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王晓彬

作品数：7 被引量：9H指数：2
供职机构：清华大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇软恢复
  • 3篇快速软恢复
  • 3篇二极管
  • 2篇特性参数
  • 2篇金属薄膜
  • 2篇晶闸管
  • 2篇反向恢复
  • 2篇反向恢复时间
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体二极管
  • 2篇DI/DT
  • 1篇电机
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇自动控制
  • 1篇线路过载
  • 1篇机组负荷
  • 1篇功率
  • 1篇功率二极管
  • 1篇过载
  • 1篇发电机

机构

  • 7篇清华大学

作者

  • 7篇王晓彬
  • 4篇张斌
  • 3篇张清纯
  • 2篇陈永麒
  • 2篇王培清
  • 1篇张斌

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇清华大学学报...
  • 1篇电力电子技术

年份

  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1994
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
新型大功率快速软恢复二极管:SIOD被引量：5
1998年
提出了用于高频电力线路中的一种大功率软恢复二极管新结构。该二极管阳极由低注入效率的ｐ区及高注入效率的ｐ＋区组成。大电流下ｐ＋区的高注入效率使二极管正向压降显著降低，而在换向时，ｐ区的低注入效率又能使反向峰值电流显著下降，反向电流衰减明显变软。阴极是采用理想欧姆接触结构，同时为电子和空穴提供抽取通道，大大降低了反向恢复时间。采用传统功率半导体器件的常规工艺，做出了反向恢复软度因子ｔＢ／ｔＡ最大，ｄｉ（ｒｅｃ）／ｄｔ最小的大功率二极管。测试证明其电气特性优于国内外同类型的大功率二极管。
张清纯张斌王晓彬
关键词：二极管欧姆接触功率二极管
提高800A 10kHz高频晶闸管性能的研究
王晓彬
阴极图形对高频晶闸管di/dt的影响被引量：4
1996年
阴极图形对高频晶闸管ｄｉ／ｄｔ的影响ＴｈｅＥｆｆｅｃｔｏｆＣａｔｈｏｄｅＣｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎｏｎｄｉ／ｄｔＣａｐａｂｉｌｉｔｙｏｆＨｉｇｈＦｒｅｑｕｅｎｃｙＴｈｙｒｉｓｔｏｒ￥／／清华大学王晓彬，王培清，张斌（北京１０２２０１）１前言ｄｉ／ｄｔ...
王晓彬王培清张斌
关键词：高频晶闸管
大功率快速软恢复二极管SIOD管芯结构
本发明属于半导体二极管设计领域。本发明(SIOD)包括阳极区、基区、阴极区以及金属薄膜构成的二个电极。阳极区由P区及多个均匀分布在该P区中的呈圆形的P<Sup>+</Sup>区,基区为N区,阴极区由多个条状的N<Sup>...
张清纯张斌陈永麒王晓彬
文献传递
线路过载自动控制机组负荷的研究
该文针对电力系统的需要,将电厂主要功率出线的电气量集中统一监控研制了采用工控机为主体的微机型线路过载自动控制机组负荷装置.文中提出了微机型线路过载自动控制机组负荷装置的设计方案,包括装置的基本结构和软硬件系统的总体框架....
王晓彬
关键词：线路过载发电机
大功率快速软恢复二极管管芯结构
本发明属于半导体二极管设计领域。本发明(SIOD)包括阳极区、基区、阴极区以及金属薄膜构成的二个电极。阳极区由P区及多个均匀分布在该P区中的呈圆形的P<Sup>+</Sup>区，基区为N区，阴极区由多个条状的N<Sup>...
张清纯张斌陈永麒王晓彬
文献传递
提高高频晶闸管di/dt耐量的研究被引量：1
1997年
为提高高频晶闸管的动态指标和高频性能，通过实验分析和理论推导，研究了工艺参数和设计参数对高频晶闸管ｄｉ／ｄｔ耐量的影响。实验结果表明：较低的一扩浓度，较薄的基区宽度以及用高能电子辐照控制少子寿命，有利于提高ｄｉ／ｄｔ耐量。通过对相同工艺三种不同阴极图形的８００Ａ、１０ｋＨｚ高频晶闸管ｄｉ／ｄｔ的研究，论证了合理确定辅助晶闸管面积对提高ｄｉ／ｄｔ的重要性，并指出，在大面积高频晶闸管中设计二级放大门极，有利于提高ｄｉ／ｄｔ耐量。
王晓彬王培清张斌
关键词：晶闸管
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