夏辉
- 作品数：26 被引量：113H指数：6
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- 一维光子晶体中原子的自发辐射
- 本文研究准一维类梳类光子晶体中的原子的自发辐射。用三能级模型描述原子的激发态,准一维类梳状光子晶体的能带已经求出,在旋波近似下求解薛定格方程,得到其态随时间演变的方程组,求得其辐射场的一般表示式,发现在一维光子晶体中其辐...
- 彭景翠夏辉翦之渐李宏建张振华瞿述周仁龙
- 关键词：光子晶体三能级原子
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- 一维类梳状光子晶体的带结构及缺陷模研究
- 该文介绍了光子晶体的光学特性.在此基础上从界面响应理论出发,主要研究了一种由三种不同介质组成的一维类梳状光子晶体的带结构、局域态及缺陷态对带隙的影响,发现在这种结构中也存在较大光子频率带隙,从而验证了上述结论.但同时我们...
- 夏辉
- 关键词：光子晶体局域态
- 文献传递
- 输运层厚度对双层有机器件复合发光的影响被引量：2
- 2001年
- 采用ITO/PVK/Alq/Al双层电致发光 (EL)结构 ,制备了三种载流子输运层厚度分别为30、6 0、12 0nm ,发光层厚度均为 30 0nm的有机薄膜EL器件 ,测试其EL谱及J -V特性曲线。根据有机EL器件中载流子的产生和输运过程导出了载流子复合几率及电子和空穴密度分布表示式 ,用以解释其发光强度随输运层厚度的变化关系 ,用一维无序结构载流子随机跃迁模型讨论输运层厚度对器件电流密度及启动电压的影响 ,探讨了载流子在薄膜中的输运过程 。
- 李宏建瞿述许雪梅夏辉彭景翠
- 关键词：复合发光电致发光发光机理
- 钝化多孔硅温度行为的研究
- 本文报道选用含有胺基的正丁胺作碳源,采用射频辉光放电法制备碳膜钝化多孔硅的结果,主要研究钝化多孔硅经存放后荧光谱随温度的变化规律,并测量了整个钝化多孔硅及多孔硅层的电阻—温度特性,对其实验结果给出了较好的解释。
- 李宏建彭景翠瞿述许雪梅陈小华夏辉罗小华
- 关键词：荧光谱电阻
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- 球磨石墨制备纳米结构
- 对石墨进行机械球磨处理,并用X射线和高分辨电子显微镜对其结构进行了研究.经过150h球磨后,石墨原有的晶体结构被破坏.引入多种缺陷的同时,石墨层发生了剥离和卷曲,形成了多边形粒子、纳米弓形和纳米洋葱等具有高度弯曲石墨面的...
- 陈小华彭景翠张振华谢中王健雄李宏健翦知渐夏辉瞿述
- 关键词：石墨球磨
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- 碳纳米管增强金属表面研究
- 利用碳纳米管作为增强相对金属表面进行改性,并对其表面形貌、耐磨性和耐腐蚀性能进行了测试分析。结果表明,碳纳米管均匀地嵌镶于基体中,并且端头露出,覆盖于基体表面.磨损实验显示了该镀层具有优异的耐磨性和自润滑性。失重法分析表...
- 陈小华王健雄彭景翠谢中李宏健张振华夏辉翦知渐瞿述
- 关键词：碳纳米管表面改性形貌耐磨性耐腐蚀
- 文献传递
- 5,6,11,12-四苯基四苯并掺杂8-羟基喹啉铝薄膜的荧光谱及发光机理被引量：7
- 2002年
- 用高荧光染料的 5 ,6 ,11,12 四苯基四苯并对 8 羟基喹啉铝进行掺杂 ,测量其光致发光和电致发光谱。结果表明 :在低掺杂时 ,主发光体是Alq ,掺入的Rubrene作为客发光体只是在Alq带隙中引入了分立能级 ;随着掺入的Rubrene浓度增加 ,Rubrene成了主发光体 ,Alq变成了客发光体 ,出现了发光体的互换现象。由于Rubrene的吸收光谱与Alq的发射谱重叠较大 ,在光致发光中存在从Alq向Rubrene的能量传递和电荷转移过程 ,而电致发光则是由于Rubrene导带 (LUMO)比Alq导带 (LUMO)低很多 ,且它们价带 (HOMO)基本相同 ,使得从负电极注入到Rubrene导带中电子浓度远大于注入到Alq导带中电子浓度 ,造成Rubrene导带电子与价带空穴复合的几率比Alq中的复合几率大得多 。
- 李宏建彭景翠瞿述夏辉许雪梅罗小华
- 关键词：掺杂8-羟基喹啉铝荧光谱发光机理分立能级
- 有机电致发光器件中载流子的注入和输运
- 以高场作用下载流子对三角势垒的Fowler-Nord heim隧穿理论为基础,建立了单层有机电致发光器件中载流子输运和复合发光模型,给出了薄膜中电子—空穴对的解离和复合概率及电子和空穴的密度分布。计算并讨论了所加电压和注...
- 李宏建彭景翠许雪梅瞿述陈小华夏辉罗小华
- 关键词：电致发光器件载流子注入载流子输运
- 文献传递
- 一维类梳状光子晶体中的缺陷模研究被引量：4
- 2002年
- 本文研究了一种一维类梳状光子晶体的带结构及缺陷态对带隙的影响。发现这种结构的带隙来源于结构的周期性及所接分支所形成的共振态。通过移去或插入一定数目的缺陷分支在带隙中将形成局域态 ,通过对透射系数的研究 ,发现局域态以窄的尖峰形式出现在透射谱中 ,并且 ,局域态的性质与所接缺陷的数目。
- 夏辉彭景翠张波云李宏建翦之渐周仁龙
- 关键词：带隙局域态
- 钝化多孔硅的光致发光被引量：13
- 2002年
- 选用含有胺基的正丁胺 (CH3CH2 CH2 CH2 - NH2 )作碳源 ,采用射频辉光放电法制备碳膜对多孔硅进行碳膜钝化 ,其光致发光谱和存放实验表明 :正丁胺对多孔硅进行钝化是一种十分有效的多孔硅后处理途径 .研究了钝化多孔硅的光致发光谱随钝化温度和钝化时间的变化关系 ,其结果显示
- 李宏建彭景翠许雪梅瞿述夏辉
- 关键词：多孔硅光致发光谱
