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曾坤

作品数:13 被引量:9H指数:2
供职机构:华南师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金广东省科技攻关计划更多>>
相关领域:理学交通运输工程机械工程更多>>

文献类型

  • 10篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 7篇晶体管
  • 7篇光晶体管
  • 7篇发光
  • 7篇发光晶体管
  • 5篇功率
  • 5篇大功率
  • 4篇导体
  • 4篇缓冲层
  • 4篇半导体
  • 3篇汽车
  • 3篇金属半导体
  • 3篇掺杂
  • 3篇场效应
  • 3篇大功率LED
  • 2篇灯具
  • 2篇低浓度
  • 2篇第一性原理
  • 2篇第一性原理研...
  • 2篇多量子阱
  • 2篇远光

机构

  • 13篇华南师范大学

作者

  • 13篇曾坤
  • 12篇郭志友
  • 12篇赵华雄
  • 11篇孙慧卿
  • 7篇范广涵
  • 7篇高小奇
  • 5篇王雨田
  • 3篇张建中
  • 3篇邓贝
  • 1篇林竹

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇华南师范大学...

年份

  • 1篇2011
  • 8篇2010
  • 4篇2008
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
ZnSe的结构和热力学性质的研究被引量:3
2010年
采用第一性原理的平面波极软赝势的密度泛函理论研究了ZnSe的结构,在0K时晶格常数、体弹性模量及其对于压强的一阶导数。计算结果与实验值和其它理论计算的结果相符。通过准谐德拜模型,计算出不同温度和压强下的热容和德拜温度热膨胀系数。发现ZnSe的热容随着压强的增加而减小,德拜温度随着压强的增加而增加。并成功地获得了0GPa下体弹性模量、热容和热力学温度的关系。
王雨田孙慧卿郭志友曾坤赵华雄
关键词:热力学性质
一种金属半导体场效应发光晶体管及其制作方法
本发明公开了一种金属半导体场效应发光晶体管及其制作方法。一种金属半导体场效应发光晶体管,包括衬底和衬底上的缓冲层;包括在缓冲层之上的第一高掺杂n型层及在第一高掺杂n型层之上依次生长的多量子阱层、p型层;包括在缓冲层之上的...
郭志友曾坤赵华雄高小奇孙慧卿范广涵
文献传递
投射式LED汽车远光灯具
本发明公开了一种投射式LED汽车远光灯具,其特征在于包括4颗大功率LED,每颗LED为单芯片制成;具有四个反射平面,每颗LED对应不同的反射平面,每颗LED发出的中心出光方向与其对应的反射平面垂直,第一反射平面与第二反射...
郭志友孙慧卿邓贝王雨田赵华雄曾坤
一种金属半导体场效应发光晶体管及其制作方法
本发明公开了一种金属半导体场效应发光晶体管及其制作方法。一种金属半导体场效应发光晶体管,包括衬底和衬底上的缓冲层;包括在缓冲层之上的第一高掺杂n型层及在第一高掺杂n型层之上依次生长的多量子阱层、p型层;包括在缓冲层之上的...
郭志友曾坤赵华雄高小奇孙慧卿范广涵
文献传递
投射式LED汽车远光灯具
本发明公开了一种投射式LED汽车远光灯具,其特征在于包括4颗大功率LED,每颗LED为单芯片制成;具有四个反射平面,每颗LED对应不同的反射平面,每颗LED发出的中心出光方向与其对应的反射平面垂直,第一反射平面与第二反射...
郭志友孙慧卿邓贝王雨田赵华雄曾坤
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Ni掺杂AlN铁磁性的第一性原理研究被引量:6
2010年
采用密度泛函理论(DFT)的总体能量的平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA),对Ni掺杂AlN32原子超原胞体系分别进行了几何结构优化,计算和分析了Ni掺杂AlN的结构、能带、电子态密度、集居数及体系总能.结果表明,Ni掺杂AlN会产生自旋极化,能带结构显示6.25%Ni掺杂AlN呈现半金属性质,有铁磁性,铁磁性可以用Ni和相邻的N之间的p-d杂化机制来解释.Ni掺杂的AlN应该是一种有应用前景的稀磁半导体DMS.
曾坤郭志友王雨田赵华雄林竹
关键词:NIALN第一性原理铁磁性
反射和折射式LED汽车灯具
本发明公开了一种反射和折射式LED汽车灯具,其包括四颗大功率LED及四个抛物线形反光杯,每颗LED的出光直径小于10mm;每颗LED位于一个抛物线形反光杯的抛物线顶点处,在每个抛物线形反光杯的焦点处均设有光线折射锥体;L...
郭志友孙慧卿王雨田邓贝赵华雄曾坤
文献传递
一种大功率发光晶体管及其制备方法
本发明公开了一种大功率发光晶体管及其制备方法,第一高浓度n型层(10)旁依次为低浓度n型层(9)和第二高浓度n型层(6),低浓度n型层(9)与第二高浓度n型层(6)的上面覆盖着本征层(5),第一高浓度n型层(10)和本征...
郭志友赵华雄孙慧卿曾坤高小奇张建中范广涵
文献传递
一种垂直栅极结构的发光晶体管及其制备方法
本发明公开了一种垂直栅极结构的发光晶体管及其制备方法。本发明的发光晶体管,在衬底上依次生长着缓冲层、高浓度n型层、本征层、多量子阱层、p型层;缓冲层、高浓度n型层和本征层的外侧依次包裹着氧化物层和金属铝层,在高浓度n型层...
郭志友高小奇赵华雄曾坤孙慧卿范广涵
文献传递
大功率金属半导体场效应发光晶体管
本发明公开了一种大功率金属半导体场效应发光晶体管,其特征在于在外延片的衬底上包括中心区的n型电子发射层,边缘区的n型电子发射层,n型电子发射层的中心区与边缘区之间是闭合的栅极区,中心区的n型电子发射层上面生长着量子阱层,...
孙慧卿郭志友赵华雄高小奇曾坤张建中范广涵
文献传递
共2页<12>
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