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邓洪海: 作品数：13 被引量：19H指数：3; 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>; 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

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背照射波长延伸InGaAs面阵焦平面探测器被引量：3: 2013年; 在MBE外延生长的In0.8Al0.2As/In0.8Ga0.2As材料上,采用台面成型方法制备了背照射32×32元InGaAs探测器,其中心距为30μm,并详细分析了探测器及其焦平面光电性能.结果表明,温度高于220 K时吸收层材料热激活能为0.443 eV,300 K时在所考虑的偏压范围内,暗电流主要由扩散电流、产生复合电流及其欧姆漏电流构成.对组件焦平面特性也进行了研究,并通过读出电路的变积分电容测试结构测试结果提取出积分电容上的寄生电容,在测试温度范围内约为10 fF左右.; 魏鹏黄松垒李雪邓洪海朱耀明张永刚龚海梅; 关键词：INGAAS 暗电流寄生电容

退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用被引量：4: 2012年; 采用闭管扩散方式,对不同结构的异质结外延材料In0.81Al0.19As/In0.81Ga0.19As、InAs0.6P0.4/In0.8Ga0.2As、InP/In0.53Ga0.47As实现了Zn元素的P型掺杂,采用扫描电容显微技术(SCM)和二次离子质谱(SIMS)研究了在芯片制备中高温快速热退火(RTP)处理环节对p-n结结深的影响。结果表明:由于在这3种异质结外延材料中掺杂的Zn元素并未完全激活,导致扩散深度明显大于p-n结结深;高温快速热退火处理并不会显著影响结深的变化,扩散完成后的p-n结深度可以近似为器件最终的p-n结结深;计算了530℃下Zn在In0.81Al0.19As、InAs0.6P0.4、InP中的扩散系数D分别为1.327×10-12cm2/s、1.341 10-12cm2/s、1.067×10-12cm2/s。; 邓洪海魏鹏朱耀明李淘夏辉邵秀梅李雪缪国庆张永刚龚海梅; 关键词：快速热退火 ZN扩散结深 INGAAS

一种台面型铟镓砷探测器制备方法: 本发明公开了一种台面型铟镓砷探测器制备方法，包括将蒸镀P-InP接触电极以及高温快速退火过程置于氮化硅钝化之前，其优点在于：避免了在高温快速退火过程中，由于材料表面污染或者残留颗粒而导致的氮化硅钝化膜损坏，提高了探测器制...; 朱耀明李雪龚海梅唐恒敬李淘魏鹏王云姬邓洪海刘诗嘉张在实汤亦聃乔辉

一种延伸波长的平面型铟镓砷红外探测器芯片制备方法: 本发明公开了一种延伸波长的平面型铟镓砷红外探测器芯片制备方法。对于传统的PIN型铟镓砷红外探测器，由于磷化铟帽层或者衬底的吸收，限制了铟镓砷探测器在可见光波段的量子效率。本发明使用加入阻挡层的铟镓砷外延材料制备器件，在探...; 杨波邓洪海朱龙源邵秀梅李雪李淘唐恒敬魏鹏王云姬龚海梅; 文献传递

一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片制备方法: 本发明公开了一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片制备方法，其步骤包括：1)外延材料清洗，2)淀积氮化硅扩散掩膜，3)第一次光刻，4)开子像元扩散窗口，5)光刻胶剥离，6)闭管扩散，7)开管取片，8)第二次光刻，9)生...; 邓洪海唐恒敬李淘李雪魏鹏朱耀明王云姬杨波龚海梅; 文献传递

一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片: 本发明公开了一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片。红外探测器芯片在结构上主要包括子像元结构的PN结区和载流子侧向收集区。本专利引入了子像元结构，利用了载流子的侧向收集效应，产生在载流子侧向收集区的光生载流子可以被相邻...; 邓洪海唐恒敬李淘李雪魏鹏朱耀明王云姬杨波龚海梅; 文献传递

一种台面型铟镓砷探测器制备方法: 本发明公开了一种台面型铟镓砷探测器制备方法，包括将蒸镀P-InP接触电极以及高温快速退火过程置于氮化硅钝化之前，其优点在于：避免了在高温快速退火过程中，由于材料表面污染或者残留颗粒而导致的氮化硅钝化膜损坏，提高了探测器制...; 朱耀明李雪龚海梅唐恒敬李淘魏鹏王云姬邓洪海刘诗嘉张在实汤亦聃乔辉; 文献传递

台面型InP/InGaAs PIN光伏探测器的p-InP低阻欧姆接触被引量：2: 2011年; 研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比接触电阻为7.3×10-5Wcm2。接触电极退火后,采用离子溅射法淀积加厚电极Cr/Au。利用俄歇电子能谱(AES)进行深度剖面分析,表明Pt层能够相对有效地阻挡Au和InP的互扩散,但仍会有少部分的Au穿透Pt层进入InP层;金属与p-InP低阻欧姆接触的形成由界面处金属和InP的化学及其冶金学反应决定,并且少量的In-Au化合物的形成可能有益于接触特性的改善。结果表明,采用合适的退火条件可以制备出低阻、表面光滑、可靠性高的欧姆接触。; 魏鹏朱耀明邓洪海唐恒敬李雪张永刚龚海梅; 关键词：比接触电阻

可见增强的32×32元平面型InGaAs/InP面阵探测器被引量：2: 2015年; 为了实现In Ga As探测器响应波段向可见增强,在传统的外延材料中加入一层In Ga As腐蚀阻挡层,制备了32×32元平面型In Ga As面阵探测器,采用机械抛光和化学湿法腐蚀相结合的方法,去除了In P衬底.结果表明,探测器的响应波段为0.5~1.7μm,室温下在波长为500 nm处的量子效率约为16%,850 nm处量子效率约为54%,1 550 nm处量子效率约为91%.暗电流大小与衬底减薄之前基本保持一致.理论分析了材料参数对器件量子效率的影响,为进一步优化可见波段探测器的量子效率提供了依据.; 杨波邵秀梅唐恒敬邓洪海李雪魏鹏王云姬李淘李淘; 关键词：量子效率

一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片: 本发明公开了一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片。红外探测器芯片在结构上主要包括子像元结构的PN结区和载流子侧向收集区。本专利引入了子像元结构，利用了载流子的侧向收集效应，产生在载流子侧向收集区的光生载流子可以被相邻...; 邓洪海唐恒敬李淘李雪魏鹏朱耀明王云姬杨波龚海梅; 文献传递