喻志农
- 作品数：88 被引量：138H指数：6
- 供职机构：北京理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家部委预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 一维光子晶体可调滤波器设计
- 光子晶体是介电常数不同的物质空问周期分布所形成的一种新型人工晶体材料。由于周期性布拉格反射调制的作用,光子晶体具有光子带隙、负折射等奇异特性。可调光滤波器技术是波分复用系统的关键技术之一,它对于发展全光网络具有极其重要的...
- 李夏蒋玉蓉薛唯喻志农
- 文献传递
- 阴极缓冲层对于不同惰性气氛气压退火处理的P3HT∶PCBM光伏性能的影响
- 李畅章婷薛唯喻志农蒋玉蓉
- 彩色PDP中MgO保护膜吸水性能研究
- 本文利用红外吸收谱及光电子能谱(XPS)测试了不同成膜工艺下制备的MgO薄膜的吸水性能,得出基底温度及氧分压对MgO薄膜吸水性能的影响规律,为优化彩色PDP中MgO保护膜的制备工艺提供了重要依据.
- 郑德修喻志农
- 关键词：彩色PDP吸水性红外吸收谱光电子能谱成膜工艺氧分压
- 文献传递
- 一种源漏电极过孔刻蚀工艺及应用
- 本发明涉及半导体加工制造领域，公开一种源漏电极及其过孔刻蚀工艺，工艺为：在Poly表面ILD孔位置正下方首先形成Mo金属图案，实现先干刻ILD层、GI层非金属薄膜，再湿刻去除Poly表面的Mo金属层,完成ILD孔刻蚀，最...
- 喻志农
- 文献传递
- 一种旋转监控片的光学薄膜自动监控装置
- 本发明公开了一种旋转监控片的光学薄膜自动监控系统，涉及一种薄膜产品制备过程中的监控设备。本发明包括：光源发射系统、驱动电机、工件架、晶控仪探头、监控片旋转机构、信号接收系统、信号转换系统、晶控仪、计算机、真空室和监控片。...
- 王华清贾秋萍卢伟强薛唯喻志农
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- 二次大气退火对于非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管电学特性的影响
- 2015年
- 介绍了非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-IGZO TFT）的制备,并在不同环境下进行了退火。其中,经过一次退火冷却后再进行第二次退火的器件表现出了最佳的电学性能,相比其他器件有较小的亚阈值摆幅（~1.43V/decade）和更好的磁滞稳定性。通过对比其他退火条件下的器件表现与工艺,发现在一次退火基础上增加的较短时间（30min）退火是这些显著提高的主要原因。这说明,在a-IGZO TFT进行了一次退火并冷却后,通过引入二次退火使得a-IGZO薄膜表面平整化和结构密实化,器件性能仍然有提高的空间。
- 胡安琪喻志农张潇龙张世玉
- 关键词：薄膜晶体管
- 柔性PI衬底上ITO薄膜的制备及性能研究被引量：3
- 2014年
- 利用射频磁控溅射的方法在柔性PI衬底上制备ITO薄膜,通过SEM（扫描电子显微镜）、XRD（X射线衍射仪）、四探针测试仪、分光光度计,分析了通氧量、溅射功率、工作气压及衬底温度对ITO薄膜表面形貌、成膜质量和光电特性的影响。结果显示：在纯氩气环境下,溅射功率为200W,工作气压为1.5Pa,在衬底温度为185℃～225℃时,薄膜的光电特性最好,ITO薄膜的电阻率为3.64×10^-4Ω·cm,透过率为97%。
- 扈静喻志农张世玉薛建设惠官宝薛唯
- 关键词：射频磁控溅射氧化铟锡电阻率透过率
- 准分子激光退火制备桥式沟道多晶硅薄膜的方法
- 本发明主要属于半导体基板加工工艺领域，具体涉及准分子激光退火制备桥式沟道多晶硅薄膜的方法。利用图案化使薄膜形成桥式结构，利用准分子激光退火使非晶硅薄膜形成多晶硅薄膜。此方法形成的多晶硅薄膜用做多晶硅薄膜晶体管的有源层，可...
- 喻志农闫伟郭建蒋玉蓉薛唯
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- SiO_2缓冲层对柔性ITO薄膜特性的影响被引量：7
- 2009年
- 利用离子辅助蒸发技术在PET塑料衬底上制备柔性ITO薄膜,重点分析了柔性ITO薄膜在增加SiO2缓冲层前后的性能变化。采用X射线衍射、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测量仪、NT100光学轮廓仪等测试手段对薄膜样品进行表征。实验结果表明:增加缓冲层后,柔性ITO薄膜的X射线衍射特征峰的强度增加;薄膜电阻率减小为1.21×10-3?·cm;可见光峰值透过率为85%左右;表面相对光滑;薄膜电阻在一定的弯曲状态保持一定的稳定性。
- 喻志农相龙锋李玉琼薛唯
- 关键词：ITO薄膜
- 一种避免像素电极open的结构设计及其制备工艺
- 本发明提供了一种避免像素电极open的结构设计，所述结构设计中采用特殊LS遮光层，在LS层图案边界位置形成漏极刻蚀孔，形成漏极处凸起结构，在凸起处PLN层厚度明显小于周围其他位置。进一步在漏极凸起位置正上方完成PLN打孔...
- 喻志农闫伟郭建蒋玉蓉薛唯
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