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范向群

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇单晶
  • 2篇单晶炉
  • 2篇锑化镓
  • 2篇籽晶
  • 2篇坩埚
  • 2篇衬底
  • 2篇衬底材料
  • 1篇低压
  • 1篇半绝缘
  • 1篇GAAS单晶
  • 1篇LEC法
  • 1篇LEC法生长

机构

  • 3篇中国科学院上...

作者

  • 3篇吴巨
  • 3篇莫培根
  • 3篇范向群
  • 2篇谈惠祖
  • 2篇杜立新
  • 1篇周炎德

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2001
  • 1篇1993
  • 1篇1990
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置
本发明是双坩埚法直拉GaSb单晶的改进，属于从熔体中直拉单晶的双坩埚法，其特征在于在外坩埚上沿有L形或反L形槽，内坩埚上装有挂钩，单晶炉机械手上有压板和拨棒，在下降籽晶拉晶前，使内坩埚的挂钩置于外坩埚槽的横槽内，从而使内...
莫培根谈惠祖杜立新范向群吴巨
文献传递
直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置
本发明是双坩埚法直拉GaSb单晶的改进，属于从熔体中直拉单晶的双坩埚法，其特征在于在外坩埚上沿有L形或反L形槽，内坩埚上装有挂钩，单晶炉机械手上有压板和拨棒，在下降籽晶拉晶前，使内坩埚的挂钩置于外坩埚槽的横槽内，从而使内...
莫培根谈惠祖杜立新范向群吴巨
文献传递
改进的低压LEC法生长半绝缘GaAs单晶
1990年
本文提出了改进的低压LEC/PBN法获得稳定的熔体化学计量比的条件,研究了晶体的电学性质、位错密度、C含量及EL2浓度等特性,并考察了高温热处理对晶体特性的影响.
莫培根范向群周炎德吴巨
关键词：GAAS单晶LEC法低压
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共1页<1>
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