李玉玲 作品数:5 被引量:7 H指数:2 供职机构: 中国电子科技集团公司第四十九研究所 更多>> 相关领域: 自动化与计算机技术 电子电信 化学工程 更多>>
集成加速度传感器敏感芯片性能影响因素及其仿真分析 被引量:1 2016年 从集成加速度传感器敏感芯片结构参数的设计入手,分析了支撑梁厚度、电容初始间隙、质量块等敏感芯片结构参数对传感器灵敏度、非线性等性能的影响。同时利用结构分析软件ANSYS进行仿真分析,并对优化后的敏感芯片结构参数进行验证,结果表明:该结构的敏感芯片使加速度传感器灵敏度能够达到10 m V/gn以上,非线性优于2%。 齐虹 王明伟 丁文波 李玉玲 王晓光关键词:结构参数 流量传感器中敏感薄膜电阻制备及其特性分析 被引量:1 2016年 通过对热膜式流量传感器中敏感薄膜电阻制备技术的研究,分别介绍了流量传感器中敏感薄膜电阻设计的基本原理、敏感薄膜生长方法及一些具体应用实例。分析了影响薄膜黏附性和内应力的工艺因素,提高了敏感薄膜电阻的温度系数,制作出了具有良好稳定性和一致性的敏感薄膜电阻,满足流量传感器的使用要求。使流量传感器重复性可达±1%,该制备方法适用于热膜式流量传感器的小批量生产。 齐虹 李玉玲 王晓光 张岩 寇文兵关键词:流量传感器 温度系数 微薄膜结构的湿法腐蚀技术研究 2012年 通过对流量传感器制造工艺中微薄膜结构的研究,分别介绍了采用氢氧化钾和四甲基氢氧化铵(TMAH)交替腐蚀实现感应薄膜释放的基本原理、工艺方法、工艺参数,及在制作流量芯片中的具体应用实例,实现了微米级厚度薄膜释放,为流量传感器和其它需要超薄薄膜微结构的制作奠定了基础。 李玉玲 齐虹 张岩关键词:湿法腐蚀 TMAH KOH 低应力Si_3N_4介质膜的制备工艺优化 被引量:2 2010年 低应力Si3N4介质膜对于制作微结构传感器是非常重要的。本文通过采用正交试验设计,优化出Si3N4介质膜制备的低应力工艺参数,并给出了Si3N4薄膜应力的测试方法和测试结果。 李海博 齐虹 王晓光 李玉玲关键词:正交试验 应力测试 三层硅加速度敏感芯片BCB键合工艺研究 被引量:3 2015年 采用非光敏苯并环丁烯(BCB)进行MEMS压阻式加速度敏感芯片三层结构制作。BCB键合具有工艺温度低、键合表面要求低等特点,适用于芯片的圆片级封装。但是固化过程中BCB粘度随温度升高而下降,流动性变大,在毛细作用的影响下沿着微小间隙流淌,导致可动部件粘连,器件失效。通过控制BCB厚度、增加BCB阻挡槽解决了可动部件粘连问题,制作了三层硅结构的加速度敏感芯片。样品漏率小于1.0×10-10Pa·m3/s,键合剪切强度大于20MPa,能够满足航天、工业、消费电子等各领域的应用需求。 刘智辉 田雷 李玉玲 尹延昭关键词:微机电系统 加速度计 苯并环丁烯 键合 毛细作用