您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇多功能芯片
  • 1篇信号
  • 1篇亚微米
  • 1篇深亚微米
  • 1篇收发
  • 1篇特征尺寸
  • 1篇微米
  • 1篇线宽
  • 1篇芯片
  • 1篇流淌
  • 1篇截止频率
  • 1篇开关
  • 1篇光刻
  • 1篇光刻胶
  • 1篇发射信号
  • 1篇放大器
  • 1篇分辨率

机构

  • 3篇南京电子器件...

作者

  • 3篇朱赤
  • 2篇黄念宁
  • 1篇康耀辉
  • 1篇李建平
  • 1篇吴礼群
  • 1篇彭龙新
  • 1篇章军云
  • 1篇高建峰
  • 1篇林罡
  • 1篇陈金远
  • 1篇高剑锋
  • 1篇张政

传媒

  • 3篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2010
  • 1篇2009
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
光刻胶流淌实现深亚微米栅工艺被引量:3
2018年
基于0.15μm分辨率扫描式光刻机实现0.1μm栅光刻的光刻胶流淌工艺。通过合理选择光刻胶烘烤温度、烘烤时间和圆片表面处理工艺,实现线宽均匀性好、工艺窗口满足要求的0.1μm线条。实验结果表明,圆片表面状态对光刻胶流淌工艺有重要影响。采用热流淌工艺形成的胶剖面在HEMT器件双层胶工艺中有重要应用,可实现极限分辨率的突破及栅剖面形貌的优化,有利于提升器件成品率和可靠性。
朱赤王溯源章军云林罡黄念宁
关键词:分辨率特征尺寸
具有136GHz的0.18m GaAs Metamorphic HEMT器件
2009年
应用电子束直写技术成功制作了栅长0.18μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件结构,特别是T形栅结构,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT饱和电流达到275mA/mm,夹断电压-0.8V,在Vgs为-0.15V时的最大非本征跨导gm为650mS/mm,截止频率ft达到136GHz,最大振荡频率fmax大于120GHz。
康耀辉张政朱赤高剑锋
关键词:T形栅截止频率
K波段收发集成多功能芯片被引量:1
2010年
彭龙新朱赤陈金远李建平高建峰黄念宁吴礼群
关键词:多功能芯片K波段收发SPDT开关低噪声放大器发射信号
共1页<1>
聚类工具0