缪向水
- 作品数：686 被引量：69H指数：4
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- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划湖北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信一般工业技术理学更多>>
- 一种电可调光学薄膜
- 本发明公开了一种电可调光学薄膜，属于光学薄膜、滤光显示领域；更为具体地，电可调光学薄膜基于纳米光学的谐振腔，通过调整每一层的厚度设计达到不同的滤光效果；作为透射式薄膜，从下到上依次为透明衬底，底部透明导电层，第一金属层，...
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- 一种相变存储器的擦写方法
- 本发明公开了一种相变存储器的擦写方法，其擦写包括通过对于相变存储器进行预操作使相变材料进入中间态，并且将相变材料在中间态以及非晶态之间进行可逆转变从而实现相变存储器的高低阻态循环，相较于传统的将相变材料在晶态以及非晶态之...
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- 一种硬件神经网络批归一化系统
- 本发明公开了一种硬件神经网络批归一化系统，包括级联的C层神经网络电路；第p层神经网络电路的输出控制电路与第p+1层神经网络电路中的权重区输入编码电路相连；p＝1,2,…,C‑1；第p层神经网络电路包括权重区输入编码电路、...
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- 一种非对称铁电隧穿结多值存储单元的调制方法
- 本发明提供了一种非对称铁电隧穿结多值存储单元的调制方法及其对应的存储单元、存储器。该多值存储单元包括N个铁电功能层；N个铁电功能层分别具有不同的矫顽场值，以使N个铁电功能层在施加第一激励后仍呈现出不同的剩余极化差异，进而...
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- 一种基于运算放大器的忆阻器编程电路及其操作方法
- 本发明公开了一种基于运算放大器的忆阻器编程电路及其操作方法，编程电路包括：阻变元件、运算放大器、脉冲开关、第一电阻；运算放大器的反相输入端作为编程电路的输入端，同时连接阻变元件的一端；阻变元件的另一端连接脉冲开关的一端，...
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- 铁电(Pb_(0.925)La_(0.075))(Zr_(0.65)Ti_(0.35))_(0.981)O_3薄膜的疲劳特性研究被引量：4
- 1995年
- 铁电薄膜(BaLiO_3,PbLiO_3,(Pb_(1-x)La_x)(Zr_yLi_(1-y))_(1-x/4)O_3(PLZL_x/y/(1-y)),LiNbO_3,Bi_4Li_3O_12等)在近20年来由于其在电、光学上的大量应用而被广泛地研究,尤其是铁电薄膜存储器综合了半导体存储器与磁存储器的优点,具有高速度、高密度、非挥发性和极好的抗辐射性等特点,并能与半导体工艺相兼容,是国际上研究的热门领域.这些应用都需要高质量的铁电薄膜,许多薄膜制备技术,如纪光闪蒸、溅射、外延沉积、化学蒸发沉积和sol-gel方法等,已被用于在各种衬底上制备铁电薄膜.
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- 关键词：铁电薄膜射频磁控溅射PLZT
- 一种基于量子电导效应的忆阻器及其制备调制方法及应用
- 本发明公开了一种基于量子电导效应的忆阻器及其制备调制方法及应用，忆阻器包括上电极、功能层和下电极，为MIM的crossbar结构；通过调控氩气和氧气的比例，制得具有不同厚度和氧空位的功能层材料；在调制中采用电压扫描或脉冲...
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- 不同退火时间对[Ag／FePt]10多层膜磁性能和微结构的影响被引量：4
- 2009年
- 采用射频磁控溅射的方法,在玻璃基片上制备了不同Ag层厚度的[Ag/FePt 2nm]10多层薄膜,经550℃真空热处理后,得到L10有序结构的FePt薄膜。实验结果显示,FePt单层薄膜经550℃退火30min后其易磁化轴处于垂直方向和面内方向之间,而550℃退火60min后其易磁化轴处于垂直于膜面方向,垂直矫顽力和面内矫顽力分别为634和302kA/m;真空退火后[Ag/FePt]10多层膜表现为面内磁晶各向异性,550℃退火60min后[Ag 2.8nm/FePt 2nm]10多层薄膜垂直矫顽力和面内矫顽力分别为309和778kA/m,并且随着Ag层的加入,部分FePt颗粒已经被Ag原子隔开了,颗粒之间的交换耦合作用变弱了。
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- 关键词：矫顽力退火时间
- 一种动态存储器操作方法
- 本发明公开了一种动态存储器操作方法，包括如下步骤：按照预先设定的间隔时间T对动态存储器进行刷新操作，同时实时接收操作指令，当接收到操作指令时，根据操作指令中被选中存储单元的位置信息对被选中存储单元进行读操作，并将读操作中...
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- 低密度变化的超晶格相变薄膜、相变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种低密度变化的超晶格相变薄膜、相变存储器及制备方法，该超晶格相变薄膜包括交替堆叠形成周期性结构的第一相变层和第二相变层；在晶化的过程中，第一相变层具有常规的正密度变化，而第二相变层具有反常的负密度变化，因此...
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