朱赤
- 作品数:3 被引量:4H指数:1
- 供职机构:南京电子器件研究所更多>>
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- 光刻胶流淌实现深亚微米栅工艺被引量:3
- 2018年
- 基于0.15μm分辨率扫描式光刻机实现0.1μm栅光刻的光刻胶流淌工艺。通过合理选择光刻胶烘烤温度、烘烤时间和圆片表面处理工艺,实现线宽均匀性好、工艺窗口满足要求的0.1μm线条。实验结果表明,圆片表面状态对光刻胶流淌工艺有重要影响。采用热流淌工艺形成的胶剖面在HEMT器件双层胶工艺中有重要应用,可实现极限分辨率的突破及栅剖面形貌的优化,有利于提升器件成品率和可靠性。
- 朱赤王溯源章军云林罡黄念宁
- 关键词:分辨率特征尺寸
- 具有136GHz的0.18m GaAs Metamorphic HEMT器件
- 2009年
- 应用电子束直写技术成功制作了栅长0.18μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件结构,特别是T形栅结构,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT饱和电流达到275mA/mm,夹断电压-0.8V,在Vgs为-0.15V时的最大非本征跨导gm为650mS/mm,截止频率ft达到136GHz,最大振荡频率fmax大于120GHz。
- 康耀辉张政朱赤高剑锋
- 关键词:T形栅截止频率
- K波段收发集成多功能芯片被引量:1
- 2010年
- 彭龙新朱赤陈金远李建平高建峰黄念宁吴礼群
- 关键词:多功能芯片K波段收发SPDT开关低噪声放大器发射信号