孙金坛
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：合肥工业大学应用物理系更多>>
- 相关领域：电子电信生物学理学一般工业技术更多>>
- AlN-Si_3N_4膜
- 1994年
- 用直流反应溅射沉积AlN－Si3N4膜。通过红外吸收光谱和X射线衍射来验证薄膜的结构。通过各种测量，给出了吸收系数、电阻率、应力、硬度和结合力。实验表明，AlN－Si3N4膜具有良好的光、电和机械特性。
- 孙金坛邱德润
- 关键词：化学气相沉积
- 射频离子辐射损伤的激光退火
- 1985年
- 本文介绍了等离子刻蚀和去胶对MOS、MNOS电容器和双极晶体管所产生的辐射损伤的激光退火,用连续CO_2激光器从背面照射蕊片,可以明显地降低各种MIS结构中的固定电荷和界面陷阱,完全消除辐射损伤,使被损伤的器件特性得到恢复并有所改善,使集成电路成品率明显提高。
- 孙金坛程国义王和庆
- 关键词：等离子刻蚀激光退火连续CO2激光器射频MIS结构固定电荷
- 掺硼对非晶碳化硅膜的影响
- 1994年
- 试验观测了掺硼对氢化非晶碳化硅膜生长速率、膜的组分、光学带隙、电导率、硬度和结合力的影响．结果证明，用薄离子作分解（ＳｉＨ４和ＣＨ４）混合气体制备的α－Ｓｉ１－ｘ：ＣＸ：Ｈ膜能有效的掺杂．硼掺杂可改变光学带隙、电导率和硬度．退火可增加薄膜的硬度和结合力．
- 孙金坛邱德润
- 关键词：掺硼光学带隙
- 硅片背面激光损伤的吸杂效果
- 1993年
- 本文介绍了硅片背面激光损伤吸杂实验,用金相显微镜观察证实了高温退火后激光损伤的热稳定性,研究了激光损伤对氧化层错(OSF)和载流子寿命的影响,用中子活化分析法测出了吸杂效果。
- 孙金坛陈军宁
- 关键词：激光损伤热稳定性氧化层硅片
- a-Si:O:H钝化膜被引量：1
- 1989年
- 本文报道了用等离子放电SiH_4+H_2+H_2O混合气体淀积的氢化非晶硅氧合金膜,均匀、致密、耐腐蚀、半绝缘、电中性、富含氢,是较理想的半导体器件表面钝化膜.兼有SiO_2和a-Si_2H的优点,而又克服了它们各自的缺点.用氢化非晶硅氧合金膜钝化平面晶体管,不仅明显地改善了小电流放大系数,而且放在盐水里浸几个小时后,特性不变.
- 孙金坛邹永庆
- 关键词：半导体钝化膜
- 全文增补中
- GaAs MESFET的压力敏感特性被引量：2
- 1994年
- 本文研究了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ对应力的敏感特性，分析了敏感原理。对ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ用作力学量传感器的可能性进行了讨论。
- 孙金坛陈军宁
- 关键词：GAASMESFET压力效应传感器
