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胡留长

作品数：14 被引量：30H指数：2
供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
发文基金：超高速专用集成电路重点实验室基金天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信建筑科学理学轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 3篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇理学

主题

  • 6篇离子注入
  • 4篇MOBILE
  • 3篇RTD
  • 3篇除氟
  • 2篇电流比
  • 2篇电阻
  • 2篇离子
  • 2篇峰谷电流比
  • 2篇RTT
  • 2篇SIO
  • 2篇TIO
  • 2篇除氟剂
  • 2篇串联电阻
  • 1篇电流峰谷比
  • 1篇氧化铈
  • 1篇英文
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶法
  • 1篇隧穿
  • 1篇隧道结

机构

  • 14篇天津大学
  • 3篇天津工业大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇南开大学
  • 1篇山东省农药研...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 14篇胡留长
  • 9篇郭维廉
  • 7篇梁惠来
  • 7篇张世林
  • 5篇宋瑞良
  • 4篇毛陆虹
  • 3篇冯震
  • 3篇商跃辉
  • 3篇齐海涛
  • 3篇李建恒
  • 3篇牛萍娟
  • 3篇王伟
  • 2篇于欣
  • 2篇李亚丽
  • 2篇王建萍
  • 2篇田国平
  • 2篇颜秀茹
  • 2篇宋宽秀
  • 1篇苗长云
  • 1篇胡小唐

传媒

  • 4篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇应用化学
  • 1篇中国稀土学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇天津大学学报
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇纳米技术与精...

年份

  • 5篇2007
  • 5篇2006
  • 1篇2005
  • 3篇1998
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
平面型RTD与BJT构成的串联单元特性分析
2007年
采用了n+-GaAs衬底和硼离子注入的新型工艺实现了共振隧穿二极管(RTD)的平面化,解决了台面型RTD工艺的不足,得到常温电流峰谷比为2.51∶的平面型RTD(PRTD);利用高级设计系统ADS电路模拟和实验测量对PRTD与BJT串联单元的不同串联方式的电压-电流特性进行了深入分析。这一特性的研究对RTD与异质结双极晶体管(HBT)、MOSFET、高电子迁移率晶体管(HEMT)等三端器件的结合具有普遍意义。
王伟牛萍娟郭维廉于欣胡留长
关键词：离子注入
平面型共振隧穿二极管与共振隧穿晶体管的研究与应用
本论文包括了平面型共振隧穿二极管的研制、台面型共振隧穿二极管的制作、由平面型共振隧穿二极管组成的MOBILE单元电路设计与测试、共振隧穿二极管的串联电阻的分析与测试以及共振隧穿晶体管的研制等研究内容.分别先后进行了器件的...
胡留长
关键词：MOBILE串联电阻离子注入
平面型共振隧穿二极管的制作(英文)
2007年
采用离子注入方法制作了一种新型平面共振隧穿二极管(RTD),通过离子注入将器件之间进行隔离,避免了传统台面型RTD中采用的台面刻蚀所带来的一些缺点,并且表现出良好的I-V特性,峰谷电流比为3.4.通过该方法制作的RTD将更有利于RTD的平面集成.
胡留长郭维廉张世林梁惠来
关键词：共振隧穿二极管离子注入峰谷电流比
平面型共振隧穿二极管和共振隧穿晶体管的研究与应用
胡留长
关键词：MOBILE串联电阻离子注入
RE_xO_y·nH_2O对氟离子的吸附性能被引量：5
1998年
The particulate hydrous oxides of rare-earth RExOy· nH2O(RE=Ce,Nd,La,Pr)have been prepared using polyacrylonitrile as adhesive agent. They showed better fluorideremoving property. The adsorption mechanism in relation with the pH value and temperatureof the solution have been discussed briefly.
宋宽秀颜秀茹胡留长王建萍杨朝晖
关键词：吸附剂除氟氟离子
栅型共振隧穿晶体管的设计与研制被引量：1
2006年
在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT).文中对该器件的材料结构设计、器件结构设计、光刻版图设计、器件制作、参数测量与分析等进行了系统的描述.所研制出的GRTT最大PVCR为46,最大跨导为8mS,为进一步改善器件性能和参数奠定了基础.
郭维廉梁惠来宋瑞良张世林毛陆虹胡留长李建恒齐海涛冯震田国平商跃辉刘永强李亚丽袁明文李效白
共振隧穿晶体管的反相器统一模型被引量：1
2007年
综合分析了各种不同结构的共振隧穿晶体管(RTT),将其等效为一反相器电路,建立了一个统一的RTT模型.在此模型中,按照处理反相器的方法来分析RTT的I-V特性,对各种不同类型的I-V特性给出了统一的解释.该模型所导出的结果与相应的电路模拟和电路模拟实验结果相一致.此RTT反相器统一模型可成为分析和设计各种RTT器件的有力工具.
郭维廉牛萍娟苗长云于欣王伟梁惠来张世林李建恒宋瑞良胡留长齐海涛毛陆虹
关键词：RTTI-V特性
RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管的设计与研制
2007年
对RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管进行了设计和研制.测量结果表明:最大电流峰谷比为17.6∶1,栅压对峰值电压调控能力在1.5～7.7范围内,-3dB截止频率为4GHz,此种器件可与HEMT在结构和工艺上兼容,可应用于HEMT高速电路.
梁惠来郭维廉宋瑞良齐海涛张世林胡留长李建恒毛陆虹商跃辉冯震田国平李亚丽
关键词：RTTRTDHEMT电流峰谷比
Ce_2O-TiO_2/SiO_2的制备及除氟性能研究被引量：22
1998年
以ＳｉＯ２为基质，ＣｅＯ２ＴｉＯ２为包覆物质，采用溶胶凝胶法制备ＣｅＯ２ＴｉＯ２／ＳｉＯ２表面复合物，并对所制复合物进行除氟测试。用扫描电镜（ＳＥＭ）观察表面形貌，讨论实验环境、试剂用量等因素对ＣｅＯ２ＴｉＯ２／ＳｉＯ２制备及除氟性能的影响，结果表明：ｎＴｉ（ＯＣ４Ｈ９）４／ｎＣｅＣｌ３·７Ｈ２Ｏ＝１、ｎＣＨ３ＣＯＯＨ／ｎＴｉ（ＯＣ４Ｈ９）４＝４５、ｎＣ３Ｈ８Ｏ３／ｎＴｉ（Ｏ４Ｈ９）４＝０３、ＲＨ＝９５％，热处理温度１１０℃时，所制ＣｅＯ２ＴｉＯ２／ＳｉＯ２对Ｆ－的吸附容量（ｑ）为２１４ｍｇ／ｇ，去除率（Ｅ）为８５６％。
颜秀茹宋宽秀王建萍胡留长杨朝辉
关键词：二氧化铈除氟剂
新型除氟剂的制备及其性能研究
该文采用沉淀法制备了一系列的水合氧化物,研究了它们的除氟性能,并对影响因素(起如物质,溶液pH,陈化时间,干燥温度,干燥时间,吸附温度,吸附溶液的pH等)进行了实验,确定了最佳条件;并对吸附氟离子的动力学和热力学进行了讨...
胡留长
关键词：无机离子交换剂除氟剂溶胶-凝胶法
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