常遇春
- 作品数：4 被引量：4H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜
- 本文采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜,并在空气中800℃退火1小时.生长及退火样品的XRD图谱均显示了较强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长.通过拉曼光谱的结果分析,显示退火后...
- 张源涛刘大力马艳杨小天赵佰军张景林常遇春李万程杨天鹏刘博阳杨洪军杨树人杜国同
- 关键词：ZNO薄膜SI衬底MOCVD退火宽禁带半导体材料
- 文献传递
- 采用MOCVD法在p型Si衬底上生长ZnO薄膜
- 2005年
- 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型S i(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜。在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在S i衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),氧源为氧气(O2)。通过X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和荧光光(PL)谱研究了薄膜的结构和光学特性。研究表明温度为610℃时生长的ZnO薄膜显示最好的结构和光学特性。此外,所生长n-ZnO/p-S i异质结的I-V特性曲线都表现明显的整流特性,且反向漏电流很小。在620℃生长的异质结的漏电流相对最大,大于在其它温度下生长的异质结的漏电流。
- 张源涛崔勇国张宝林朱慧超李万成常遇春杨树人杜国同
- 关键词：ZNO薄膜SI衬底PL谱异质结
- 氧化锌薄膜生长与ZnO基薄膜晶体管制备(英文)被引量：2
- 2008年
- 通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长ZnO薄膜。XRD测试显示出(002)晶面的强衍射峰,表明生长的ZnO薄膜是主度的c轴取向。基于ZnO薄膜基础,我们制备了ZnO基薄膜晶体管。
- 马仙梅杨小天朱慧超王超高文涛金虎齐晓薇高博付国柱荆海马凯常遇春杜国同
- 关键词：氧化锌薄膜晶体管MOCVD
- 氧化锌基薄膜晶体管制备与研究被引量：2
- 2008年
- 以玻璃为衬底,利用金属有机化学气相沉积( MOCVD)方法,在360℃附近实现ZnO薄膜的生长。利用ZnO为有源层制备底栅型薄膜晶体管。SiO2被用作栅绝缘材料以有效的抑制漏泄电流的产生,达到氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)成功运作目的。ZnO-TFT的电流开关(on/off)比达到104以上。ZnO-TFT在可见光区平均光透过率大约为80 %。以上表明利用ZnO替代传统Si材料作有源层材料制备透明薄膜晶体管是可能的。
- 杨小天马仙梅朱慧超高文涛金虎齐晓薇高博董秀茹付国柱荆海王超常遇春杜国同曹健林
- 关键词：氧化锌薄膜晶体管MOCVD
