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何崇藩

作品数:11 被引量:13H指数:3
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信天文地球更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 7篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇天文地球

主题

  • 7篇晶体
  • 6篇BI
  • 4篇12
  • 3篇硅酸
  • 3篇硅酸铋
  • 3篇SIO
  • 2篇折变
  • 2篇锗酸铋
  • 2篇晶体生长
  • 2篇光折变
  • 2篇光折变晶体
  • 2篇辐照损伤
  • 1篇电子顺磁共振
  • 1篇多模
  • 1篇多模光纤
  • 1篇引上法
  • 1篇锗酸铋晶体
  • 1篇正电子
  • 1篇正电子湮没
  • 1篇散射

机构

  • 11篇中国科学院
  • 2篇浙江大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇同济大学
  • 1篇中国原子能科...

作者

  • 11篇何崇藩
  • 5篇沈炳孚
  • 5篇廖晶莹
  • 4篇徐学武
  • 3篇殷之文
  • 3篇陈显求
  • 2篇邵培发
  • 2篇杨国光
  • 2篇林旦
  • 1篇李德宇
  • 1篇杜一平
  • 1篇王腊妹
  • 1篇唐元汾
  • 1篇陈玲燕
  • 1篇高敏
  • 1篇周放
  • 1篇万立瑾
  • 1篇韩世莹
  • 1篇乌如恭桑
  • 1篇何雪梅

传媒

  • 3篇人工晶体学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇核技术
  • 1篇光学学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇原子能科学技...

年份

  • 1篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 3篇1990
  • 3篇1989
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
掺杂锗酸铋晶体(Bi_4Ge_3O_(12))的电子顺磁共振
1990年
用电子顺磁共振方法对 Fe、Cr 和 Mn 杂质在 Bi_4Ge_3O_(12)晶体中的位置和价态进行了研究。测试并分析了和 Fe^(3+)和 Cr^(3+)离子的 EPR 谱线位置随磁场方向的变化,确定了 Fe^(3+)和 Cr^(3+)主要进入氧四面体占据 Ge位。测试并分析了 Mn^(4+)和Mn^(2+)掺杂样品各向异性的 EPR 谱线,也测试了处于晶体粉末态及玻璃态的 Mn 掺杂样品的谱线,认为 Mn^(2+)离子进入氧八面体占据 Bi 位。紫外线辐照后 Mn 离子 EPR 信号降低表明辐照导致 Mn 离子价态改变。
魏宗英金通政韩世莹睦云霞何崇藩殷之文
关键词:锗酸铋晶体电子顺磁共振
硅酸铋(BSO)单晶的坩埚下降法生长
一种硅酸铋(Bi<Sub>12</Sub>SiO<Sub>20</Sub>)(简称BSO)单晶体的坩埚下降法生长,特点是用高纯氧化铋和氧化硅作原料,装入有晶种的铂金坩埚内,置于特殊设计的,能同时生长多根晶体的生长炉中,在...
何崇藩廖晶莹沈炳孚邵培发徐学武周乐中万立瑾王腊妹彭兆娟
文献传递
BGO组合测井仪物理方法研究被引量:1
1991年
在实验室内,对BGO晶体在煤田测井中应用的可能性进行了较细致的实验。通过对BGO晶体的表面进行恰当的处理及选用较合适的光电倍增管,提高了BGO的光输出。采取尽可能与野外煤田测井相接近的实验条件,给出了BGO晶体用于煤田自然γ和散射γ测井的实验数据,并与NaI(Tl)进行了比较,测量了BGO晶体的光输出随温度的变化并采取了有效的温度补偿法,研制出了用于煤田测井的BGO组合测井仪。
韩本华乌如恭桑何崇藩廖晶莹沈炳孚刘景林潘云
关键词:BGO测井
Bi_(12)SiO_(20)晶体核芯的形成和消除被引量:3
1994年
对于沿〈001〉、〈110〉、〈111〉、和〈112〉4种取向提拉法生长的直径为35mm的BSO晶体进行了剖析。用阴影法和光学显微镜观察等方法揭示了BSO晶体中深色核芯与生长取向、界面形状及小面生长之间的关系。讨论了核芯形成机制和消除方法。指出通过选择适当的转速,使晶体以平的或凹的界面生长,可消除〈001〉和〈110〉取向生长的BSO晶体中的核芯:选择〈111〉和〈112〉取向生长则能有效地避免深色小面核芯的形成。此外还讨论了生长条纹、组分过冷、应力和位错等缺陷问题。
徐学武廖晶莹沈炳孚邵培发陈显求何崇藩
关键词:硅酸铋光折变晶体
(Na_(0.5)Bi_(0.5))TiO_3结晶学表征及其固溶体的X射线研究
1989年
(Na_(0.5)Bi_(0.5))TiO_3-BaTiO_3系统在一定组成范围内是性能优良而独特的超声换能器陶瓷新材料。本文工作用X射线粉末衍射方法精确测定了单组分(Na_(0.5)Bi_(0.5))TiO_3的晶胞参数,提出与前所报道不同的新的晶胞类型;在此基础上给出该系统不同组成点的晶格参数,并对性能、晶格参数和组成之间关系和相关系作初步讨论。
周放徐月英李德宇何崇藩高敏王天宝
关键词:晶胞固溶体X射线
Bi_3Ge_4O_(12)晶体辐照损伤的热释光研究被引量:1
1990年
本文报导了掺杂与不掺杂Bi_4Ge_3O_(12)(BGO)晶体的烈释光的测定;探讨了热释光与辐照剂量、掺杂条件和样品退火的关系;提出了BGO热释光的机制;并讨论了热释光与辐照损伤之间的联系。
魏宗英何崇藩殷之文
关键词:锗酸铋晶体热释光辐照损伤
SBN:Ce光致折变晶体及其应用的实验研究
1989年
本文对SBN:Ce晶体特性进行了实验研究,该晶体可在低功率激光下使用.并给出SBN:Ce在单根多模光纤中实现传输图像的实验结果.
林旦杨国光顾天衢杜一平何雪梅唐元汾何崇藩
Bi_(12)SiO_(20)晶体生长及其形态被引量:4
1992年
采用浮称自动等径技术提拉生长出〈001〉、〈110〉及〈111〉三种取向的Bi_(12)SiO_(20)单晶(简称 BSO)。尺寸达Φ35×65mm。文中揭示了不同取向生长 BSO 单晶的形态显露规律,并从晶体结构和晶体生长形态学的角度分析讨论了生长过程中 BSO 晶体的形态演变,指出极性{112}晶面的存在是〈110〉、〈111〉晶体生长过程中形态演变的内在原因。选择适合的转速、保证晶体在良好的晶形下生长是生长质量高、利用率高的 BSO 大单晶的关键。
徐学武沈炳孚廖晶莹陈显求何崇藩
关键词:硅酸铋晶体引上法晶体生长
相位共轭多模光纤传像偏振特性及对像传输的影响被引量:1
1989年
本文分析并研究了用相位复共轭进行单根多模光纤传像时的光线偏振特性及其对像传输的影响.提出了检偏滤波方法,用这种方法可以十分有效地减少噪声,提高图像质量.本文给出了理论分析及实验结果,获得40linls/mm分辨率的传输图像.
林旦杨国光顾天衢何崇藩李雪梅唐沅汾
关键词:相位共轭光纤偏振特性图象
Bi_(12)SiO_(20)晶体的小面生长被引量:4
1993年
本文用“倾倒法”获得了光折变晶体 Bi_(12)SiO_(20)(简称 BSO)沿<001>、<110>、<111>及<112>四种取向提拉生长的不同过程中固液界面的形态。对凸形固液界面上出现的小面(奇异面)进行了宏观观测和极图分析,确定它们是{110}和{001}面簇。计算了不同取向生长时出现各小面的凸形固液界面的曲率半径,指出<111>和<112>取向生长有利于避免小面的出现。最后,从晶体生长动力学的角度定性说明了提拉生长的 BSO 晶体形态。
徐学武廖晶莹沈炳孚陈显求何崇藩
关键词:晶体生长光折变晶体
共2页<12>
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