0℃时制备的纳米晶SnO2 粉体的平均晶粒尺寸为 12nm ,平均颗粒尺寸为 3 0nm ,比表面积为 2 0～ 2 8m2
- 吴孟强张其翼陈艾
- 关键词：二氧化锡纳米晶超微粉
- 快离子导体氯碘铜化铷电性能的研究
- 1989年
- 最近国外报道,在RbCl-CuCl-CuI系统中,发现了离子电导率最高的Cu^+离子导体Rb_4Cu_(16)I_7Cl_(13)。我们采用国产原料,在工艺上作了探索,研制出较纯净的单一相Rb_4Cu_(16)I_7Cl_(13)。其室温电性能:离子电导率达0.44(Ω.cm)^(-1),电子电导率为4.2×10^(-9)(Ω.cm)^(-1),分解电位0.66(V)。此外,还对该材料的x射线衍射谱作了研究,提出了改进电性能的主要依据。
- 王有鈞陈艾邓宏
- 关键词：快离子导体电性能
- 离子注入型超大容量离子电容器
- 陈艾王有钧陶凤波
- 关键词：电容器离子注入
- X射线衍射、X射线光电子能谱对PtSi薄膜形成机理的研究
- 2001年
- 促使物相尽可能地向Pt2 Si和PtSi转化 ,是PtSi薄膜工艺研究中的重要工作。文中通过用X射线衍射 (XRD)、X射线光电子能谱 (XPS)微观分析手段对PtSi薄膜形成物相分步观察 ,研究了长时间变温退火、真空退火以及真空和保护气体 (N2 和H2 )退火等工艺条件对溅射PtSi薄膜物相形成的影响。结果表明 ,氢气气氛退火能提高薄膜质量 ;
- 刘爽宁永功陈艾龙再川杨家德
- 关键词：X射线衍射光电子能谱
- 基于石英传感器的数字遥测温度系统设计
- 随着工业的不断快速发展，温度作为工业生产过程中最普遍、最重要的工艺参数之一，测量要求越来越高，测量范围越来越广。我们希望在大多数情况下都能快速、准确地测量温度。特别是在一些人类不能或不便进入的场合，温度测量如何达到快速、...
- 陈艾
- 关键词：石英传感器信号处理温度采集无线收发MATLAB仿真
- 热处理温度及掺杂对氧化镍电极赝电容器特性的影响被引量：31
- 2002年
- 应用电化学阴极沉积法在Ni基片上制得Ni(OH) 2 膜 ,经热处理得到NiO膜 .研究了热处理温度、钴掺杂对NiO膜电极赝电容性能的影响 .结果发现 :在 2 5 0～ 5 0 0℃ ,随着热处理温度的升高 ,NiO膜电极比电容量逐渐减小 ;钴掺杂使比电容量显著增大 .以掺钴的NiO膜为电极 ,以 1mol/L的KOH水溶液为电解质溶液 ,所得电容器的比电容量可达
- 梁逵陈艾吴孟强何莉周旺
- 关键词：超大容量离子电容器赝电容器氧化镍钴掺杂热处理温度
- 碳纳米管作为超大容量离子电容器电极的研究被引量：31
- 2002年
- 本文采用碳纳米管作为超大容量离子电容器的电极材料 ,研究了硝酸改性处理、粘结剂对电极的电容器性能的影响 ,探讨了其电容的形成机理 .当用硝酸改性处理的碳纳米管作电极 ,用 30 % (wt)的H2 SO4作电解质溶液时 ,所得超大容量离子电容器不仅能形成双电层电容 ,也能形成赝电容 ,从而得到了 6 9F/g的比电容 ;
- 梁逵陈艾周旺王巍
- 关键词：电极碳纳米管超大容量离子电容器
