丁尔峰
- 作品数：10 被引量：8H指数：2
- 供职机构：上海交通大学理学院太阳能研究所更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术电子电信动力工程及工程热物理更多>>
- 超声雾化CVD制备SnO2（F、Sb掺杂）透明导电膜及特性研究
- 本文以SnO2透明导电膜为研究对象，为了提高薄膜的电导率，可以进行适当的掺杂，现在一般选用F或者Sb作为掺杂。文中对于两种掺杂的二氧化锡透明导电膜进行了研究，采用了超声雾化喷涂（USP）化学汽相沉积（CVD）工艺。对于S...
- 丁尔峰
- 关键词：透明导电膜方块电阻透过率
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- 优质透明导电薄膜
- 周之斌崔容强丁正明丁尔峰孟凡英徐林赵春江徐秀琴于化丛蔡燕晖杨宏喜程平芳匡子光
- 该成果所采用的技术及设备是基于常压的非真空技术；采用超声波雾化技术代替原始APCVD工艺，基片以上的温度场的温度要求相对APCVD低，使所需的基底温度比原始的APCVD降低100℃；使用的无机原料市场售价比有机原料低，透...
- 关键词：
- 关键词：二氧化锡透明导电薄膜
- 超声雾化CVD制作SnO<,2>:F透明导电膜的工艺研究
- 我们采用超声雾化CVD工艺来制作二氧化锡薄膜,研究了各种工艺参数对SnO<,2>薄膜的性质的影响,摸索了最佳的工艺条件,研究了掺杂对膜的影响,分析了氟化氢和氟化氨掺杂的不同点,同时讨论以何种比例,何种条件,能使得沉积的膜...
- 丁尔峰刘梅苍蒋戈古丽娜周之斌崔容强
- 关键词：透明导电膜氟化氢二氧化锡薄膜
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- 用离子束溅射反应沉积制备CN<,x>薄膜及其性质
- 采用真空离子束溅射反应沉积技术在不同N<,2>压强下制备了一组CN薄膜.研究这种薄膜的暗电导和在卤素光光源照射下的亮电导、响应时间等主要光电导性质与制备条件、掺杂以及氢化的关系.
- 刘梅苍丁尔峰周之斌崔容强
- 关键词：碳氮薄膜
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- 喷涂沉积大面积均匀透明导电薄膜扫描装置
- 喷涂沉积大面积均匀透明导电薄膜扫描装置属于太阳能应用领域。完成加热过程和喷涂过程的主单元、完成退火功能的辅助单元、具有预加热功能的辅助单元依次并列或L形排列，具有预加热功能的辅助单元位于完成加热过程和喷涂过程的主单元一侧...
- 周之斌崔容强蔡燕晖丁尔峰
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- 喷涂沉积大面积均匀透明导电薄膜扫描装置
- 喷涂沉积大面积均匀透明导电薄膜扫描装置属于太阳能应用领域。完成加热过程和喷涂过程的主单元、完成退火功能的辅助单元、具有预加热功能的辅助单元依次并列或L形排列，具有预加热功能的辅助单元位于完成加热过程和喷涂过程的主单元一侧...
- 周之斌崔容强蔡燕晖丁尔峰
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- 采用USP-CVD沉积SnO_2透明导电膜——F、Sb掺杂及特性研究被引量：6
- 2004年
- 以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜。对SnO2∶F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 赘/□左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以达到85%。分析了HF和NH4F掺杂的不同点。对在两种最佳工艺条件下沉积的膜的结构、电学性质进行了研究。对SnO2∶Sb薄膜的电学性质进行了研究,用X射线衍射方法分析了在同一温度下,不同Sb掺杂浓度的膜的结构。并对薄膜的透过率、折射率及光学带隙等光学性质进行了分析。
- 丁尔峰崔容强周之斌赵亮于化丛赵占霞
- 透明导电薄膜的载流子输运模型
- 本文在实验的基础上,研究了金属氧化物透明导电薄膜(tin oxide)载流子的输运机理,给出了该机理的理论模型,常温下,金属氧化物透明导电薄膜的载流子的输运是由晶粒间的非晶晶界散射所决定,计算得到的非晶带尾态的激活能为0...
- 周之斌丁尔峰古丽娜赵占霞赵百川孟凡英崔容强
- 关键词：透明导电薄膜金属氧化物载流子
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- 采用USP-CVD沉积SnO2:Sb透明导电膜
- 以显微镜载玻片为衬底,采用超声雾化喷涂(USP)化学气相沉积(CVD)工艺制备出SnO:Sb薄膜。对衬底温度,方块电阻进行了研究。用X射线衍射方法分析了在同一温度下,不同Sb掺杂浓度的膜的结构。采用AFM分析了SnO:S...
- 丁尔峰周之斌崔容强
- 关键词：X射线衍射仪原子力显微镜
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- SiN_x烧穿工艺下硅太阳电池结构研究被引量：2
- 2005年
- 介绍了在全国产设备构成的中试线上开展的高效单晶硅太阳电池研究工作,并制备出了最高转换效率 达15．7％的单体电池(面积103×103mm2)。实验采用PECVD方法制备SiNx减反、钝化薄膜,并采用正背面电极 一次金属化烧结技术,同时完成氮化硅薄膜烧穿工艺。实验还研究了PECVD硅烷与氨气流量比对SiNx钝化、光 学和保护性质的影响。分析了氮化硅薄膜及简化新工艺与提高太阳电池效率的关系。实验最后采用化学染色法 测量了太阳电池的p-n结结深,结果表明该太阳电池的p-n结为0．25μm的浅结,直接证明了SiNx薄膜对p-n结有 良好的保护作用。
- 赵亮周之斌崔容强丁尔峰孟凡英于化丛
- 关键词：晶体硅太阳电池化学染色结深
