潘传康
- 作品数：9 被引量：14H指数：2
- 供职机构：南昌大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：江西省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- ZnSe-ZnS应变超晶格的光致发光
- 1992年
- 本文讨论了使用常压金属氧化物化学汽相沉积(MOCVD)技术生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的发光特性。ZnSe-ZnS应变超晶格的发射光谱,在高密度激发下通常仅存在一个发射峰;在低密度激发下除带边发射之外,还存在深中心的发射;与低密度激发相比,高激发下发光峰值红移且其半高宽展宽,高质量的ZnSe-ZnS应变超晶格在低激发下,带边发光很强,而深中心发射能被大大抑制,我们观测到一个新的激子发射峰,考虑应变效应与量子限制效应,本文将这一新的发射峰归结为与n=1的轻空穴激子有关的复合发光。
- 江风益潘传康范广涵范希武
- 关键词：半导体超晶格光致发光
- ZnSe-ZnS应变超晶格的质量鉴别被引量：1
- 1992年
- 本文报道一种鉴别ZnSe-ZnS应变超晶格质量的方法——低密度激发下的光致发光.文中讨论了ZnSe-ZnS应变超晶格的深中心发射是否受到抑制,与其结晶质量有着强烈的依赖关系.当阱宽、垒宽小于它们的临界厚度时,深中心发射能被大大抑制.这种鉴别 ZnSe-ZnS超晶格质量的方法,比看激子峰半高宽可以更灵敏地了解超晶格的质量.
- 江风益潘传康范广涵范希武
- 关键词：超晶格
- 应用散斑照相法测量三维非对称温度场被引量：8
- 1995年
- 提出一种光线偏折角放大方法用于提高散斑照相测量灵敏度。应用散斑照相法测定了三维非对称温度场，通过卷积背投影公式得到了ｚ为常数的某个层面的温度分布。实验表明此方法适用于几何尺度较小或温度梯度较小的三维位相物体温度场的散斑照相测量。
- 马力王鸣潘传康
- 关键词：温度场散斑照相法
- 反常退沟道现象与有效沟道模型
- 1994年
- 我们在对Ⅱ—Ⅳ族ＺｎＳｅ／ＺｎＳ和Ⅲ—Ⅴ族ＧａＳｂ／ＡｌＳｂ应变超晶格进行离子束沟道测试中发现，反常退沟道现象与超晶格的层厚有密切的关系。通常所认为的［１１０］反常退沟道现象普遍存在于应变超晶格中这一结论并不完全正确。使用我们提出的有效沟道模型及其沟道宽度计算公式完整地解释了这种现象。
- 潘传康江风益
- 关键词：半导体超晶格离子束
- MOCVD生长MgS薄膜被引量：3
- 1998年
- 我们首次采用ＭＯＣＶＤ外延技术在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＭｇＳ薄膜，获得了具有ＮａＣｌ结构的ＭｇＳ单晶膜，并测量了纤锌矿结构ＭｇＳ的晶格常数．
- 廖清华范广涵江风益熊传兵彭学新潘传康
- 关键词：MOCVD生长
- ZnSe-ZnS应变超晶格的Raman散射被引量：2
- 1991年
- 本文报导了Znse—ZnS应变超晶格的Raman光学声子谱.我们观测到,随着应变大小的改变,ZnSe和ZnS的纵向光学声子发生频移.ZnSe层中纵向光学声子可发生较大的蓝移,也可发生较小的红移;ZnS层中的纵向光学声子发生较大的红移.这些现象为“应变场下的光学模理论”所解释.文中还报导了在波数为110cm^(-1)处观测到一很强的散射峰,并把它归结为超晶格表面层单斜Se所引起的散射;在其它地方还观测到非晶态Se、三角Se引起的散射峰.
- 江风益杨爱华范希武范广涵潘传康
- 关键词：ZNSEZNS应变超晶格喇曼散射
- ZnSe－ZnS应变超晶格光学振动模的研究
- 1995年
- 本文给出了ＣａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ－ＺｎＳ应变超晶格的室温Ｒａｍａｎ分析，观测了该超晶格中ＺｎＳｅ子层和ＺｎＳ子层的纵光学振动模（ＬＯ），首次发现在一些样品中ＺｎＳｅ子层的纵光学声子模ＬＯＺｎＳ出现红移，另一些样品中ＬＯＺｎＳｅ出现蓝移，而ＺｎＳ子层的ＬＯＺｎＳ总是向低波数方向移动，并利用限制效应和应变效应给出了解释。
- 江向平肖新民江风益潘传康
- 关键词：超晶格LO硒化锌
- 短周期GaSb/A1Sb应变超晶格的沟道效应
- 1994年
- 把RBS(Rutherford backscattering)及沟道(Channeling)技术应用于超晶格结构的研究起始于1980年Saris等人的工作.他们发现沿着晶轴方向应变超晶格的反常沟道现象,即[110]沟道产额明显高于[100]沟道产额.这个结果被解释为应变超晶格的[110]晶轴的扭折(Zig-Zag)所致.潘传康、朱唯干等人为测量这种扭折角△θ(Kink angle),提出了离子束分层沟道扫描方法,成功地测量了GaSB/Alsb应变超晶格的△θ.这种方法现已被用来测量十余种其它类应变结构的△θ.其中Gossmann等人用此法而获得 AISb(196(?))/GaSb(100(?)异质结的分层角扫描谱.文献[3,4]报道了周期为600(?)的GaSb/AlSb应变超晶格的十分明显的反常沟道效应.
- 潘传康江风益
- 关键词：超晶格锑化镓沟道效应应变超晶格
- MOCVD法生长的ZnSe外延单晶膜的光致发射光谱特性的研究
- 1991年
- 本文研究了在MOCVD系统上生长的ZnSe单晶膜的光致发光特性,观察到77K下自由激子发射,束缚激子发射,施主受主对发射及其声子伴线。Raman背散射测量表明ZnSe LO声子能量31mev。
- 江向平江风益程齐贤潘传康肖新民
- 关键词：LO声子
