高成
- 作品数：168 被引量：393H指数：9
- 供职机构：北京航空航天大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金国防科技工业技术基础科研项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程机械工程更多>>
- 一种基于输出电压退化的DC/DC变换器贮存寿命预测方法及试验系统
- 本发明提供了一种基于输出电压退化的DC/DC变换器贮存寿命预测方法及试验系统，其包含以下步骤：一：搭建DC/DC变换器加速退化试验系统；二：制定加速退化试验的试验方案；三：开展加速退化试验，得到DC/DC变换器输出电压的...
- 高成赵如豪黄姣英游文超
- 一种基于功能特性展开的硬件木马威胁性分析方法
- 一种基于功能特性展开的硬件木马威胁性分析方法，它有四大步骤：一、基于硬件木马的结构确定硬件木马的触发结构和有效载荷；二、根据硬件木马的触发结构确定硬件木马隐蔽性；三、采用RPN风险系数的方法计算硬件木马的危害性；四、将硬...
- 杨达明黄姣英高成
- 文献传递
- 20MHz～60MHz频率合成器(下)
- 1998年
- 本文(上)中介绍了该系统的硬件组成、电路工作原理以及实现控制的方法。本文(下)介绍由单片机控制的频率合成器,利用软件对频率合成器实现点频、跳频、段频、扫频及显示等功能,扩大了合成器的功能和用途。本文所介绍的控制方法典型、实用,具有普遍使用价值。
- 高成高泽溪王延燕
- 关键词：频率合成器数据总线
- 基于故障注入的NOR Flash单粒子效应模拟方法研究
- 2022年
- 针对目前大容量NOR Flash存储器单粒子效应模拟缺乏具体操作方法的问题,本文提出NOR Flash单粒子翻转、单粒子功能中断、单粒子闭锁3种单粒子效应对应软件故障注入方法,设计适用于大容量器件的板级测试系统并进行功能验证,通过故障注入方法开展单粒子效应模拟实验。NOR Flash存储器单粒子效应测试系统包括FPGA控制逻辑、Flash检测板和上位机软件三部分。结果表明,单粒子翻转、单粒子闭锁和单粒子功能中断3种单粒子效应的软件故障注入方法均通过NOR Flash存储器单粒子效应测试系统得到验证。本文的研究可以为相关单粒子效应模拟提供参考,为分析存储器单粒子效应对电子系统的可靠性影响打下基础。
- 黄姣英何明瑞袁伟高成王乐群
- 关键词：单粒子效应测试系统
- 一种基于ARM和FLASH的FPGA重配置系统
- 一种基于ARM和FLASH的FPGA重配置系统，该系统包括上位机软件、嵌入式控制器即ARM、Flash存储器、显示控制电路和被测FPGA即DUT；所有连接汇总到嵌入式控制器之中，通过手动控制和上位机的操作，实现嵌入式控制...
- 高成傅成城黄姣英王香芬
- 文献传递
- 一种看门狗芯片电参数测试电路设计
- 2018年
- 看门狗芯片是一组CMOS监控电路，能够监控电源电压、电池故障和微处理器或微控制器的工作状态。由于芯片通用的功能和低廉的价格，在工程中应用越来越广泛。看门狗芯片种类较多，质量参差不齐，如何将合格的芯片投入生产，检测就成了至关重要的环节。以MAX705／706／813L为研究对象，根据MAX706芯片的工作特性，通过研究看门狗电路的工作原理，设计了一种简单的测试电路，能够有效地测试出合格的看门狗芯片。采用该测试电路进行测试，与自动测试系统测试数据对比，误差在15％之内，证明了测试电路的有效性。
- 曹玉翠王香芬高成
- 关键词：看门狗电路参数测试MAX706
- 一种基于BRAM检测的动态自适应SRAM型FPGA系统容错方法
- 本发明涉及一种基于BRAM检测的动态自适应SRAM型FPGA系统容错方法，属于智能容错系统领域，包括下列步骤：1)在SRAM型FPGA上划分可重构区域和静态区域；2)对FPGA上的部分动态重构区域构造融合无冗余到多冗余的...
- 王香芬吴建新高成杨达明
- 文献传递
- 一种宇航元器件PID实施成效评价方法
- 一种宇航元器件PID实施成效评价方法，步骤如下：1、在宇航元器件PID正式运行一段时间后，选取样品进行验证，即选取样品进行验证PID实施成效；2、根据分解的结构单元，确定各个单元要进行的试验项目；3、对试验数据进行管理、...
- 高成赵冬黄姣英熊园园
- 文献传递
- 融合试验数据的模拟集成电路可靠性预计修正方法研究被引量：3
- 2019年
- 以集成电路的特征尺寸和工艺水平为分类标准,将标准手册中的可靠性预计模型与实际的加速寿命试验数据进行结合,得到集成电路可靠性预计修正方法。通过此可靠性预计修正方法,能计算出集成电路的工艺修正系数数值,进而应用于可靠性预计模型之中,对集成电路可靠性预计方法进行修正。修正后的可靠性预计方法能够更加准确的对其可靠性进行预计,解决了现有标准手册模型不能完全准确体现出制造工艺发展的实际问题。
- 高成王长鑫黄姣英曹阳
- 关键词：集成电路加速退化试验特征尺寸
- MEMS微机械结构受冲击力学分析被引量：3
- 2020年
- 对微机电系统(MEMS)加速度传感器ADXL203的微机械结构建立三维模型,使用卡式定理与线性弹性理论推导折叠梁X,Y,Z方向刚度,并利用ANSYS有限元仿真验证了刚度计算结果。求解结构阻尼系数,由阻尼受迫振动模型入手,采用准静态理论或振动理论,分析微机械结构在冲击脉冲下的响应规律,推导出在半正弦波冲击条件下,微机械结构的运动方程。计算得到微机械结构在X,Y方向最大位移为0.883,0.8786 mm,分别在冲击发生后的0.141,0.142 ms时。提出了微机械结构刚度、阻尼、运动方程的求解方法,便于分析其失效机理,指导MEMS冲击试验的进行。
- 高成王怡豪傅成城黄姣英王长鑫
- 关键词：微机电系统刚度阻尼
