钱卫东
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京师范大学低能核物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- Y升温注入Al形成Y-Al合金研究被引量：3
- 2001年
- 利用金属蒸汽真空弧 (MEVVA)源所产生的强束流离子注入铝研究了相变、增强扩散和钇铝合金的形成条件 .X射线衍射分析表明注入层有Al3 Y和Al2 O3 出现 .从背散射分析可以发现 ,Y原子有着明显的增强扩散和外扩散效应 ,Y离子的深度分布已达 62 0nm ,远大于LSS理论的预计值 .注入层钇铝原子比可达到 17%～ 2 4 %.连续铝合金层已经形成 .
- 张通和吴瑜光钱卫东
- 关键词：铝
- 钴离子注入硅化钴的形成和微波功率管制备的特性
- 2002年
- 用大束流密度的钴金属离子注入硅能够直接合成性能良好的薄层硅化物.束流密度为0.25～1.25A/m2,注入量为5×1017cm-2.用透射电子显微镜（TEM）和电子衍射（XRD）分析了注入层结构.结果表明随束流密度的增加,硅化钴相生长,薄层硅化物的方块电阻Rs明显下降.当束流密度为0.75 A/m2时,Rs明显地下降,说明连续的硅化物已经形成.当束流密度为1.25A/m2时,该值达到最小值3.1Ω.XRD分析表明,注入层中形成了3种硅化钴Co2Si,CoSi和CoSi2.经过退火后,Rs进一步地下降,Rs最小可降至2.3Ω,说明硅化钴薄层质量得到了进一步的改善.大束流密度注入和退火后,硅化钴相进一步生长,Co2Si相消失.TEM对注入样品横截面观察表明,连续硅化物层厚度为 90～133 nm.最优的钴注入量和束流密度分别为 5×1017cm-2和 0.50μA/cm2.最佳退火温度和退火时间分别为900℃和10s.高温退火（120℃）仍然具有很低的薄层电阻,这充分说明硅化钴具有很好的热稳定性.用离子注入Co所形成的硅化钴制备了微波功率器件Ohm接触电极,当工作频率为 590～610 MHz,输出功率为 18～20 W时,同常规工艺相比,发射极接触电阻下降到0.13～0.2倍,结果器件的噪声明显地下降,器件质量有了明显的提高.
- 张通和吴瑜光钱卫东刘安东
- 关键词：微波功率管快速退火薄层电阻
- Mo离子注入硅和快速退火硅化钼的形成
- 1994年
- 用大束流密度的钼金属离子注入硅，由于原子间激烈碰撞和硅片的温升而得到了性能良好的硅化钼，实验中发现，当注量均为５×１０１７ｃｍ－２时，随束流密度的增加，硅化钼生长，其电阻率明显下降，当束流密度为０．５０Ａ·ｍ－２时，方块电阻Ｒ□最小，其值为９０Ω。Ｘ衍射分析表明，当束流密度为０．２５Ａ·ｍ－２注入时，硅化钼衍射峰很小，难于辨认。当用０．５０Ａ·ｍ－２注入时，３种结构的硅化钼明显出现。对０．２５Ａ·ｍ－２注入的样品退火实验表明，随退火温度的升高Ｒ□逐渐下降，经８００℃退火，Ｒ□突然下降至９．０Ω，最小值可达到４Ω。背散射分析表明，随束流密度的增大，注入到硅中的钼的总量增加，且钼硅原子比深度分布加宽。对于增加退火温度和增大束流密度所注入样品来说，Ｘ射线衍射测量结果有差别，这表明２种注入情况下硅化钼形成规律也存在某些差别．最后讨论形成这种差异的原因。
- 张通和吴瑜光梁宏钱卫东罗晏
- 关键词：钼离子硅离子注入硅化钼
