高文明
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国工程物理研究院更多>>
- 相关领域：核科学技术电子电信更多>>
- CdTe在高γ剂量率探测中的应用
- 1993年
- 本文介绍CdTe半导体材料在γ射线辐照下发射近红外光的原理,用“闪光—1”加速器输出的γ脉冲对该样品作了性能测试,获得了有用的数据。实验结果表明,自制的CdTe样品可应用于高γ剂量率的探测中。
- 高文明贾焕义
- 关键词：CDTE近红外光纤
- CMOS电路γ总剂量辐射效应评论
- 1992年
- 本文从实验结果出发,评论了国产市售和加固CMOS电路抗γ总剂量的辐射特性。介绍了几种工艺CMOS电路阈电压、静态功耗电流、输入输出特性和传输延迟时间等对总剂量辐射的不同响应规则。对多种实验电路进行了为期两年的辐射特性退火观察。实验的同时,对美国RCA公司的一种未加固电路作了辐射测量。用该结果与国产电路的辐射特性作了比较。本文认为^(6O)Co源可以作为合适的核爆总剂量辐射效应模拟源。
- 陈盘训高文明谢泽元米榜
- 关键词：CMOS电路总剂量退火
- 双极晶体管总剂量辐射失效概率
- 1993年
- 对三种双极晶体管3DG4C、3DG6D和3DK9D(每种100只)作了失效概率P_F和γ总剂量D关系的研究。辐射实验表明,用Weibull分布可以较好地描述P_F和D的关系。取h(D)/h(O)=80％、70％、50％为器件失效判据,实验结果表明,失效分布曲线取决于失效判据。3DG6D的P_F～D曲线由两种斜率的直线组成,这意味着样品组中存在着不同工艺的器件。失效分布曲线斜率揭示了器件抗总剂量特性的均匀度。它可用来作为器件加固工艺的质量监督。当将P_F～D直线外推到低P_F区时,有些器件失效概率为0.1％和0.01％的失效总剂量仅为几十Gy。
- 陈盘训谢泽元高文明何武良
- 关键词：双极晶体管总剂量失效判据
