您的位置: 专家智库 > 作者详情>胡居涛

胡居涛

作品数:7 被引量:10H指数:2
供职机构:南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家高技术研究发展计划天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
相关领域:电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 5篇电气工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 7篇电池
  • 6篇柔性衬底
  • 6篇太阳电池
  • 6篇衬底
  • 2篇性能研究
  • 2篇硅太阳电池
  • 2篇非晶硅
  • 2篇薄膜太阳电池
  • 2篇PEN
  • 2篇
  • 2篇CH3
  • 1篇带隙
  • 1篇等离子体增强
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控溅射
  • 1篇气相沉积
  • 1篇晶化率
  • 1篇宽带隙
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积

机构

  • 7篇南开大学
  • 2篇东京工业大学
  • 1篇天津市光电子...

作者

  • 7篇胡居涛
  • 6篇蔡宏琨
  • 6篇张德贤
  • 6篇陶科
  • 4篇靳果
  • 3篇谢轲
  • 2篇赵静芳
  • 1篇隋妍萍
  • 1篇王林申
  • 1篇赵敬芳
  • 1篇谢珂

传媒

  • 2篇第十一届中国...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇中国科学:物...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
B(CH3)3掺杂p-μc-Si:H薄膜材料及其在太阳电池中的应用研究
硅基薄膜太阳电池已成为光伏发电系统中的重要组成部分,开发低成本、高效率的太阳电池是其研究的重点。对非晶硅及微晶硅太阳电池性能的提高,P型窗口层起着关键的作用。P型氢化微晶硅(p-μc-Si:H)薄膜材料具有高电导率、宽光...
胡居涛
关键词:柔性衬底硅太阳电池化学气相沉积等离子体增强
文献传递
柔性衬底硅基薄膜太阳电池的研究
本文介绍了本科研组近几年关于柔性衬底硅基薄膜太阳电池的最新进展。多年来,我们一直从事低温聚酰亚胺衬底非晶硅薄膜太阳电池的研究。近一年来,开展了廉价透明的PEN衬底p-i-n型柔性衬底硅基薄膜太阳电池的研究,以及柔性衬底非...
蔡宏琨陶科胡居涛靳果谢轲隋妍萍张德贤
关键词:薄膜太阳电池柔性衬底
文献传递
柔性PEN衬底ZnO:Ga薄膜的性能研究被引量:7
2011年
以PEN柔性薄膜作为衬底,采用直流对靶磁控溅射的方法,在室温下制备ZnO:Ga薄膜。研究了不同溅射功率和不同溅射压强下制备出的薄膜表现出不同的光学和电学特性。经过溅射压强和溅射功率的优化,获得薄膜厚约900nm、电阻率为7.72×10-4Ω.cm和可见光平均透过率超过75%的PEN衬底ZnO:Ga薄膜。将其应用于PEN透明柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池中,得到了转换效率为6.4%的太阳电池。
谢轲蔡宏琨陶科胡居涛靳果张德贤
关键词:PENZNO直流磁控溅射非晶硅电池
P型微晶硅碳的性能研究及其在柔性衬底太阳电池中的应用
2012年
采用RF-PECVD技术,将甲烷(CH4)作为碳的掺杂源沉积P型微晶硅碳薄膜材料,主要讨论P型微晶硅碳材料的结构和性能随CH4掺杂量的变化。采用X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱仪和傅里叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的结构进行表征。随CH4掺杂量的增加,材料的暗态电导率σd减小,薄膜的晶化程度降低。通过调整CH4的掺杂量得到暗态电导率σd为0.15S/cm和光学带隙Eg大于2.0eV的P型微晶硅碳材料。将其应用到PEN柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池上,得到电池效率为5.87%。
蔡宏琨陶科赵敬芳胡居涛张德贤
关键词:太阳电池柔性衬底PEN
P型微晶硅及其在柔性衬底太阳电池中的应用被引量:3
2013年
本文以B(CH3)3(TMB)为掺杂剂,通过射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对P型微晶硅(c-Si:H)薄膜材料进行了研究.通过测试材料电学、光学及微结构特性等,研究了硅烷浓度与掺杂浓度对薄膜性能的影响.将上述材料分别应用于PEN/ZnO柔性衬底及SnO2玻璃衬底的非晶硅薄膜太阳电池中,PEN柔性衬底的非晶硅太阳电池得到了4.63%的光电转换效率,玻璃衬底非晶硅太阳电池得到了5.72%的光电转换效率.
蔡宏琨陶科胡居涛靳果谢轲张德贤
关键词:柔性衬底非晶硅太阳电池
p型微晶硅的研究及其在柔性衬底太阳电池中的应用
本文以B(CH3)3(TMB)为掺杂剂,采用正交实验法,以硅烷浓度、TMB掺杂比、反应压强及气体总流量等主要沉积参数为实验组变量对p型微晶硅薄膜进行初步优化。在玻璃衬底上沉积厚度为80 mm左右的p型微晶硅(μc-Si:...
胡居涛蔡宏琨陶科赵静芳张德贤
关键词:柔性衬底硅太阳电池
文献传递
PI柔性衬底太阳电池用P型微晶硅碳薄膜材料及制备
PI柔性衬底太阳电池用P型微晶硅碳薄膜材料及制备,本发明涉及新能源中薄膜太阳电池领域。所述的P型微晶硅碳薄膜材料层厚15-30nm,电导0.15S/cm-10S/cm,带隙在2.0eV以上,晶化率为30%-50%。本发明...
蔡宏琨张德贤胡居涛陶科赵静芳王林申靳果谢珂
文献传递
共1页<1>
聚类工具0