孙伟峰
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家攀登计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- UHV-CVD生长的SiGe多量子阱在热光电池领域的应用被引量：1
- 2005年
- 为了验证SiGe多量子阱的能带向直接带隙结构转变[1]和进一步探索其在热光电池领域的应用,采用先进的超高真空化学气相沉积系统生长出高质量的SiGe多量子阱外延层,并对其进行多次反射红外线吸收谱的测量.测量结果说明吸收峰接近黑体辐射峰1450nm波长,跃迁几率有所增加,这将大幅度提高热光电池的吸收效率,同时也为SiGe多量子阱中量子效应的存在提供了实验依据.
- 孙伟峰叶志镇朱丽萍赵炳辉
- 关键词：多量子阱黑体辐射
- 应用于无线电发射领域的第二代SiGe技术进展被引量：1
- 2005年
- SiGe 1器件性能出色,在射频器件中的频率高达50GHz,已用于制造 GSM、DCS、GPS 中的 LNA、PA、DACs 和混频器等。为了满足将来产品更新换代和制造高尖端产品的需要,现在的一些公司(如 Atmel wireless andMicrocontrollers)已经发展了第二代 Si/SiGe 双极技术(SiGe2)。这种高性能的新技术可使发射区的宽度降到0.5μm,输运频率 f_T 和最大震荡频率 f_(max)达到90GHz 以上;5GHz 和20GHz 的最大稳定增益(MSG)分别为22dB 和11dB。SiGe 2技术能制造出应用更加广泛的各种器件,而0.5μm CMOS 技术还处于发展阶段。
- 孙伟峰叶志镇赵炳辉朱丽萍
- 关键词：SIGE双极MSGSI/SIGE发射区
- SiGe／Si异质结光电器件被引量：2
- 2006年
- SiGe／Si异质结光电器件及其光电集成(OEIC)是硅基光电研究的一个非常引人注目的领域。综述了SiGe／Si异质结材料的基本性质,SiGe／Si异质结光电器件的结构、性能、应用及其光电集成。重点介绍了SiGe／Si光电探测器及其与其他相关器件的集成。
- 刘国军叶志镇吴贵斌孙伟峰赵星赵炳辉
- 关键词：SIGE/SI异质结光电器件光电集成
- UHV/CVD外延生长硅及锗硅单晶薄膜
- 本文采用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)技术，对较低的温度(550～660℃)下生长硅和锗硅外延工艺及其应用进行研究。主要包括锗硅单层和多层(多量子阱和超晶格)结构的外延生长和表征以及对外延生长高质量的弛豫锗硅虚衬...
- 孙伟峰
- 关键词：超高真空化学气相沉积单晶薄膜锗硅多量子阱
- 文献传递
