薛小霜
- 作品数：11 被引量：7H指数：2
- 供职机构：陕西科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西科技大学研究生创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>
- 氨气氮化Ga_2O_3粉体合成GaN的生长机制研究被引量：1
- 2010年
- 以Ga2O3为主要原料,通过氨气氮化反应合成了单相GaN粉体。利用X射线衍射(XRD)、扫瞄电镜(SEM)和荧光光谱(PL)分析在900～1050℃范围内,氮化温度和时间对产物的影响。结果表明:氮化温度在920℃以上时能够生成纯度较高的六方铅锌矿型GaN粉体,反应温度达性能优异。反应产物初始的平板和柱状结构显示了系统反应开始为气-固机制(V-S),但随时间的延长转变为到1000℃时,合成的粉体具有良好的结晶性能;当反应温度为1000℃,氮化时间为1.5h时,所得样品发光以分解-重结晶为主导的合成机制,该机制使得粉体颗粒细化,并随着反应温度的提高以及氮化时间的延长,细化效果更加明显。
- 薛小霜王芬朱建峰王志伟崔珊
- 关键词：GAN热分解重结晶
- 微波水热及氨化法制备GaN纳米棒
- 2011年
- 以Ga2O3为原料,用微波水热法和高温氨化两步法合成GaN纳米棒。采用XRD及SEM对其结晶形貌进行表征。研究得出,GaN纳米粉呈长径比约为5:1的棒状,该纳米棒是由沿(002)方向高度取向一致的GaN晶粒结晶而成。XRD分析显示,GaN纳米棒为六方纤锌矿结构且结晶良好。光致发光(PL)分析显示,合成纳米棒在367nm处存在GaN本征发光峰。中心位于468nm、493nm及534nm附近出现了宽而弱的发射带,这有助于GaN在光电领域的应用。
- 李栋王芬朱建锋薛小霜
- 关键词：GAN纳米棒
- 一种掺杂Mg、Mn或Cu的GaN纳米粉体的制备方法
- 一种掺杂Mg、Mn或Cu的GaN纳米粉体的制备方法，首先制得不同摩尔配比量的分析纯的Mg、Mn或Cu与硝酸镓Ga(NO<Sub>3</Sub>)<Sub>3</Sub>的混合溶液，其中Ga<Sup>3+</Sup>浓度为...
- 王芬薛小霜朱建锋
- 文献传递
- 一种掺杂Mg、Mn或Cu的GaN纳米粉体的制备方法
- 一种掺杂Mg、Mn或Cu的GaN纳米粉体的制备方法，首先制得不同摩尔配比量的分析纯的Mg、Mn或Cu与硝酸镓Ga(NO <Sub>3</Sub>) <Sub>3</Sub>的混合溶液，其中Ga <Sup>3+</Sup>...
- 王芬薛小霜朱建锋
- 文献传递
- 一种茶叶末天目釉的制备方法
- 一种茶叶末天目釉的制备方法，首先将黄土，长石，石英，高岭土，滑石，石灰石，磷酸钙，氧化铁，BaCO<Sub>3</Sub>，以及适量三聚磷酸钠和纤维素混合，再球磨调制成比重为1.6－1.7g/cm<Sup>3</Sup>...
- 王芬李强罗宏杰周长江朱建锋薛小霜杨志波
- 文献传递
- GaN纳米晶的制备及其反应机理分析
- 氮化镓(GaN)材料是室温下具有3.4eV的直接宽带隙半导体材料，其禁带宽度大，符合高亮度二极管(LED)、激光二极管(LD)以及抗辐射器件和高密度集成电子器件对光、电性能的需求。GaN材料物理、化学性质稳定，具有高饱和...
- 薛小霜
- 文献传递
- 一种茶叶末天目釉的制备方法
- 一种茶叶末天目釉的制备方法，首先将黄土，长石，石英，高岭土，滑石，石灰石，磷酸钙，氧化铁，BaCO<Sub>3</Sub>，以及适量三聚磷酸钠和纤维素混合，再球磨调制成比重为1.6-1.7g/cm<Sup>3</Sup>...
- 王芬李强罗宏杰周长江朱建锋薛小霜杨志波
- 文献传递
- 燃烧合成一维纳米结构AlN及其生长机理研究
- 2009年
- 以铝粉(Al)和NH4F为主要原料,Nb为添加剂,在N2压力小于0.5MPa的条件下采用高温自蔓延燃烧法(SHS)合成了一维纳米结构的AlN粉体,并通过差热分析(TG/DSC)分析了Al-N2体系的热力学机理,运用X-射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜(SEM)分析了所合成一维纳米结构AlN的物相组成和显微结构.结果表明,当Al∶NH4F为4∶1(wt%)时,在添加剂Nb的作用下,合成的产物主要为一维纳米结构六方长针状AlN,该粉体纯度高、晶体结构完整,且沿(100)存在明显择优取向;所合成的一维纳米结构AlN的生长机理属于SLS生长机理.
- 薛小霜王芬崔珊
- 关键词：自蔓延燃烧合成一维纳米结构ALN
- 氮化温度对有机沉淀法制备GaN纳米粉体的影响被引量：2
- 2009年
- 首次报道了以硝酸镓（Ga（NO3）3）为原料,采用有机沉淀法在碱性条件下制备出含Ga的前驱体,将该前驱体在950-1 050℃之间利用氨气（NH3）直接氮化合成了GaN纳米粉体,并利用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和光致发光（PL）技术对所制备的GaN纳米粉体分别进行了物相组成、显微形貌和发光性能分析.结果表明：有机沉淀法制备的含Ga前驱体粉体在不同氮化温度下均生成了高纯度六方纤锌矿型GaN纳米粉体,其粒径小于100 nm,且均匀分散;随着氮化温度的增高,GaN纳米粉体的颗粒度下降,结晶度增强;1 050℃氮化合成的GaN纳米粉体发光性能最优异.
- 薛小霜王芬崔珊
- 微波水热辅助电沉积法制备Bi_2S_3薄膜被引量：4
- 2010年
- 采用微波水热辅助电沉积法在ITO导电玻璃表面制备了形貌均匀具有纳米棒、纳米板状结构的Bi2S3薄膜。利用XRD、XPS、场发射扫描显微镜(FESEM)、TEM和UV-Vis-NearIR对薄膜的结构、形貌、光学性能进行了表征。结果显示微波水热辅助电沉积法制备的Bi2S3薄膜具有良好的结晶性能;随着微波水热温度的提高,所制备Bi2S3薄膜的结晶性能先增强后降低,合适的温度是130℃。与电沉积法制得薄膜相比,采用微波水热辅助电沉积法制得Bi2S3薄膜的禁带宽度由1.44eV增加到1.84eV。
- 王艳黄剑锋朱辉曹丽云薛小霜曾燮榕
- 关键词：BI2S3电沉积
