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陈国

作品数:6 被引量:85H指数:5
供职机构:华东师范大学理工学院物理学系更多>>
相关领域:一般工业技术理学电气工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 4篇电气工程
  • 4篇理学
  • 2篇金属学及工艺

主题

  • 3篇软磁
  • 3篇纳米
  • 3篇巨磁阻
  • 3篇巨磁阻抗
  • 3篇磁阻
  • 3篇磁阻抗
  • 2篇纵向驱动
  • 2篇纳米微晶
  • 2篇巨磁阻抗效应
  • 2篇合金
  • 1篇电镀
  • 1篇软磁合金
  • 1篇软磁性能
  • 1篇铁基
  • 1篇相位
  • 1篇相位特性
  • 1篇纳米晶
  • 1篇晶态
  • 1篇非晶
  • 1篇非晶态

机构

  • 6篇华东师范大学
  • 1篇中国纺织大学

作者

  • 6篇杨介信
  • 6篇陈国
  • 5篇杨燮龙
  • 3篇沈国土
  • 3篇宫峰飞
  • 3篇蒋可玉
  • 3篇胡炳元
  • 1篇钱思明
  • 1篇戴放文
  • 1篇贾丽浈
  • 1篇金若鹏

传媒

  • 3篇华东师范大学...
  • 2篇科学通报
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 2篇1997
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
应力退火的Fe基纳米微晶带纵向驱动巨磁阻抗效应的研究被引量:15
2000年
测定了不同张应力退火生成的Fe73 Cu1Nb1.5 V2 Si13 .5 B9纳米微晶带在高频纵向驱动埸下的巨磁阻抗效应。从相位随外磁埸的变化规律中得出 ,与磁损耗相应的 μ”随外磁埸的变化是引起高频纵向驱动巨磁阻抗效应的重要原因。并由相位随外磁埸变化的最小值可以很容易地确定出材料的横向磁各向异性埸Hk 的大小 。
王宗篪杨燮龙宫峰飞曾琅陈国杨介信钱思明
关键词:纳米晶纵向驱动巨磁阻抗效应铁基
纵向驱动巨磁阻抗效应的相位特性被引量:2
2000年
作者测定了 98MPa应力退火生成的Fe73Cu1 Nb1 .5V2 Si1 3 .5B9纳米微晶带纵向驱动磁阻抗的相频曲线和不同频率的相位随外磁场变化的规律。从相频曲线的峰位可确定样品的特征频率。从不同频率驱动场下磁阻抗的相位随外磁场变化的规律 ,说明了纵向驱动巨磁阻抗效应在小于特征频率时是磁电感效应 ,大于特征频率时是磁阻抗效应 ,且在高频时主要是与畴壁移动磁化的阻尼而引起的磁损耗密切有关。
王宗箎杨燮龙宫峰飞曾琅陈国杨介信
关键词:相位
一种新型的纵向驱动巨磁致阻抗效应被引量:60
1998年
采用纵向驱动磁化场的方法对纳米Fe73Cu1Nb1.5V1Si13.5B9微晶带的磁阻抗效应进行测定 ,其ΔZZ =Z(H) -Z(Hmax)Z(Hmax) 可达 16 0 0 % ,超过Co基非晶的最大值 36 0 %三倍多 .实验结果表明 ,纵向磁阻抗曲线的形状和大小与材料的磁结构。
杨介信杨燮龙陈国蒋可玉沈国土胡炳元金若鹏
关键词:磁结构软磁合金
FeNi软磁镀层巨磁阻抗效应的研究被引量:5
1999年
用异常共沉积电镀的方法,在BeCu基片上镀制Fe20+δNi80-δ镀层。主要研究阴极电流密度和电镀时间对镀层的磁性和磁阻抗效应的影响。FeNi镀层的磁阻抗特性同材料的软磁性能密切相关。观察到最大的磁阻抗效应达35%。
贾丽浈陈国宫峰飞杨介信杨燮龙
关键词:巨磁阻抗效应软磁性能电镀
Fe基软磁纳米微晶磁致电阻抗效应的研究被引量:17
1997年
近年来,发现由Fe,Co,Ni和Cr,Ag,Cu所组成的二元复合膜和颗粒膜具有巨磁电阻效应,预期它在磁记录、磁传感器等方面有潜在的应用前景,引起各国科学家的广泛兴趣.但从目前的研究情况看,在很多情况下这些薄膜还需要有强磁场和低温才能显示出显著的效应.然而,最近,由Mohri等人从Co基非晶的丝或带可观察到巨磁致电阻抗效应,当频率几十kHz到几MH_z的电流通过非晶丝的截面时,在室温加80~800A/m的低磁场就能探测到△Z/Z(0)(=(Z(H)-Z(0))/Z(0))的变化在50%以上.我们在研究Fe基纳米微晶FeCuNbSiB中同样观测到巨磁致电阻抗效应,而且经不同温度退火后还会显示出不同的△Z/Z(0)值.当选取材料组分为Fe_(73)Cu_1Nb_(1.5)Mo_2Si_(13.5)B_9并在横向磁场退火后,磁致电阻抗效应可达~100%,灵敏度达~8%(A/m).
杨燮龙杨介信陈国胡炳元沈国土蒋可玉
关键词:纳米微晶非晶态合金
巨磁阻抗测量系统被引量:6
1997年
近年来,人们已在Co基非晶和Fe基纳米做晶材料中观察到巨阻抗效应(GMI)。当这些材料通以恒定的高频电流时,在——几十奥斯特磁场下会引起阻抗明显的变化,△Z/Z0达50%以上。预期在高灵敏磁传感器和磁记录头等方面有喜人的应用前景,因而引起各国科学家的广泛兴趣[1]。为了对该效应的机理和应用开发作进一步的研究,我们自行设计和制作了一套快速而可靠的GMI测量系统。本文重点介绍Z(H)和H的参数测试原理、操作过程和可靠性的分析。测试结果表明,该系统已经满足各类材料测定巨磁阻抗的要求。
杨介信沈国土陈国戴放文胡炳元蒋可玉
关键词:巨磁阻抗磁阻测量系统纳米微晶磁传感器
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