仇旭升
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
- 供职机构：合肥工业大学应用物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 基片温度对PLD制备ZnO薄膜光学常数的影响(英文)被引量：2
- 2009年
- 光谱椭偏仪被用来研究用脉冲激光沉积方法在Si(100)基片上,温度分别为400,500,600,700℃制备的ZnO薄膜的特性。利用三层Cauchy散射模型拟合椭偏参数,计算了每个温度下制备的ZnO薄膜在400～800nm波长范围内的折射率(n)和消光系数(k)。发现基片温度对光学常数有很大的影响。通过分析XRD表征的晶体结构和AFM表征的薄膜表面形貌,发现折射率的变化归因于薄膜堆积密度的变化。为了获得具有较好的光学和薄膜质量的ZnO薄膜,相比与其他沉积温度600℃或许是最佳的沉积温度。
- 于永强梁齐马渊明仇旭升章伟揭建胜
- 关键词：PLD氧化锌光学常数
- 原子力显微镜在PLD法制备ZnO薄膜表征中的应用被引量：4
- 2009年
- 利用脉冲激光沉积(PLD)法在氧压为16Pa、衬底温度为400～700℃时,在单晶Si(100)衬底上制备ZnO薄膜,并通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)谱和光致发光谱对制得的薄膜样品进行表面形貌、结构特性和发光性质研究。其中通过原子力显微镜对样品的二维、三维以及剖面线图进行了分析。结果表明衬底温度700℃时得到的薄膜样品表面较均匀致密,晶粒生长较充分,结晶质量较高,相对发光强度高。控制氧压为5.7Pa,在衬底温度为600℃,沉积时间分别为10,20,45min制备ZnO薄膜样品;利用原子力显微镜对样品进行表面形貌观察,得知只有沉积时间足够长才能使薄膜表面晶粒充分生长。
- 李丽丽梁齐仇旭升汪壮兵宣晓峰于永强
- 关键词：ZNO薄膜脉冲激光沉积原子力显微镜X射线衍射光致发光
- PLD法制备氧化锌薄膜生长机制及发光特性的研究被引量：1
- 2008年
- 利用PLD法在Si衬底上成功地制备了具有较好C轴择优取向生长的ZnO薄膜,从样品的XRD谱可以看出在环境氧压为20Pa,衬底温度为700℃时生长的样品的XRD谱(002)峰半高宽较窄,膜的结晶程度最好。不同的衬底温度下膜的生长机制也不一样,主要有:V-L-S机制和V-S机制。样品室温下的PL谱显示所有样品均出现UV发射和可见光区蓝绿光发射,而蓝绿光发射强度随氧压的增大而增强,表明样品的蓝绿光发射来源于样品中的受主缺陷。
- 谢可可仇旭升孔明光刘炳龙汪壮兵于永强章伟梁齐
- 关键词：ZNO薄膜PLDPL谱
- 脉冲激光沉积(PLD)法生长纳米ZnO薄膜的探索
- 2008年
- 在Si衬底上用脉冲激光沉积法生长C轴取向高度一致的ZnO纳米薄膜。实验制备ZnO纳米结构,其颗粒尺寸的控制是关键。通过改变衬底温度(400～700℃)和沉积时间,获得不同的ZnO纳米结构。SEM观察,在600℃时颗粒均匀且间隔明显,且该薄膜结构为不连续膜,这与其他衬底温度下所形成的薄膜结构有很大差异。XRD显示,600～700℃结晶良好。
- 仇旭升谢可可孔明光汪壮兵刘炳龙马渊明章伟梁齐
- 关键词：PLDXRD
- 脉冲激光沉积法制备高质量ZnO薄膜及其缓冲层的研究
- 氧化锌/(ZnO/)是一种宽带隙/(室温下3.3eV/)Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,激子结合能为60meV,具有六方纤锌矿结构。ZnO薄墨菊有良好的透明导电性、压电性、光电性、气敏性和压敏性,且易于与多种半导体材料实现集成化。...
- 仇旭升
- 关键词：脉冲激光沉积原子力显微镜XRD缓冲层
- 文献传递
