高频
- 作品数：35 被引量：72H指数：6
- 供职机构：南京理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金江西省教育厅科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 梯度掺杂结构GaN光电阴极表面的净化被引量：2
- 2011年
- 对梯度掺杂结构GaN阴极表面进行了化学清洗,清洗后利用X射线光电子能谱仪(XPS)分析了阴极表面,分析表明化学清洗能有效去除阴极表面的油脂和加工中残存的无机附着物;然后在超高真空室内710℃下对阴极进行了高温退火清洁,去除化学清洗后残留在阴极表面的C、O等吸附物,使阴极表面达到制备高性能负电子亲和势(NEA)光电阴极所需的原子级清洁程度。最后通过阴极激活实验加以验证,结果证实化学处理后热退火方法能有效净化梯度掺杂结构GaN阴极表面。
- 李飙徐源常本康杜晓睛王晓晖高频张俊举
- 关键词：光电子学梯度掺杂GAN光电阴极
- 梯度掺杂结构GaN光电阴极的激活工艺研究
- 2011年
- 利用自行研制的光电阴极多信息量测试评估系统,在线测试了梯度掺杂结构GaN光电阴极在激活过程中的光电流、Cs源电流和O源电流。根据激活后的阴极光谱响应曲线和量子产额曲线,分析了超高真空室真空度、激活前的阴极表面净化程度、激活中首次进Cs量、激活中的Cs/O比以及Cs/O源在激活中的供给方式等对阴极激活的影响,提出了梯度掺杂结构GaN光电阴极的优化激活工艺。
- 李飙徐源常本康王晓晖杜玉杰高频张俊举
- 关键词：梯度掺杂GAN光电阴极
- 用于光阴极组件针孔疵病检测的方法及其实现装置
- 本发明公开了一种用于光阴极组件针孔疵病检测的方法及其实现装置，检测方法包括以下步骤：步骤1：进行测量的准备工作，并对设备进行初始化；步骤2：对是否扫描新的光阴极组件进行判断，如果是，则执行步骤3，如果不扫描，而仅仅查看已...
- 常本康富容国钱芸生邱亚峰张俊举刘磊高频魏殿修徐登高詹启海杨敏
- 多象限光电探测器检测系统
- 本发明公开了一种多象限探测器检测系统，由激光发射系统发射出的激光信号经过发射光学系统的整形照射在多象限探测器上和视频处理系统上，由视频处理系统检测激光光斑在多象限探测器上的位置，监视系统反馈给观测者其在探测器上的位置，由...
- 富荣国常本康钱芸生邱亚峰张俊举刘磊詹启海高频孙斌常奎
- 铯氧比对砷化镓光电阴极激活结果的影响被引量：9
- 2006年
- 实验和理论分析结果表明,激活成功的砷化镓光电阴极的铯氧比存在一个最佳值.砷化镓光电阴极铯氧比的控制可通过调节激活过程中铯源和氧源的加热电流大小来实现.激活实验结果表明,铯氧电流比适中的样品,首次进氧时,光电流上升速度最快,激活后的阴极量子效率最高,稳定性好.当偏离这个比例,过大或过小时,光电流上升速度都会减慢,激活结果也比前者差.随着铯氧电流比的增大,铯氧交替的总次数随之减少.最佳铯氧电流比的调节应以首次进氧时光电流的上升速度最快为准,一旦确定后在整个铯氧交替过程中保持不变.
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- 关键词：量子效率
- 梯度掺杂与均匀掺杂GaN光电阴极的对比研究被引量：5
- 2011年
- 为了提高负电子亲和势(NEA)GaN光电阴极的量子效率,利用金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)外延生长了梯度掺杂反射式GaN光电阴极,其掺杂浓度由体内到表面依次为1×1018cm-3,4×1017cm-3,2×1017cm-3和6×1016cm-3,每个掺杂浓度区域的厚度约为45nm,总的厚度为180nm.在超高真空系统中对梯度掺杂GaN光电阴极进行了激活实验,并与两种厚度为150nm,掺杂浓度分别为1.6×1017cm-3和3×1018cm-3的均匀掺杂反射式GaN光电阴极进行了对比.结果表明:Cs/O激活过程中,梯度掺杂GaN光电阴极光电流的增长速度和最大值都大于均匀掺杂,多信息量测试系统测得梯度掺杂NEAGaN光电阴极的最大量子效率达到了56%左右,比均匀掺杂的高出了近两倍.计算得出梯度掺杂NEAGaN光电阴极在浓度变化区域能带的弯曲量依次为0.024,0.018和0.031eV,能带弯曲所形成的内建电场使其获得了较大的电子漂移扩散长度,并且由于能带总的弯曲量达到了0.073eV,到达表面的光电子具有更高的能量,更容易逸出表面势垒,所以梯度掺杂NEAGaN光电阴极可以获得较高的量子效率.
- 王晓晖常本康钱芸生高频张益军郭向阳杜晓晴
- 关键词：梯度掺杂量子效率
- 用于光阴极组件针孔疵病检测的方法及其实现装置
- 本发明公开了一种用于光阴极组件针孔疵病检测的方法及其实现装置，检测方法包括以下步骤：步骤1：进行测量的准备工作，并对设备进行初始化；步骤2：对是否扫描新的光阴极组件进行判断，如果是，则执行步骤3，如果不扫描，而仅仅查看已...
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- 文献传递
- 大视野足部X射线视频成像安检装置
- 一种大视野足部X射线视频成像安检装置，它是由X射线源、接收系统和终端显示系统组成。其特征在于接收系统设置在一个密封的箱体内，在箱体的一个侧面且在接收系统中的X射线源和稀土感绿屏之间的对应位置处开有足检口，被检人员只需比正...
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- 文献传递
- 透射式负电子亲和势GaN光电阴极的光谱响应研究被引量：2
- 2011年
- 利用金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)生长了发射层厚度为150nm、掺杂浓度为1.6×1017cm-3的透射式GaN光电阴极,并在超高真空激活系统中对其进行了激活.通过多信息量测试系统进行了测试,发现透射式负电子亲和势(NEA)GaN光电阴极的量子效率曲线成一个"门"的形状,在255—355nm波段有较大且平坦的响应,在290nm处取得最大值为13,由于AlN缓冲层对短波段光的吸收系数较大,在小于255nm的波段量子效率出现了下降,当波长大于355nm时,量子效率也出现了下降,在GaN的阈值波长365nm处降至3.5,在385nm处只有0.1的量子效率,在长波段表现出了较好的截止特性.通过求解半导体载流子的扩散方程推导了透射式NEAGaN光电阴极的量子效率公式,根据公式对影响透射式NEAGaN光电阴极量子效率的主要因素电子逸出概率、电子扩散长度、后界面复合率和发射层的厚度进行了分析和讨论,为下一步材料结构的优化设计奠定了基础.
- 王晓晖常本康钱芸生高频张益军乔建良杜晓晴
- 关键词：透射式量子效率
- 负电子亲和势GaN真空面电子源研究进展被引量：1
- 2011年
- 结合国内和国外的最新研究成果,论述了目前在NEAGaN真空面电子源研究方面的现状.从光电发射理论、表面净化方法、阴极激活工艺、光谱响应测试以及材料本身特性等方面针对GaN真空电子源的研究取得了一定成绩:初步研究了NEAGaN电子源的光电发射机理;给出了可获得原子级清洁表面的净化方法;采用Cs或Cs/O对GaN材料进行了有效激活;测试了GaN真空电子源材料的光谱响应;探讨了影响电子源量子效率的材料特性.指出了下一步研究需要关注的内容.
- 乔建良常本康钱芸生高频王晓晖徐源
- 关键词：NEAGAN电子源光谱响应
