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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇射频溅射
  • 1篇射频溅射法
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅薄膜
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射沉积
  • 1篇溅射法
  • 1篇光致
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇发光行为
  • 1篇TB

机构

  • 1篇兰州大学

作者

  • 1篇刘雪芹
  • 1篇王印月
  • 1篇何志巍
  • 1篇徐大印
  • 1篇刘彦平
  • 1篇方泽波

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2004
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
多孔硅衬底上溅射沉积SiC:Tb薄膜的光致发光行为被引量:13
2004年
在多孔硅衬底上用射频溅射法沉积了非晶的SiC :Tb薄膜 .对样品在N2 中进行了不同温度的退火处理 .用傅里叶红外变换谱分析了样品的结构 .用荧光光谱仪测试了样品的光致发光 ,在紫外、可见光区域观测到了强的发光峰 .发现随着衬底加热温度和样品退火温度的变化 ,发光峰有明显的强度变化和微弱的蓝移现象 .分析了产生这种现象的机理 ,得出了紫外区域的发光峰是由于氧缺乏中心引起的 。
徐大印刘彦平何志巍方泽波刘雪芹王印月
关键词:碳化硅薄膜射频溅射法
共1页<1>
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