吴礼群
- 作品数：11 被引量：59H指数：4
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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- Ka波段低相位噪声GaAs MHEMT单片压控振荡器被引量：1
- 2009年
- 报道了一种低相位噪声VCOMMIC芯片,采用传统的源端反馈形成负阻来消除谐振回路中的寄生电阻,通过合理的输出匹配实现起振条件并抑制谐波,利用南京电子器件研究所0.15μmGaAsMHEMT工艺,研制的Ka波段GaAsMHEMT压控振荡器,典型振荡频率为39.34GHz,频率变化范围38.6～41.3GHz之间,调谐带宽2.7GHz,典型输出功率6.97dBm,频偏100kHz,相位噪声为-81.1dBc/Hz。
- 王维波王志功张斌康耀辉吴礼群杨乃彬
- 关键词：砷化镓相位噪声
- 梳状谱发生器
- 本文介绍了一种梳状谱发生器的研制情况.该梳状谱发生器具有输入(1GHz～2GHz)、输出(2GHz～18GHz)频带宽,体积小(31.8×16.8×5.6mm3)等优点.样品性能接近外国产品.
- 徐建华丁玉宁吴礼群郭倩
- 关键词：梳状谱发生器
- 文献传递
- C波段微波低相位噪声介质振荡源被引量：6
- 2006年
- 介绍了微波低相位噪声介质振荡器的设计方法。就影响介质振荡器相位噪声的因素进行了讨论,从谐振回路有载Q值、有源器件、增益压缩量、电路模式等几个方面提出了降低相位噪声的方法,并给出了一个C波段微波低相噪振荡器的设计实例。测试结果表明:该振荡器工作频率3 900 MH z,输出功率大于10 dBm,相位噪声达到-102 dB c/H z@1 kH z;-128 dB c/H z@10 kH z。
- 吴礼群夏牟郑毅
- 关键词：相位噪声介质振荡器微波
- GaAs Ti/Pt/Au栅PHEMT单片集成电路耐氢能力的提升被引量：2
- 2019年
- 为提高GaAs Au/Pt/Ti栅PHEMT MMIC放大器耐氢气的能力,提出了在PHEMT栅上加厚Si N钝化层的方法,并通过高温加速氢气试验验证了该方法的有效性。耗尽型D管的钝化层由150 nm加厚到300 nm后,在150℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间由原来的14000×10-6、40 h提升到30000×10-6、110 h (电流还未出现明显下降),耐氢能力得到了明显提升。为了维护管子的微波性能,增强型E管采用多层Si N钝化,总厚度加厚到600 nm后,在150℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间可达到20000×10-6、115 h (电流还未出现明显下降),满足实际应用要求。
- 彭龙新彭龙新王朝旭林罡林罡徐波
- 关键词：微波单片集成电路
- 星用固态脉冲功率放大器的热设计研究被引量：2
- 2011年
- 主要研究了星用固态脉冲功率放大器的热设计。以某卫星Ku波段功率放大器为例,介绍Ku波段功率放大器的热设计,并给出了仿真和验证试验结果。
- 汪宇吴礼群吴刚周明罗运生
- 关键词：结温热阻
- Ku波段600W固态合成功放设计被引量：8
- 2011年
- 文章介绍了一种Ku波段600W固态合成功率放大器的工程实现。根据工程应用的实际要求,该固态功率放大器采用多芯片多级合成,每级功率合成采用了不同的合成方式。其中芯片级合成选择了微带合成方式,模块级合成选择了多腔体空间耦合合成结构,组件级合成选择了波导合成方式。固放以6.5W的MMIC功放单片为基本单元,共采用了128个功放单片合成出大于600W的脉冲峰值功率,功率附加效率高达18.5%,并具有脉冲速度快、频谱纯净、体积小、可靠性高、工程上容易实现等优点。
- 吴礼群蔡昱成海峰徐建华任重
- 关键词：固态功率放大器空间功率合成MMIC
- T/R组件核心技术最新发展综述(一)被引量：16
- 2012年
- 以固态T/R组件为核心的有源相控阵(AESA)技术在雷达、电子战、制导武器和通信等领域都得到了广泛应用。T/R组件的成本约占整个相控阵雷达系统造价的60%,是固态有源相控阵雷达的核心。首先阐述了有源相控阵雷达T/R组件中的关键技术——GaAs MMIC技术和微波MCM技术,同时对T/R组件的最新发展现状及趋势进行了分析,以此来推动我国有源相控阵技术的快速发展。
- 吴礼群孙再吉
- 关键词：T/R组件微波单片集成电路微波多芯片组件
- 微波前馈功率放大技术被引量：17
- 1999年
- 技术的发展带动了对高线性、高功率微波放大器的需求。传统的功率回退应用方法存在器件及效率方面的限制。文中分析了前馈技术提高功放线性度的原理，并给出Ｃ波段前馈功率放大器实例。
- 吴礼群钱万成
- 关键词：前馈功率放大器微波微波通信
- K波段收发集成多功能芯片被引量：1
- 2010年
- 彭龙新朱赤陈金远李建平高建峰黄念宁吴礼群
- 关键词：多功能芯片K波段收发SPDT开关低噪声放大器发射信号
- X波段150W固态合成功率放大器被引量：3
- 2009年
- 介绍了一种利用波导实现X波段芯片级功率合成的方法,波导合成器特别适用于大功率、高频段的功率合成,损耗小、合成效率高。借助HFSS软件进行仿真优化,然后依托精密的机加工技术制作出来的波导功率合成器,具有良好的输出端驻波和很小的插损。合成单元20W模块由两个功率单片通过Wilkinson桥合成,在合成之前单独调试,确保功率和相位基本一致。最后得到的合成功率放大器输出功率大于150W,合成效率接近95%。
- 蔡捷罗运生吴礼群
- 关键词：功率合成器功率分配器波导固态功率放大器
