袁俊
- 作品数：45 被引量：64H指数：5
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金兵器基金云南省教育厅科学研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程自动化与计算机技术兵器科学与技术更多>>
- InSb红外探测器表面钝化工艺研究
- 2020年
- 本文工作主要研究了InSb红外探测器表面钝化工艺问题,逐一探讨了射频功率、R(SiH4:N2O)配比、沉积温度、工作压强等工艺参数对InSb芯片表面钝化工艺的影响。将不同条件下获得的材料分别制成MIS结构和红外探测器并进行C-V和I-V测试,结果表明在射频功率为80 W、R配比为20:10、沉积温度为200℃、工作压强为10 Pa时,钝化后的试样C-V特性曲线良好,I-V特性曲线反向平缓,性能较好,满足探测器芯片研制的要求,进一步证实了该条件下的钝化效果较佳。
- 信思树黎秉哲郭胜袁俊孙翔乐王甜姗
- 关键词：表面钝化INSBPECVD
- 不同抛光方式下InSb晶片表面质量的对比研究被引量：2
- 2022年
- 本文分别以加双氧水的化学机械抛光和未加双氧水的纯机械抛光方式对InSb晶片进行表面处理,通过分析氧化膜的生成,以及对InSb晶片的表面划痕、表面粗糙度和表面损伤的表征,开展了两种不同抛光方式下InSb晶片的表面质量对比研究。结果表明,在化学机械抛光过程中,InSb晶片表面有氧化层生成,该氧化层能保护材料表面免受损伤;并且发现加入双氧水作为抛光液的化学机械抛光方法能够获得较好表面质量的InSb晶片,其表面几乎无划痕,粗糙度降至0.606 nm,平整度约6.916 nm,且表面损伤明显降低。
- 李德香龚晓霞张丽霞袁俊杨文运
- 关键词：INSB抛光氧化层化学机械抛光机械抛光
- 一种非晶态碲镉汞线列探测器的信号处理电路
- 一种非晶态碲镉汞线列探测器的信号处理电路，其特征在于由非晶态探测器与集成信号处理电路电学接口、非晶态探测器阻抗适配放大电路、并行信号串行转换与时序输出电路组成，其中，处理电路电学接口是探测器与信号处理电路的物理接口，按照...
- 胡旭姬荣斌李煜李龙孔金丞孙琪艳余连杰袁俊
- 红外探测器晶片背减薄抛光装置
- 本实用新型所述的红外探测器晶片背减薄抛光装置，包括下抛光盘，衬底，玻璃平板，压重块，挡圈和连接块，其特征在于晶片用光学胶粘接在衬底上，分离隔板用胶粘接在玻璃平板上，分离隔板有若干通孔，衬底未粘接晶片的面穿过分离隔板的通孔...
- 黄江平袁俊龚晓霞郭雨航苏玉辉冯江敏何雯瑾莫镜辉
- 文献传递
- 新型Sb基二类超晶格红外探测器
- 2012年
- InAs/Ga(In)SbⅡ类超晶格材料由于特殊的二型能带结构,可以通过人造低维结构获得类似于体材料的带间吸收,从而获得较高的量子效率;另外,通过调节材料参数调节能带结构,器件响应波段可调;通过能带结构设计抑制俄歇复合,获得较小的暗电流和较高的器件性能。因为以上特有的材料性能和器件特性,Sb基二类超晶格在国际上被认为是第三代红外焦平面探测器的优选材料。对二类超晶格材料的设计和器件特性进行了研究,设计了峰值波长4μm的nBn结构的中波红外探测器,在没有蒸镀抗反膜的条件下,77 K温度下测试得到的峰值探测率为2.4×1011cm Hz1/2W-1,计算得到的量子效率为47.8%,峰值探测率已经接近目前的碲镉汞中波红外探测器器件性能。研究结果充分显示了二类超晶格优越的材料和器件性能。
- 史衍丽何雯瑾张卫锋王羽袁俊莫境辉冯江敏胡锐邓功荣徐应强牛智川
- 关键词：INASNBN探测率量子效率
- 非制冷铁电混合式红外焦平面探测器被引量：10
- 2006年
- 介绍了国内非制冷铁电混合式红外焦平面探测器的最新研究进展,给出器件所采用的铁电材料的基本物理和电学特性参数、器件的热隔离技术和相应参数、读出电路的基本结构和性能,详细讨论了影响性能的关键参数和工艺,最后对试验结果进行了分析.
- 胡旭太云见袁俊蔡毅
- 关键词：红外焦平面探测器非制冷铁电
- 混合式热释电非制冷焦平面探测器热隔离技术研究
- 混合式热释电非制冷焦平面探测器的成像质量决定于噪声等效温差和空间分辨率,制约噪声等效温差的主要因素是热传导,制约空间分辨率的横向热扩散,为了实现其实用化,开展了对混合式热释电非制冷焦平面探测器热传导技术研究。
- 袁俊太云见何文瑾黄承彩杨春丽董明礼
- 关键词：热传导铟柱成像质量
- 文献传递
- 非制冷焦平面红外探测器微桥结构的设计研究
- 非制冷红外探测器已取得了令人瞩目的成就,凭借其成本低、无需制冷、可靠性高等优点,在民用和军用市场得到了广泛的应用。非制冷红外探测器的关键技术之一是微桥结构的设计。良好的微桥结构是减小探测器热导率和改善其性能的关键。在硅基...
- 何雯瑾太云见袁俊史衍丽
- 关键词：微桥结构非制冷探测器
- 文献传递
- 应用于快速响应热释电探测器的抗高过载前放组件
- 2012年
- 热释电探测器由于具有结构简单、性价比高等优点而备受青睐。就热释电探测器/前放组件在实际工作中需要较快的响应速度,从热释电探测器及前置放大器的设计着手考虑,成功研制出高灵敏度的快速响应热释电探测器/前放组件;针对热释电探测器-前置放大器组件使用时需要承受高过载冲击及剧烈振动,在几项关键工艺中采取了一系列措施。最后,给出了热释电探测器/前放组件的测试结果和环境试验结果,表明达到抗高过载、快速响应的要求。
- 白丕绩李煜孙琪艳陆剑鸣环健姬玉龙张敏袁俊林猷慎黄承彩
- 关键词：热释电探测器快速响应
- 晶圆级封装中硅基盖帽的湿法腐蚀工艺被引量：1
- 2020年
- 对于晶圆级封装中硅基盖帽的制备工艺,采用NaOH腐蚀体系对Si〈100〉衬底进行湿法深腐蚀,研究了腐蚀液质量分数、添加剂添加量及腐蚀温度对腐蚀速率和形貌的影响。针对深腐蚀中掩膜易脱落的缺点,提出了一种先用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积SiO2介质层,再用磁控溅射生长CrAu金属层的方法,SiO2介质层和CrAu金属层作为双层掩膜。研究结果表明:硅的腐蚀速率随温度的增加呈指数增加,在饱和NaOH溶液中腐蚀速率最快,腐蚀速率可达15μm/min。最终腐蚀出表面平整、界面清晰的硅基盖帽,盖帽空间面积为2 cm×2 cm,深度超过100μm,复合掩膜层没有开裂、脱落现象,具有优异的抗腐蚀性。该腐蚀工艺对红外焦平面阵列(IRFPA)探测器晶圆级封装具有重要的应用价值。
- 吴鹏郭杰袁俊袁俊黎秉哲孙丽存
- 关键词：晶圆级封装湿法腐蚀腐蚀速率
