2024年8月30日
星期五
|
欢迎来到滨州市图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
贺致远
作品数:
23
被引量:0
H指数:0
供职机构:
中山大学
更多>>
发文基金:
国家教育部博士点基金
国家自然科学基金
国际科技合作与交流专项项目
更多>>
相关领域:
电子电信
更多>>
合作作者
刘扬
中山大学物理科学与工程技术学院...
张佰君
中山大学物理科学与工程技术学院...
姚尧
中山大学物理科学与工程技术学院...
李佳林
中山大学物理科学与工程技术学院
倪毅强
中山大学物理科学与工程技术学院...
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
14篇
专利
6篇
会议论文
2篇
期刊文章
1篇
学位论文
领域
7篇
电子电信
主题
9篇
GAN
6篇
欧姆接触
6篇
半导体
6篇
SI衬底
6篇
衬底
5篇
二极管
5篇
ALGAN/...
4篇
导体
4篇
肖特基
4篇
肖特基二极管
4篇
功率
4篇
功率型
4篇
半导体材料
4篇
场效应
3篇
氮化物
3篇
氮化物半导体
3篇
氮化物半导体...
3篇
电极
3篇
势垒
3篇
迁移率
机构
23篇
中山大学
作者
23篇
贺致远
21篇
刘扬
14篇
张佰君
7篇
姚尧
6篇
倪毅强
6篇
李佳林
5篇
张金城
3篇
王钢
3篇
杨帆
3篇
王硕
2篇
郑越
1篇
江灏
1篇
沈震
1篇
杨帆
1篇
文于华
1篇
周桂林
1篇
何亮
1篇
钟健
1篇
张炜
传媒
3篇
第13届全国...
1篇
电力电子技术
1篇
中国科技论文
1篇
2013年全...
年份
1篇
2016
3篇
2015
7篇
2014
3篇
2013
4篇
2012
3篇
2011
2篇
2010
共
23
条 记 录,以下是 1-10
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
一种功率型GaN基肖特基二极管及其制作方法
本发明公开了一种上下电极结构的功率型GaN基肖特基二极管及其制作方法,通过Si衬底剥离技术,实现半导体外延层衬底转移,先将外延薄膜转移到导电、导热性能好的金属衬底上,然后剥离Si衬底,这样既改善了器件的散热性能,也降低了...
刘扬
贺致远
李佳林
张佰君
一种功率型AlGaN/GaN肖特基二极管及其制作方法
本发明公开了一种功率型AlGaN/GaN肖特基二极管,从下到上依次包括低电阻n型Si衬底层、缓冲层、GaN层、AlGaN层以及设置于该AlGaN层之上的栅极,该GaN层和AlGaN层之间形成了异质结二维电子气导电沟道,还...
刘扬
李佳林
贺致远
张佰君
王钢
低温AlN插入层对Si基AlGaN/GaN异质结构材料特性的影响研究
GaN材料体系以其禁带宽度大、耐高压、耐高温等优越性能非常适合制作微波放大及功率开关器件,AlGaN/GaN异质结构是其中的代表.在生长GaN外延层的几种可能衬底材料(蓝宝石、SiC、Si和GaN)中,Si衬底有明显的低...
杨帆
贺致远
倪毅强
姚尧
王硕
张金城
吴志盛
张佰君
刘扬
一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构及其生长方法
本发明涉及半导体材料外延生长领域,公开了一种厚膜高阻氮化物半导体外延结构及其生长方法。其外延结构由下至上依次包括衬底、成核层、应力缓冲层和氮化物材料层,氮化物材料层包括间隔布设的氮化物半导体材料层和新型基本氮化物复合夹层...
刘扬
倪毅强
贺致远
周德秋
张佰君
文献传递
纵向导通的GaN增强型MISFET器件及其制作方法
本发明涉及一种纵向导通的GaN增强型MISFET器件及其制作方法,属于半导体器件领域,本发明器件包括栅极、源极、漏极、绝缘层、导电GaN衬底和其上的外延层,所述外延层包括第一n型轻掺杂GaN层和其上的选择生长层,选择生长...
刘扬
贺致远
张佰君
一种GaN增强型MIS-HFET器件及其制备方法
本发明涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种GaN增强型MIS-HFET器件及其制作方法。本发明的器件包括栅极、源极、漏极、绝缘介质层和衬底,所述衬底上由下往上依次设有应力缓冲层、第一GaN层和选择生长层,所述选择生长层包...
刘扬
张金城
贺致远
张佰君
文献传递
基于低温AlN缓冲层结构的Si衬底高耐压AlGaN/GaN HFET的外延技术研究
贺致远
一种用于制备GaN异质结场效应晶体管的外延结构及生长方法
本发明涉及半导体材料外延生长领域,公开了一种用于制备GaN异质结场效应晶体管的外延结构及生长方法。其外延结构由下至上依次包括衬底、应力缓冲层、高阻GaN外延层、新型插入层、非掺杂GaN沟道层和异质结势垒层,新型插入层包括...
刘扬
贺致远
倪毅强
周德秋
张佰君
文献传递
一种厚膜高耐压氮化物半导体外延结构及其生长方法
本发明涉及半导体材料外延生长领域,公开了一种厚膜高耐压氮化物半导体外延结构及其生长方法。其外延结构由下至上依次包括衬底、衬底上的成核层、成核层上的氮化物半导体材料层,所述氮化物半导体材料层包括在所述氮化物半导体材料层内被...
刘扬
周德秋
倪毅强
贺致远
文献传递
Si衬底上采用低温AlN插入层的GaN外延结构电学性分析
本文研究了以低温AlN插入层(LT-AlN)作为应力缓冲层于Si衬底上外延生长GaN的电学特性。我们采用霍尔效应测试在Si衬底上GaN样品中发现了一种反常的P型现象。这种现象主要是由于外延生长时Al原子扩散进Si衬底中并...
倪毅强
刘扬
贺致远
钟健
杨帆
姚尧
沈震
向鹏
柳铭岗
张佰君
关键词:
电学特性
全选
清除
导出
共3页
<
1
2
3
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张