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董海星

作品数:4 被引量:5H指数:2
供职机构:华南理工大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇发光
  • 3篇电致发光
  • 2篇前驱体
  • 2篇咔唑
  • 2篇聚电解质
  • 2篇聚合物发光
  • 2篇聚合物发光二...
  • 2篇共轭
  • 2篇共轭聚电解质
  • 2篇二极管
  • 2篇发光二极管
  • 1篇电致发光器件
  • 1篇阻挡层
  • 1篇外量子效率
  • 1篇硒二唑
  • 1篇量子效率
  • 1篇聚合物电致发...
  • 1篇聚合物电致发...
  • 1篇聚芴
  • 1篇空穴

机构

  • 4篇华南理工大学

作者

  • 4篇董海星
  • 2篇黄飞
  • 2篇申慧琳
  • 2篇曹镛
  • 2篇曹蔚
  • 1篇彭俊彪

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇高分子学报

年份

  • 1篇2007
  • 3篇2006
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
新型含咔唑聚芴类共轭聚电解质及其前驱体的合成与光电性能被引量:3
2006年
采用Suzuk i偶合反应成功地合成了一系列在主链上具有不同含量苯并噻二唑单元的聚咔唑和含胺基芴的衍生物:聚[3,6-(N-(2-乙基己基))咔唑-2,1,3-苯并噻二唑-9,9-双(N,N-二甲基胺丙基)芴](PCzN-BTDZ);通过对所得聚合物的季铵盐化后处理得到了其相应的聚电解质衍生物:聚[3,6-(N-(2-乙基己基))咔唑-2,1,3-苯并噻二唑-9,9-(双(3-(′N,N-二甲基)-N-乙基铵)丙基)芴]二溴(PCzNB r-BTDZ)。通过对它们的电致发光性能的研究,发现所有的聚合物用高功函数铝作阴极的器件具有和用钡/铝作阴极的器件相近的发光性能,说明这类聚合物具有良好的电子注入性能。不同比例的2,1,3-苯并噻二唑(BTDZ)的引入使聚合物中发生有效的能量转移,调节了聚合物的发光颜色;同时也提高了聚合物的器件性能。其中聚合物PCzN-BTDZ1在器件结构为ITO/PEDOT/PVK/Polym er/BaA l时的效率达0.99%,高于PCzN在相同器件结构时的效率(0.14%)。
曹蔚董海星黄飞申慧琳曹镛
关键词:共轭聚电解质电致发光咔唑
共混聚合物发光二极管的性能研究
聚合物电致发光器件由于在平板显示领域具有广阔的应用前景而受到了广泛研究。但要实现真正的商业化生产,还有许多问题需要解决,诸如器件的发光效率、寿命、稳定性等方面。高性能聚合物发光二极管的实现,一方面有赖于开发出新型高性能的...
董海星
关键词:聚合物发光二极管聚合物电致发光器件外量子效率空穴阻挡层共混比
文献传递
含苯并硒二唑聚咔唑/芴类共轭聚电解质及其前驱体的合成与性能研究被引量:2
2007年
采用Suzuki偶合反应合成了一系列新型的咔唑、芴和2,1,3-苯并硒二唑的共聚物——聚[3,6-(N-(2-乙基己基))咔唑-2,1,3-苯并硒二唑-9,9-双(N,N-二甲基胺丙基)芴](PCzN-BSeD)及其相应的聚电解质衍生物——聚[3,6-(N-(2-乙基己基))咔唑-2,1,3-苯并硒二唑-9,9-(双(3′-(N,N-二甲基)-N-乙基铵)丙基)芴]二溴(PCzNBr-BSeD).在聚咔唑和芴中引入不同比例的2,1,3-苯并硒二唑(BSeD)单元,引起了由咔唑和芴链段向窄带隙苯并硒二唑(BSeD)单元有效的能量转移.通过对聚合物电致发光性能的研究,发现用聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)(PEDOT)或聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚乙烯咔唑(PEDOT/PVK)作为空穴传输层时,器件的性能相差不大,表明咔唑的引入较明显的改善了聚合物的空穴注入性能.而且几乎所有的聚合物用高功函数铝作阴极的器件和用钡/铝作阴极的器件具有相近的发光性能,表明这类聚合物具有良好的电子注入性能.
曹蔚董海星黄飞申慧琳曹镛
关键词:共轭聚电解质电致发光咔唑
PBD分子对聚合物发光二极管特性的影响
2006年
研究了由聚合物发光材料poly(2-methoxy,5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylene vinylene)(MEH-PPV)掺杂2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole(PBD)制成的发光层厚度为80, 170 nm的高分子发光器件(PLEDs)。研究了PBD不同掺杂浓度时器件的电流密度-电压(J-V)和亮度-效率-电压(L-E-V)特性,发现PBD除传输电子外,还阻挡空穴的注入和传输。研究发现,PBD的最优掺杂浓度为20%,掺入PBD后MEH-PPV的EL光谱红移且发生窄化,当PBD掺杂浓度为40%时MEH-PPV的EL光谱窄化最明显,EL光谱半峰全宽从100 nm减小到44 nm。
董海星彭俊彪
关键词:聚合物发光二极管PBD
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