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陆东赛

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

领域

  • 1篇化学工程

主题

  • 2篇碳化硅
  • 2篇碳化硅衬底
  • 2篇碳化钽
  • 2篇机械泵
  • 2篇降温过程
  • 2篇硅衬底
  • 2篇分子泵
  • 2篇层数
  • 2篇衬底

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇赵志飞
  • 2篇陆东赛
  • 2篇尹志军
  • 2篇朱志明
  • 2篇李赟

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种在碳化硅衬底上制作低层数石墨烯薄膜的方法
本发明是一种在碳化硅衬底上制作低层数石墨烯薄膜的方法，包括如下工艺步骤：一、选取硅面碳化硅衬底置于有碳化钽涂层的石墨基座上；二、系统升温；三、降低反应室温度至1200℃以下；四、提高氩气流量；五、系统升温；六、降低氩气流...
李赟尹志军朱志明赵志飞陆东赛
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一种在碳化硅衬底上制作低层数石墨烯薄膜的方法
本发明是一种在碳化硅衬底上制作低层数石墨烯薄膜的方法，包括如下工艺步骤：一、选取硅面碳化硅衬底置于有碳化钽涂层的石墨基座上；二、系统升温；三、降低反应室温度至1200℃以下；四、提高氩气流量；五、系统升温；六、降低氩气流...
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