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王经纬
作品数:
42
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供职机构:
中国电子科技集团第十一研究所
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相关领域:
电子电信
文化科学
自动化与计算机技术
理学
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合作作者
刘铭
中国电子科技集团第十一研究所
王丛
中国电子科技集团第十一研究所
高达
中国电子科技集团第十一研究所
周立庆
中国电子科技集团第十一研究所
巩锋
中国电子科技集团第十一研究所
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作者
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王经纬
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刘铭
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王丛
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高达
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一种硅片湿化学清洗用夹具
本实用新型公开了一种硅片湿化学清洗用夹具,该硅片湿化学清洗用夹具包括内框结构和外框结构,所述内框结构用于固定硅片,所述外框结构用于固定所述内框结构,内框结构的第一内框把手和第二内框把手的底端圆弧形分别卡在外框结构两个第一...
王丛
刘铭
王经纬
周立庆
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双色红外探测器材料
本实用新型公开了一种双色红外探测器材料,该双色红外探测器材料依次包括:InSb衬底、In<Sub>1-x1</Sub>Al<Sub>x1</Sub>Sb下电极层、In<Sub>1-x1</Sub>Al<Sub>x1</S...
刘铭
巩锋
程鹏
王经纬
邢伟荣
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硅基复合衬底的加工方法
本发明提出了一种硅基复合衬底的加工方法,包括:获取硅片;在所述硅片上外延生长预设膜厚的第一缓冲层;其中,在所述第一缓冲层外延生长过程中,控制生长环境的温度变化速率小于等于10℃/min。根据本发明的硅基复合衬底的加工方法...
王丛
高达
王经纬
刘铭
刘兴新
于小兵
周立庆
文献传递
一种硅基碲化镉复合衬底预处理方法
本发明公开了一种硅基碲化镉复合衬底预处理方法,本发明在硅基碲化镉的最后阶段,即硅基碲化镉经过高温退火之后,增加一个工艺流程生长预设厚度的碲化镉层,且不经退火,实验证明,该方法能够使得碲化镉表面粗糙度减小至1nm以下,从而...
高达
王丛
王经纬
刘铭
宁提
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Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法
本发明公开了一种Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。该方法包括:进行外延级Si衬底清洗,去掉Si衬底的自然氧化层,形成人为氧化层;对Si衬底进行氧化层去除,并进行As钝化;采用迁移增强MME的方式生长ZnTe缓...
王经纬
巩锋
王丛
刘铭
强宇
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双色红外探测器材料及其制备方法
本发明公开了一种双色红外探测器材料及其制备方法,包括:对锑化铟晶体进行预处理,所述锑化铟为InSb,得到外延级的InSb衬底;根据响应波长范围设定铟铝锑中的Al组分的参数,所述铟铝锑为InAlSb,并在外延级的InSb衬...
刘铭
巩锋
程鹏
王经纬
邢伟荣
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用于分子束外延工艺中碲锌镉衬底的转移夹具
本实用新型提出了一种用于分子束外延工艺中碲锌镉衬底的转移夹具,其包括上夹板和下夹板,所述上夹板和所述下夹板分别包括:基板,所述基板上设置有沉降槽,所述沉降槽的侧壁上设置有用于支撑衬底的凸台,当所述上夹板扣合于所述下夹板上...
王经纬
文献传递
一种碲镉汞薄膜组分的测试方法
本发明提供了一种碲镉汞薄膜组分的测试方法,包括:将待处理的碲镉汞薄膜固定在样品台上,并将样品台放入红外光谱仪的样品腔室中;对样品腔室和红外光谱仪分别抽真空,再将样品腔室温度降至预定温度;启动红外光谱仪,按照预定调节范围调...
许秀娟
高达
折伟林
王经纬
Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法
本发明公开了一种Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。该方法包括:进行外延级Si衬底清洗,去掉Si衬底的自然氧化层,形成人为氧化层;对Si衬底进行氧化层去除,并进行As钝化;采用迁移增强MME的方式生长ZnTe缓...
王经纬
巩锋
王丛
刘铭
强宇
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一种加热罩及温控系统
本实用新型公开了一种加热罩及温控系统,涉及温度控制技术领域。该加热罩,包括:加热罩本体、加热部、以及一个或多个温度检测部;加热罩本体为一体化设计,包括:导热层、保温层和隔热层,导热层、保温层及隔热层由内到外依次紧密叠合;...
吴亮亮
钟国舜
高达
王丛
王经纬
刘铭
周立庆
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