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门静

作品数：6 被引量：4H指数：1
供职机构：西北工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：化学工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇致密
  • 3篇交联
  • 3篇交联固化
  • 2篇等离子
  • 2篇设计性
  • 2篇陶瓷
  • 2篇转化法
  • 2篇先驱体
  • 2篇先驱体转化
  • 2篇先驱体转化法
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇放电等离子
  • 2篇放电等离子烧...
  • 2篇SIC纳米线
  • 2篇C/SIC
  • 1篇乙醇
  • 1篇载荷
  • 1篇粘结
  • 1篇烧结温度

机构

  • 6篇西北工业大学

作者

  • 6篇张青
  • 6篇门静
  • 6篇刘永胜
  • 6篇张立同
  • 6篇成来飞
  • 3篇王晶
  • 3篇田卓
  • 2篇董宁
  • 1篇汪清

传媒

  • 1篇稀有金属材料...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种多孔碳化硅陶瓷的制备方法
本发明涉及一种多孔碳化硅陶瓷的制备方法，将SiC颗粒与PVB和乙醇混合均匀，使PVB尽量均匀地包裹在SiC颗粒表面，便于把SiC颗粒粘接到一起，然后放入化学气相渗透炉(CVI炉)进行化学气相渗透，在CVI过程中，生成的S...
刘永胜万佳佳董宁张青门静成来飞张立同
文献传递
一种SiC纳米线增强SiBCN陶瓷的制备方法
本发明涉及一种快速制备纳米线增强SiBCN陶瓷的方法，包括如下步骤：1、保护气氛下将聚硼硅氮烷交联固化、球磨得到SiBCN粉末；2、配置一定比例的SiBCN粉末，SiC纳米线，氧化铝，氧化钇和无水乙醇，混合球磨、干燥；3...
刘永胜门静张青王晶田卓成来飞张立同
文献传递
受剪载荷下C/SiC铆接接头应力数值模拟与实验验证被引量：4
2014年
通过建立有限元模型研究C/SiC铆接接头剪切应力分布及接头剪切破坏形式,并采用实验的方法对模型的准确性进行验证。计算结果表明:按本研究方案尺寸设计的C/SiC铆接接头受剪切载荷时,应力分布合理,以铆钉被剪断的方式破坏。实验验证中所有接头以铆钉被剪断的形式破坏,断口出现在连接板内侧,与计算结果一致,说明本研究所建立的计算分析C/SiC铆接接头的破坏形式的模型是合理的。
张青刘永胜门静汪清成来飞张立同
关键词：SIC铆接剪切载荷
一种C/SiC复合材料的快速制备方法
本发明涉及一种快速制备C/SiC复合材料的方法，其特征在于步骤为：1、采用化学气相沉积工艺在薄层碳纤维预制体表面沉积热解碳(PyC)界面；2、沉积PyC界面的薄层碳纤维预制体浸渍聚碳硅烷混合溶液，而后在保护气氛下依次交联...
刘永胜门静张青王晶田卓成来飞张立同
文献传递
一种SiC纳米线增强SiBCN陶瓷的制备方法
本发明涉及一种快速制备纳米线增强SiBCN陶瓷的方法，包括如下步骤：1、保护气氛下将聚硼硅氮烷交联固化、球磨得到SiBCN粉末；2、配置一定比例的SiBCN粉末，SiC纳米线，氧化铝，氧化钇和无水乙醇，混合球磨、干燥；3...
刘永胜门静张青王晶田卓成来飞张立同
一种基于模板制备多孔碳化硅陶瓷的方法
本发明涉及一种基于模板制备多孔碳化硅陶瓷的方法，创造性地将模板法的思想与CVI工艺的特点结合起来，提出采用CVI法制备多孔SiC陶瓷，该法得到的多孔SiC陶瓷孔径较为均匀，且孔隙率可控，材料具有很大的比表面积。该方法可解...
刘永胜万佳佳董宁张青门静成来飞张立同
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